编者按：

2019 年是世界著名物理学家、中国固体和半导体物理学奠基人之一, 黄昆先生诞辰100 周年. 黄昆先生不仅在固体物理领域取得了卓越的成就, 而且更重要的是,他花费了大量的精力为我国培养了大批半导体科技人才. 1956 年3 月, 我国集中了全国600 多位科学家,制定了12 年科学技术发展规划, 提出了“发展计算技术、半导体技术、无线电电子学、自动学和远距离操纵技术的紧急措施方案”. 同年暑假, 我国创办了第一个五校联合半导体专业, 黄昆先生任半导体教研室主任, 谢希德先生任副主任, 从此开启了我国自主培养半导体科技人才的新纪元. 经过了60 多年的发展, 我国半导体学科, 包括半导体材料、物理和器件等方面都取得了巨大的进步. 为纪念黄昆先生, 2019 年9 月1—3 日, 中国科学院半导体研究所、北京大学、中国物理学会和九三学社在北京西郊宾馆联合举办“纪念黄昆先生诞辰100 周年暨半导体学科发展研讨会”, 本刊特邀请部分与会专家撰写了半导体材料、物理和器件等领域的研究论文和综述文章, 组成专题. 本专题包括1 篇研究论文和10 篇综述文章, 分别来自中国科学院上海微系统研究所、长春光机所、半导体研究所、物理研究所和浙江大学、电子科技大学、南昌大学、东北师范大学、香港大学等单位的科研团队, 介绍了国内外半导体学科相关领域的最新进展和发展方向, 希望本专题的出版可以为我国半导体学科的学术交流和发展做一些贡献, 并以此来纪念黄昆先生百年诞辰.