2017年 66卷 第21期
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2017, 66(21): 216103.
doi: 10.7498/aps.66.216103
摘要:
具有特定边界的石墨烯纳米结构在纳电子学、自旋电子学等研究领域表现出良好的应用前景.然而石墨烯加工成纳米结构时，无序的边界不可避免地会降低其载流子迁移率.氢等离子体各向异性刻蚀技术是加工具备完美边界石墨烯微纳结构的一项关键技术，刻蚀后的石墨烯呈现出规则的近原子级平整的锯齿形边界.本文研究了氮化硼上锯齿形边界石墨烯反点网络的磁输运性质，低磁场下可以观测到载流子围绕着一个空位缺陷运动时的公度振荡磁阻峰.随着磁场的增大，朗道能级简并度逐渐增大，载流子的磁输运行为从Shubnikov-de Haas振荡逐渐向量子霍尔效应转变.在零磁场附近可以观测到反点网络周期性空位缺陷的边界散射所导致的弱局域效应.研究结果表明，在氮化硼衬底上利用氢等离子体刻蚀技术加工锯齿形边界石墨烯反点网络，其样品质量会明显提高，这种简单易行的方法为后续高质量石墨烯反点网络的输运研究提供了新思路.
具有特定边界的石墨烯纳米结构在纳电子学、自旋电子学等研究领域表现出良好的应用前景.然而石墨烯加工成纳米结构时，无序的边界不可避免地会降低其载流子迁移率.氢等离子体各向异性刻蚀技术是加工具备完美边界石墨烯微纳结构的一项关键技术，刻蚀后的石墨烯呈现出规则的近原子级平整的锯齿形边界.本文研究了氮化硼上锯齿形边界石墨烯反点网络的磁输运性质，低磁场下可以观测到载流子围绕着一个空位缺陷运动时的公度振荡磁阻峰.随着磁场的增大，朗道能级简并度逐渐增大，载流子的磁输运行为从Shubnikov-de Haas振荡逐渐向量子霍尔效应转变.在零磁场附近可以观测到反点网络周期性空位缺陷的边界散射所导致的弱局域效应.研究结果表明，在氮化硼衬底上利用氢等离子体刻蚀技术加工锯齿形边界石墨烯反点网络，其样品质量会明显提高，这种简单易行的方法为后续高质量石墨烯反点网络的输运研究提供了新思路.
2017, 66(21): 216802.
doi: 10.7498/aps.66.216802
摘要:
近年来，伴随石墨烯研究的深入开展，考虑到兼容半导体工业，构筑类石墨烯锗烯并探究其奇特电学性质已成为凝聚态物理领域的研究前沿.本文首先简要介绍了锗烯这一全新二维体系的理论研究进展，包括锗烯的几何结构、电子结构及其调控以及它们之间的关系.理论研究表明，因最近邻原子间距大，锗烯比硅烯更难构筑，实验上构筑锗烯颇具挑战性.针对这一问题，介绍了实验上制备锗烯的一些进展，重点介绍了金属表面外延制备锗烯，并对本征锗烯的制备及其在未来纳电子学器件的潜在应用做出了展望.
近年来，伴随石墨烯研究的深入开展，考虑到兼容半导体工业，构筑类石墨烯锗烯并探究其奇特电学性质已成为凝聚态物理领域的研究前沿.本文首先简要介绍了锗烯这一全新二维体系的理论研究进展，包括锗烯的几何结构、电子结构及其调控以及它们之间的关系.理论研究表明，因最近邻原子间距大，锗烯比硅烯更难构筑，实验上构筑锗烯颇具挑战性.针对这一问题，介绍了实验上制备锗烯的一些进展，重点介绍了金属表面外延制备锗烯，并对本征锗烯的制备及其在未来纳电子学器件的潜在应用做出了展望.
2017, 66(21): 216803.
doi: 10.7498/aps.66.216803
摘要:
石墨烯作为一种新型二维材料，因其优异的性质，在科学和应用领域具有非常重要的意义.而其超高的载流子迁移率、室温量子霍尔效应等，使其在信息器件领域备受关注.如何获得高质量并且与当代硅基工艺兼容的石墨烯功能器件，是未来将石墨烯应用于电子学领域的关键.近年来，研究人员发展了一种在外延石墨烯和金属衬底之间实现硅插层的技术，将金属表面外延石墨烯高质量、大面积的特点与当代硅基工艺结合起来，实现了无需转移且无损地将高质量石墨烯置于半导体之上.通过系统的实验研究并结合理论计算，揭示了插层过程包含四个主要阶段：诱导产生缺陷、异质原子插层、石墨烯自我修复和异质原子扩散成膜，并证实了这一插层机制的普适性.拉曼和角分辨光电子能谱实验结果表明，插层后的石墨烯恢复了本征特性，接近自由状态.此外，还实现了多种单质元素的插层.不同种类的原子形成不同的插层结构，从而构成了多种石墨烯/插层异质结.这为调控石墨烯的性质提供了实验基础，也展现了该插层技术的普适性.
