中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺

席善斌; 陆妩; 王志宽; 任迪远; 周东; 文林; 孙静

doi:10.7498/aps.61.076101

摘要

设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性,利用中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管在辐照过程中感生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷.本文对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍.

关键词:

In this paper, we design and fabricate a new test structure of bipolar device. A gate is deposited on the oxide layer covering the base region of normal lateral pnp bipolar transistor. The characteristic of drain current (collector current) versus the gate voltage is recorded by sweeping the voltage applied to the gate, then the subthreshold-current technique is used to separate the radiation induced oxide trapped charges and interface traps in the gate controlled lateral pnp bipolar transistor during 60Co- irradiation. The test structure and the measurement of the bipolar transistor used in the experiment are introduced in detail in this paper.

Keywords:

作者及机构信息

1.
中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;

2.
新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;

3.
中国科学院研究生院, 北京 100049;

4.
模拟集成电路国家重点实验室, 重庆 400060

基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 10975182)资助的课题.

Authors and contacts

1.
Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry CAS, Urumqi 830011, China;

2.
Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Urumqi 830011, China;

3.
Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;

4.
State key Laboratory of Analog Integrated Circuit, Chongqing 400060, China

Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 10975182).

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