石墨烯作为一种新型二维材料，因其优异的性质，在科学和应用领域具有非常重要的意义.而其超高的载流子迁移率、室温量子霍尔效应等，使其在信息器件领域备受关注.如何获得高质量并且与当代硅基工艺兼容的石墨烯功能器件，是未来将石墨烯应用于电子学领域的关键.近年来，研究人员发展了一种在外延石墨烯和金属衬底之间实现硅插层的技术，将金属表面外延石墨烯高质量、大面积的特点与当代硅基工艺结合起来，实现了无需转移且无损地将高质量石墨烯置于半导体之上.通过系统的实验研究并结合理论计算，揭示了插层过程包含四个主要阶段：诱导产生缺陷、异质原子插层、石墨烯自我修复和异质原子扩散成膜，并证实了这一插层机制的普适性.拉曼和角分辨光电子能谱实验结果表明，插层后的石墨烯恢复了本征特性，接近自由状态.此外，还实现了多种单质元素的插层.不同种类的原子形成不同的插层结构，从而构成了多种石墨烯/插层异质结.这为调控石墨烯的性质提供了实验基础，也展现了该插层技术的普适性.
2017, 66(21): 217301.
doi: 10.7498/aps.66.217301
摘要:
石墨烯在未来微电子学领域有极大的应用前景，但是其零带隙的特点阻碍了石墨烯在半导体领域的应用.研究发现，打开室温下可用的石墨烯带隙所需要的石墨烯纳米结构尺度在10 nm以下，这一尺度的纳米结构一方面制备比较困难，另一方面器件可承载的驱动电流较小.因此，如何实现亚10 nm石墨烯纳米结构的有效加工以及如何在有效调控带隙的基础上增大石墨烯器件可承载的驱动电流，还需要进一步的研究.本文首先研究了利用聚甲基丙烯酸甲酯/铬（PMMA/Cr）双层结构工艺，通过刻蚀时间的控制，利用电子束曝光及刻蚀工艺实现了亚10 nm石墨烯纳米结构的可控制备.同时设计并制备了单排孔石墨烯条带结构，该结构打开的带隙远大于相同特征宽度石墨烯纳米带所能打开带隙的大小.该结构在有效打开石墨烯带隙的同时，增加了石墨烯纳米结构可以承载的驱动电流，有利于石墨烯在未来微电子领域的应用.
石墨烯在未来微电子学领域有极大的应用前景，但是其零带隙的特点阻碍了石墨烯在半导体领域的应用.研究发现，打开室温下可用的石墨烯带隙所需要的石墨烯纳米结构尺度在10 nm以下，这一尺度的纳米结构一方面制备比较困难，另一方面器件可承载的驱动电流较小.因此，如何实现亚10 nm石墨烯纳米结构的有效加工以及如何在有效调控带隙的基础上增大石墨烯器件可承载的驱动电流，还需要进一步的研究.本文首先研究了利用聚甲基丙烯酸甲酯/铬（PMMA/Cr）双层结构工艺，通过刻蚀时间的控制，利用电子束曝光及刻蚀工艺实现了亚10 nm石墨烯纳米结构的可控制备.同时设计并制备了单排孔石墨烯条带结构，该结构打开的带隙远大于相同特征宽度石墨烯纳米带所能打开带隙的大小.该结构在有效打开石墨烯带隙的同时，增加了石墨烯纳米结构可以承载的驱动电流，有利于石墨烯在未来微电子领域的应用.
2017, 66(21): 217302.
doi: 10.7498/aps.66.217302
摘要:
二维晶体的特殊结构和新奇物理性能为构建新型纳米结构和器件，实现半导体领域的突破性进展提供了可能.本文首先介绍了双极性二维晶体的基本物理性能和相关范德瓦耳斯异质结的制备方法.在此基础上，主要综述了双极性二维晶体在新型电场调制二维晶体p-n结与异质p-n结以及非易失性可存储二维晶体p-n结等方面的应用、相关结构设计、电子和光电子等物理性能.然后进一步介绍了该类新型p-n结在逻辑整流电路、场效应光电子晶体管、多模式非易失性存储器、整流存储器、光电子存储器、光伏器件等方面的潜在应用.最后总结展望了该种新型p-n结在相关领域的可能发展方向.
二维晶体的特殊结构和新奇物理性能为构建新型纳米结构和器件，实现半导体领域的突破性进展提供了可能.本文首先介绍了双极性二维晶体的基本物理性能和相关范德瓦耳斯异质结的制备方法.在此基础上，主要综述了双极性二维晶体在新型电场调制二维晶体p-n结与异质p-n结以及非易失性可存储二维晶体p-n结等方面的应用、相关结构设计、电子和光电子等物理性能.然后进一步介绍了该类新型p-n结在逻辑整流电路、场效应光电子晶体管、多模式非易失性存储器、整流存储器、光电子存储器、光伏器件等方面的潜在应用.最后总结展望了该种新型p-n结在相关领域的可能发展方向.
2017, 66(21): 217303.
doi: 10.7498/aps.66.217303
摘要:
二维原子晶体材料，如石墨烯和过渡金属硫族化合物等，具有不同于其块体的独特性能，有望在二维半导体器件中得到广泛应用.晶体中的结构缺陷对材料的物理化学性能有直接的影响，因此研究结构缺陷和局域物性之间的关联是当前二维原子晶体研究中的重要内容，需要高空间分辨率的结构研究手段.由于绝大部分二维原子晶体在高能量高剂量的电子束辐照下容易发生结构损伤，利用电子显微方法对二维原子晶体缺陷的研究面临诸多挑战.低电压球差校正扫描透射电子显微（STEM）技术的发展，一个主要目标就是希望在不损伤结构的前提下对二维原子晶体的本征结构缺陷进行研究.在STEM下，多种不同的信号能够被同步采集，包括原子序数衬度高分辨像和电子能量损失谱等，是表征二维原子晶体缺陷的有力工具，不但能对材料的本征结构进行单原子尺度的成像和能谱分析，还能记录材料结构的动态变化.通过调节电子束加速电压和电子辐照剂量，扫描透射电子显微镜也可以作为电子刻蚀二维原子晶体材料的平台，用于加工新型纳米结构以及探索新型二维原子晶体的原位制备.本综述主要以本课题组在石墨烯和二维过渡金属硫族化合物体系的研究为例，介绍低电压扫描透射电子显微学在二维原子晶体材料研究中的实际应用.
二维原子晶体材料，如石墨烯和过渡金属硫族化合物等，具有不同于其块体的独特性能，有望在二维半导体器件中得到广泛应用.晶体中的结构缺陷对材料的物理化学性能有直接的影响，因此研究结构缺陷和局域物性之间的关联是当前二维原子晶体研究中的重要内容，需要高空间分辨率的结构研究手段.由于绝大部分二维原子晶体在高能量高剂量的电子束辐照下容易发生结构损伤，利用电子显微方法对二维原子晶体缺陷的研究面临诸多挑战.低电压球差校正扫描透射电子显微（STEM）技术的发展，一个主要目标就是希望在不损伤结构的前提下对二维原子晶体的本征结构缺陷进行研究.在STEM下，多种不同的信号能够被同步采集，包括原子序数衬度高分辨像和电子能量损失谱等，是表征二维原子晶体缺陷的有力工具，不但能对材料的本征结构进行单原子尺度的成像和能谱分析，还能记录材料结构的动态变化.通过调节电子束加速电压和电子辐照剂量，扫描透射电子显微镜也可以作为电子刻蚀二维原子晶体材料的平台，用于加工新型纳米结构以及探索新型二维原子晶体的原位制备.本综述主要以本课题组在石墨烯和二维过渡金属硫族化合物体系的研究为例，介绍低电压扫描透射电子显微学在二维原子晶体材料研究中的实际应用.
2017, 66(21): 218102.
doi: 10.7498/aps.66.218102
摘要:
石墨烯是一种由单层碳原子紧密排列而形成的具有蜂窝状结构的二维晶体材料，特殊的结构赋予了其优异的性能，如高载流子迁移率、电导率、热导率、力学强度以及量子反常霍尔效应.由于石墨烯优异的特性，迅速激起了人们对石墨烯研究以及应用的热情.石墨烯沉积或转移到硅片后，其器件构建与集成和传统硅基半导体工艺兼容.基于石墨烯的硅基器件与硅基器件的有机结合，可以大幅度提高半导体器件的综合性能.随着石墨烯制备工艺和转移技术的优化，硅基底石墨烯器件将呈现出潜在的、巨大的实际应用价值. 随着器件尺寸的纳米化，器件的发热、能耗等问题成为硅基器件与集成发展面临的瓶颈问题，石墨烯的出现为解决这些问题提供了一种可能的解决方案.本文综述了石墨烯作为场效应晶体管研究的进展，为解决石墨烯带隙为零、影响器件开关比的问题，采用了量子限域法、化学掺杂法、外加电场调节法和引入应力法.在光电器件研究方面，石墨烯可以均匀吸收所有频率的光，其光电性能也受到了广泛的关注，如光电探测器、光电调制器、太阳能电池等.同时，石墨烯作为典型的二维材料，其优越的电学性能以及超高的比表面积，使其作为高灵敏度传感器的研究成为纳米科学研究的前沿和热点领域.
石墨烯是一种由单层碳原子紧密排列而形成的具有蜂窝状结构的二维晶体材料，特殊的结构赋予了其优异的性能，如高载流子迁移率、电导率、热导率、力学强度以及量子反常霍尔效应.由于石墨烯优异的特性，迅速激起了人们对石墨烯研究以及应用的热情.石墨烯沉积或转移到硅片后，其器件构建与集成和传统硅基半导体工艺兼容.基于石墨烯的硅基器件与硅基器件的有机结合，可以大幅度提高半导体器件的综合性能.随着石墨烯制备工艺和转移技术的优化，硅基底石墨烯器件将呈现出潜在的、巨大的实际应用价值. 随着器件尺寸的纳米化，器件的发热、能耗等问题成为硅基器件与集成发展面临的瓶颈问题，石墨烯的出现为解决这些问题提供了一种可能的解决方案.本文综述了石墨烯作为场效应晶体管研究的进展，为解决石墨烯带隙为零、影响器件开关比的问题，采用了量子限域法、化学掺杂法、外加电场调节法和引入应力法.在光电器件研究方面，石墨烯可以均匀吸收所有频率的光，其光电性能也受到了广泛的关注，如光电探测器、光电调制器、太阳能电池等.同时，石墨烯作为典型的二维材料，其优越的电学性能以及超高的比表面积，使其作为高灵敏度传感器的研究成为纳米科学研究的前沿和热点领域.
2017, 66(21): 218501.
doi: 10.7498/aps.66.218501
摘要:
本文回顾了石墨烯霍尔传感器的相关研究工作.通过改善石墨烯生长转移和霍尔元件的微加工工艺，石墨烯霍尔元件和霍尔集成电路都展示出超越传统霍尔传感器的优异性能.石墨烯霍尔元件的灵敏度、分辨率、线性度和温度稳定性等重要指标都优于传统商用霍尔元件.通过开发一套钝化工艺，霍尔元件的稳定性有了明显提升.结合石墨烯材料的特点，展示了石墨烯在柔性磁传感和多功能传感领域的新颖应用.此外，成功实现了石墨烯/硅互补型金属-氧化物-半导体（CMOS）混合霍尔集成电路，并进行了应用展示.通过发展一套低温加工工艺（不超过180 ℃），将石墨烯霍尔元件制备在硅基CMOS芯片的钝化层上，从而与硅基CMOS电路实现了单片集成.本文的研究结果表明石墨烯在霍尔磁探测方向拥有重大的性能优势，在产业化应用中有巨大发展潜力.
本文回顾了石墨烯霍尔传感器的相关研究工作.通过改善石墨烯生长转移和霍尔元件的微加工工艺，石墨烯霍尔元件和霍尔集成电路都展示出超越传统霍尔传感器的优异性能.石墨烯霍尔元件的灵敏度、分辨率、线性度和温度稳定性等重要指标都优于传统商用霍尔元件.通过开发一套钝化工艺，霍尔元件的稳定性有了明显提升.结合石墨烯材料的特点，展示了石墨烯在柔性磁传感和多功能传感领域的新颖应用.此外，成功实现了石墨烯/硅互补型金属-氧化物-半导体（CMOS）混合霍尔集成电路，并进行了应用展示.通过发展一套低温加工工艺（不超过180 ℃），将石墨烯霍尔元件制备在硅基CMOS芯片的钝化层上，从而与硅基CMOS电路实现了单片集成.本文的研究结果表明石墨烯在霍尔磁探测方向拥有重大的性能优势，在产业化应用中有巨大发展潜力.
2017, 66(21): 218502.
doi: 10.7498/aps.66.218502
摘要:
石墨烯因具有优良的电学特性，在半导体行业中受到广泛关注，特别因其具有超薄的结构和极高的载流子迁移率，为解决短沟道效应提供了可能，并且在高速电子领域具有应用前景.近年来，使用石墨烯作为沟道材料制备射频晶体管及射频电路是发挥石墨烯材料优势的一个重要研究方向.制造高性能的射频器件，首先要制备出高性能的石墨烯材料.在金属衬底上沉积均匀的单层石墨烯材料或者在绝缘衬底上外延生长单层、双层石墨烯材料都是获得高质量石墨烯材料的常用方法.器件结构及工艺流程的设计也是提升晶体管射频性能的重要因素，多指栅结构、T型栅结构、埋栅结构以及自对准工艺的发展能够有效改善石墨烯射频晶体管的截止频率及最大振荡频率.石墨烯晶体管独特的电学特性使得其除了可以构造与其他半导体材料电路相似的射频电路结构，还可以构造出功能完整并且结构更加简单的新型射频电路结构.
石墨烯因具有优良的电学特性，在半导体行业中受到广泛关注，特别因其具有超薄的结构和极高的载流子迁移率，为解决短沟道效应提供了可能，并且在高速电子领域具有应用前景.近年来，使用石墨烯作为沟道材料制备射频晶体管及射频电路是发挥石墨烯材料优势的一个重要研究方向.制造高性能的射频器件，首先要制备出高性能的石墨烯材料.在金属衬底上沉积均匀的单层石墨烯材料或者在绝缘衬底上外延生长单层、双层石墨烯材料都是获得高质量石墨烯材料的常用方法.器件结构及工艺流程的设计也是提升晶体管射频性能的重要因素，多指栅结构、T型栅结构、埋栅结构以及自对准工艺的发展能够有效改善石墨烯射频晶体管的截止频率及最大振荡频率.石墨烯晶体管独特的电学特性使得其除了可以构造与其他半导体材料电路相似的射频电路结构，还可以构造出功能完整并且结构更加简单的新型射频电路结构.
2017, 66(21): 216804.
doi: 10.7498/aps.66.216804
摘要:
作为21世纪备受瞩目的材料，石墨烯兼具优异的电、热、光与力学性质，具有十分广阔的研究价值与应用价值.目前主要通过在金属基底上生长获得石墨烯，并将其转移至目标介电层基底上以构筑电子器件.转移过程不可避免地引入了褶皱、裂纹、破损以及聚合物/金属残留，严重损害了石墨烯的性能.因而直接在介电基底上制备高质量的石墨烯薄膜具有重要意义.本文总结了近年来在介电衬底上直接生长石墨烯的研究进展：阐述了金属辅助法、等离子体增强法以及热力学或动力学调控法等多种生长手段；介绍了多种介电/绝缘基底包括SiO2/Si，Al2O3，SrTiO3，h-BN，SiC，Si3N4以及玻璃表面生长石墨烯的特点与性能，分析了其可能的生长机理.根据拉曼谱图、薄层电阻、透光率、载流子迁移率等评估指标，将多种方法得到的石墨烯质量进行了总结与比较，并提出了直接在介电衬底上生成石墨烯的研究难点与趋势.
作为21世纪备受瞩目的材料，石墨烯兼具优异的电、热、光与力学性质，具有十分广阔的研究价值与应用价值.目前主要通过在金属基底上生长获得石墨烯，并将其转移至目标介电层基底上以构筑电子器件.转移过程不可避免地引入了褶皱、裂纹、破损以及聚合物/金属残留，严重损害了石墨烯的性能.因而直接在介电基底上制备高质量的石墨烯薄膜具有重要意义.本文总结了近年来在介电衬底上直接生长石墨烯的研究进展：阐述了金属辅助法、等离子体增强法以及热力学或动力学调控法等多种生长手段；介绍了多种介电/绝缘基底包括SiO2/Si，Al2O3，SrTiO3，h-BN，SiC，Si3N4以及玻璃表面生长石墨烯的特点与性能，分析了其可能的生长机理.根据拉曼谱图、薄层电阻、透光率、载流子迁移率等评估指标，将多种方法得到的石墨烯质量进行了总结与比较，并提出了直接在介电衬底上生成石墨烯的研究难点与趋势.
2017, 66(21): 216805.
doi: 10.7498/aps.66.216805
摘要:
硅烯是一种零能隙的狄拉克费米子材料，对其能带结构的有效调控进而打开带隙是硅烯进一步器件化的基础.而化学功能化是调控二维材料的结构和电子性质的一种有效方法.本文简要介绍了近几年在硅烯的化学功能化方面取得的进展，主要包括硅烯的氢化、氧化、氯化以及其他几种可能的化学修饰方法.
硅烯是一种零能隙的狄拉克费米子材料，对其能带结构的有效调控进而打开带隙是硅烯进一步器件化的基础.而化学功能化是调控二维材料的结构和电子性质的一种有效方法.本文简要介绍了近几年在硅烯的化学功能化方面取得的进展，主要包括硅烯的氢化、氧化、氯化以及其他几种可能的化学修饰方法.
2017, 66(21): 217201.
doi: 10.7498/aps.66.217201
摘要:
非局域测量方法由于其能够间接探测某些难以直接俘获的非平庸物理机理，近年来已逐渐成为凝聚态物理的研究热点之一.最近的实验在H形多端口石墨烯样品中发现了巨大的非局域电阻信号.在排除了经典欧姆、边缘态等可能的输运形式后，人们倾向于认为这类非局域电阻是由多端石墨烯系统中存在的自旋霍尔效益或谷霍尔效应所导致.借助于非平衡格林函数输运计算，目前的理论可以在同样的多端石墨烯体系中得到部分与实验符合较好的数值模拟结果.针对实验中发现的某些难以理解的、甚至与经典理论相矛盾的非局域电阻性质，例如非局域电阻相比局域电阻在偏离电中性点时的迅速衰减、出现在能隙中的非局域电阻峰值等，目前的理论研究取得了一定的进展，但对这些奇异现象的理解仍存在较大的争议.本综述详细回顾了多端口石墨烯体系中非局域电阻的相关实验，并针对性地介绍与之配套的理论进展及对未来研究的展望.
非局域测量方法由于其能够间接探测某些难以直接俘获的非平庸物理机理，近年来已逐渐成为凝聚态物理的研究热点之一.最近的实验在H形多端口石墨烯样品中发现了巨大的非局域电阻信号.在排除了经典欧姆、边缘态等可能的输运形式后，人们倾向于认为这类非局域电阻是由多端石墨烯系统中存在的自旋霍尔效益或谷霍尔效应所导致.借助于非平衡格林函数输运计算，目前的理论可以在同样的多端石墨烯体系中得到部分与实验符合较好的数值模拟结果.针对实验中发现的某些难以理解的、甚至与经典理论相矛盾的非局域电阻性质，例如非局域电阻相比局域电阻在偏离电中性点时的迅速衰减、出现在能隙中的非局域电阻峰值等，目前的理论研究取得了一定的进展，但对这些奇异现象的理解仍存在较大的争议.本综述详细回顾了多端口石墨烯体系中非局域电阻的相关实验，并针对性地介绍与之配套的理论进展及对未来研究的展望.
2017, 66(21): 217304.
doi: 10.7498/aps.66.217304
摘要:
报道了一种基于多层六角氮化硼（h-BN）二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程，且具有自限流的双极性阻变行为；具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变特性，即在连续的电压脉冲下器件的电阻态能被连续地调控，使得该器件能够模仿神经网络系统中的神经突触权重变化行为.综上所述，基于多层h-BN的忆阻器具有应用在非易失性存储和神经计算中的潜力.
报道了一种基于多层六角氮化硼（h-BN）二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程，且具有自限流的双极性阻变行为；具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变特性，即在连续的电压脉冲下器件的电阻态能被连续地调控，使得该器件能够模仿神经网络系统中的神经突触权重变化行为.综上所述，基于多层h-BN的忆阻器具有应用在非易失性存储和神经计算中的潜力.
2017, 66(21): 217305.
doi: 10.7498/aps.66.217305
摘要:
石墨烯作为一种拥有高电子迁移率和高饱和速度的二维材料，在射频电子学领域具有很大的应用潜力，引起了人们广泛的研究兴趣.近些年随着化学气相沉积制备石墨烯技术的发展，高质量大尺寸的单晶石墨烯生长技术也愈加成熟.本文基于化学气相沉积生长的毫米级单晶石墨烯，在高介电常数介质上制备出高性能的石墨烯倍频器，并且对其倍频特性做了系统的研究.研究结果表明：在输入信号频率为1 GHz时，倍频增益可以达到-23.4 dB，频谱纯度可以达到94%.研究了不同漏极偏压以及输入信号功率下倍频增益的变化特性，随着漏极偏压以及输入信号功率的增加，倍频增益增加.对具有不同跨导和电子空穴电导对称性的器件的倍频增益和频谱纯度随输入信号频率fin的变化关系进行了研究.结果表明，跨导对于倍频增益影响显著，在fin=1 GHz时器件的频谱纯度差别不大，均大于90%，但是随着fin增加至4 GHz，电子空穴电导对称性较差的器件频谱纯度下降至42%，电子空穴电导对称性较好的器件仍能保持85%的频谱纯度.这是电子空穴电导对称性和电子空穴响应速度共同作用的结果.本文的研究结果对于高性能石墨烯倍频器设计具有一定的指导意义.
石墨烯作为一种拥有高电子迁移率和高饱和速度的二维材料，在射频电子学领域具有很大的应用潜力，引起了人们广泛的研究兴趣.近些年随着化学气相沉积制备石墨烯技术的发展，高质量大尺寸的单晶石墨烯生长技术也愈加成熟.本文基于化学气相沉积生长的毫米级单晶石墨烯，在高介电常数介质上制备出高性能的石墨烯倍频器，并且对其倍频特性做了系统的研究.研究结果表明：在输入信号频率为1 GHz时，倍频增益可以达到-23.4 dB，频谱纯度可以达到94%.研究了不同漏极偏压以及输入信号功率下倍频增益的变化特性，随着漏极偏压以及输入信号功率的增加，倍频增益增加.对具有不同跨导和电子空穴电导对称性的器件的倍频增益和频谱纯度随输入信号频率fin的变化关系进行了研究.结果表明，跨导对于倍频增益影响显著，在fin=1 GHz时器件的频谱纯度差别不大，均大于90%，但是随着fin增加至4 GHz，电子空穴电导对称性较差的器件频谱纯度下降至42%，电子空穴电导对称性较好的器件仍能保持85%的频谱纯度.这是电子空穴电导对称性和电子空穴响应速度共同作用的结果.本文的研究结果对于高性能石墨烯倍频器设计具有一定的指导意义.
2017, 66(21): 217702.
doi: 10.7498/aps.66.217702
摘要:
随着石墨烯研究的兴起，二维纳米材料得以迅速发展.在众多的二维纳米材料中，硼烯和碱土金属硼化物二维材料由于具有高费米速度、高杨氏模量、高透光性、高延展性、高度的各向异性、大的泊松比和高的化学稳定性等独特的性质，成为研究人员关注的焦点.本文侧重介绍目前硼烯和碱土金属硼化物二维纳米材料的制备工艺、结构、物性和应用情况.首先总结了目前硼烯的主要结构构型和制备及掺杂工艺；其次介绍了碱土金属硼化物二维纳米材料的理论结构构型和可能的制备路线；最后对硼烯和二维碱土金属硼化物纳米材料的物理特性进行归纳总结，同时预测它们未来最可能实现应用的领域.
随着石墨烯研究的兴起，二维纳米材料得以迅速发展.在众多的二维纳米材料中，硼烯和碱土金属硼化物二维材料由于具有高费米速度、高杨氏模量、高透光性、高延展性、高度的各向异性、大的泊松比和高的化学稳定性等独特的性质，成为研究人员关注的焦点.本文侧重介绍目前硼烯和碱土金属硼化物二维纳米材料的制备工艺、结构、物性和应用情况.首先总结了目前硼烯的主要结构构型和制备及掺杂工艺；其次介绍了碱土金属硼化物二维纳米材料的理论结构构型和可能的制备路线；最后对硼烯和二维碱土金属硼化物纳米材料的物理特性进行归纳总结，同时预测它们未来最可能实现应用的领域.
2017, 66(21): 218103.
doi: 10.7498/aps.66.218103
摘要:
石墨烯由于其独特的晶体结构展现出了特殊的电学特性，其导带与价带相交于第一布里渊区的六个顶点处，形成带隙为零的半金属材料，具有优异的电子传输特性的同时也限制了其在电子学器件中的使用.因而科研人员尝试各种方法来打开其带隙并调控其能带特性，主要有利用缺陷、应力、掺杂、表面吸附、结构调控等手段.其中石墨烯纳米带由于量子边界效应和限制效应，存在带隙.本综述主要介绍了制备各类石墨烯纳米带的方法，并通过精确调控其细微结构，从而对其进行精确的能带调控，改变其电学特性，为其在电子学器件中的应用提供一些可行的方向.
石墨烯由于其独特的晶体结构展现出了特殊的电学特性，其导带与价带相交于第一布里渊区的六个顶点处，形成带隙为零的半金属材料，具有优异的电子传输特性的同时也限制了其在电子学器件中的使用.因而科研人员尝试各种方法来打开其带隙并调控其能带特性，主要有利用缺陷、应力、掺杂、表面吸附、结构调控等手段.其中石墨烯纳米带由于量子边界效应和限制效应，存在带隙.本综述主要介绍了制备各类石墨烯纳米带的方法，并通过精确调控其细微结构，从而对其进行精确的能带调控，改变其电学特性，为其在电子学器件中的应用提供一些可行的方向.
2017, 66(21): 217802.
doi: 10.7498/aps.66.217802
摘要:
近年来硅基光子学已经慢慢走向成熟，它被认为是未来取代电子集成电路，实现下一代更高性能的光子集成电路的关键技术.这得益于硅基光子器件与现代的互补金属氧化物半导体工艺相兼容，能够实现廉价的大规模集成.然而，由于受硅材料本身的光电特性所限，在硅基平台上实现高性能的有源器件仍然存在着巨大挑战.石墨烯-硅基混合光子集成电路的发展为解决这一问题提供了可行的方案.这得益于石墨烯作为一种兼具高载流子迁移率、高电光系数和宽带吸收等优点的二维光电材料，能够方便地与现有硅基器件相集成，并充分发挥自身的光电性能优势.本文结合我们课题组在该领域研究的一些最新成果，介绍了国际上在石墨烯-硅基混合光子集成电路上的一些重要研究进展，涵盖了光源、光波导、光调制器和光探测器四个重要组成部分.
近年来硅基光子学已经慢慢走向成熟，它被认为是未来取代电子集成电路，实现下一代更高性能的光子集成电路的关键技术.这得益于硅基光子器件与现代的互补金属氧化物半导体工艺相兼容，能够实现廉价的大规模集成.然而，由于受硅材料本身的光电特性所限，在硅基平台上实现高性能的有源器件仍然存在着巨大挑战.石墨烯-硅基混合光子集成电路的发展为解决这一问题提供了可行的方案.这得益于石墨烯作为一种兼具高载流子迁移率、高电光系数和宽带吸收等优点的二维光电材料，能够方便地与现有硅基器件相集成，并充分发挥自身的光电性能优势.本文结合我们课题组在该领域研究的一些最新成果，介绍了国际上在石墨烯-硅基混合光子集成电路上的一些重要研究进展，涵盖了光源、光波导、光调制器和光探测器四个重要组成部分.
2017, 66(21): 218101.
doi: 10.7498/aps.66.218101
摘要:
石墨烯是一种具有优异性质，在光电及能源领域具有巨大应用前景的二维材料.尽管单层石墨烯具有超高的迁移率，但是它的能带结构具有狄拉克锥（K点），即价带和导带并未有明显分离，所以在半导体器件方面的应用受到一定的限制.由双层石墨烯搭建而成的双门器件，在施加外加电场的情况下，它的带隙可以打开，并在一定范围内可调，这种性质赋予了双层石墨烯在半导体器件应用方面的前景.然而机械或者液相剥离石墨烯，在层数和大小方面可控性较差.如何通过化学气相沉积法可控制备双层石墨烯是目前研究的核心问题之一.本文主要综述了如何通过化学气相沉积法制备双层石墨烯和制备双层石墨烯器件的一系列工作，其中包括最新的研究进展，对生长机理的研究做了详细的介绍和讨论，并对该领域的发展进行了展望.
石墨烯是一种具有优异性质，在光电及能源领域具有巨大应用前景的二维材料.尽管单层石墨烯具有超高的迁移率，但是它的能带结构具有狄拉克锥（K点），即价带和导带并未有明显分离，所以在半导体器件方面的应用受到一定的限制.由双层石墨烯搭建而成的双门器件，在施加外加电场的情况下，它的带隙可以打开，并在一定范围内可调，这种性质赋予了双层石墨烯在半导体器件应用方面的前景.然而机械或者液相剥离石墨烯，在层数和大小方面可控性较差.如何通过化学气相沉积法可控制备双层石墨烯是目前研究的核心问题之一.本文主要综述了如何通过化学气相沉积法制备双层石墨烯和制备双层石墨烯器件的一系列工作，其中包括最新的研究进展，对生长机理的研究做了详细的介绍和讨论，并对该领域的发展进行了展望.
2017, 66(21): 218503.
doi: 10.7498/aps.66.218503
摘要:
微电子器件沿摩尔定律持续发展超过50年，正面临着高功耗等挑战.二维层状材料可以将载流子限制在界面1 nm的空间内，部分材料展现出高迁移率、能带可调、拓扑奇异性等特点，有望给后摩尔时代微电子器件带来新的技术变革.其中，以MoS2为代表的过渡金属硫化物具有12 eV的带隙、良好的空气稳定性和工艺兼容性，在逻辑集成方面有巨大潜力.本文综述了二维过渡金属硫化物在逻辑器件领域的研究进展，重点讨论电子输运机理、迁移率、接触电阻等关键问题及集成技术的现状，并为今后的发展指出了方向.
微电子器件沿摩尔定律持续发展超过50年，正面临着高功耗等挑战.二维层状材料可以将载流子限制在界面1 nm的空间内，部分材料展现出高迁移率、能带可调、拓扑奇异性等特点，有望给后摩尔时代微电子器件带来新的技术变革.其中，以MoS2为代表的过渡金属硫化物具有12 eV的带隙、良好的空气稳定性和工艺兼容性，在逻辑集成方面有巨大潜力.本文综述了二维过渡金属硫化物在逻辑器件领域的研究进展，重点讨论电子输运机理、迁移率、接触电阻等关键问题及集成技术的现状，并为今后的发展指出了方向.
2017, 66(21): 210501.
doi: 10.7498/aps.66.210501
摘要:
根据混沌吸引子的自相似分形特性，提出了一种利用协同滤波重构受污染混沌信号的降噪算法.所设计的降噪算法通过对相似片段的分组将一维混沌信号的降噪转化为一个二维联合滤波问题；然后，在二维变换域用阈值法衰减噪声；最后，通过反变换获得原始信号的估计.由于分组中的相似片段具有良好的相关性，与直接在一维变换域做阈值降噪相比，分组的二维变换能获得原信号更稀疏的表示，更好地抑制噪声.仿真结果表明，该算法对原始混沌信号的重构精度和信噪比的提升都优于小波阈值、局部曲线拟合等现有的混沌信号降噪方法，对相图的还原质量也更好.
根据混沌吸引子的自相似分形特性，提出了一种利用协同滤波重构受污染混沌信号的降噪算法.所设计的降噪算法通过对相似片段的分组将一维混沌信号的降噪转化为一个二维联合滤波问题；然后，在二维变换域用阈值法衰减噪声；最后，通过反变换获得原始信号的估计.由于分组中的相似片段具有良好的相关性，与直接在一维变换域做阈值降噪相比，分组的二维变换能获得原信号更稀疏的表示，更好地抑制噪声.仿真结果表明，该算法对原始混沌信号的重构精度和信噪比的提升都优于小波阈值、局部曲线拟合等现有的混沌信号降噪方法，对相图的还原质量也更好.
2017, 66(21): 210502.
doi: 10.7498/aps.66.210502
摘要:
时间序列复杂网络分析近些年已发展成为非线性信号分析领域的一个国际热点课题.为了能更有效地挖掘时间序列（特别是非线性时间序列）中的结构特征，同时简化时间序列分析的复杂度，提出了一种新的基于时间序列符号化结合滑窗技术模式表征的有向加权复杂网络建网方法.该方法首先按照等概率区段划分的方式将时间序列做符号化处理，结合滑窗技术确定不同时刻的符号化模式作为网络的节点；然后将待分析时间序列符号化模式的转换频次和方向作为网络连边的权重和方向，从而建立时间序列有向加权复杂网络.通过对Logistic系统不同参数设置对应的时间序列复杂网络建网测试结果表明，相比经典的可视图建网方法，本文方法的网络拓扑能更简洁、直观地展示时间序列的结构特征.进而，将本文方法应用于规则排列采集的自然风场信号分析，其网络特性指标能较准确地预测采集信号的排布规律，而可视图建网方法的网络特性指标没有任何规律性的结果.
时间序列复杂网络分析近些年已发展成为非线性信号分析领域的一个国际热点课题.为了能更有效地挖掘时间序列（特别是非线性时间序列）中的结构特征，同时简化时间序列分析的复杂度，提出了一种新的基于时间序列符号化结合滑窗技术模式表征的有向加权复杂网络建网方法.该方法首先按照等概率区段划分的方式将时间序列做符号化处理，结合滑窗技术确定不同时刻的符号化模式作为网络的节点；然后将待分析时间序列符号化模式的转换频次和方向作为网络连边的权重和方向，从而建立时间序列有向加权复杂网络.通过对Logistic系统不同参数设置对应的时间序列复杂网络建网测试结果表明，相比经典的可视图建网方法，本文方法的网络拓扑能更简洁、直观地展示时间序列的结构特征.进而，将本文方法应用于规则排列采集的自然风场信号分析，其网络特性指标能较准确地预测采集信号的排布规律，而可视图建网方法的网络特性指标没有任何规律性的结果.
2017, 66(21): 213201.
doi: 10.7498/aps.66.213201
摘要:
主要研究超冷铯Rydberg原子阶梯型三能级系统的Autler-Townes（A-T）分裂.铯原子基态6S1/2、第一激发态6P3/2和Rydberg态形成阶梯型三能级系统，强耦合光共振作用于6P3/2（F'=5）34D5/2的跃迁，探测光由偏振光谱锁定在6S1/2（F=4）6P3/2（F'=5）的跃迁，并由双通的声光调制器在其共振跃迁附近扫描，形成的Rydberg原子A-T分裂谱由单光子计数器探测.A-T光谱的双峰间距与耦合光的拉比频率成正比，实验结果与理论计算在耦合光拉比频率c29 MHz时符合得很好，在拉比频率c29 MHz时，测量的A-T分裂比理论计算值小13%.产生偏差的主要原因是由于较大的耦合光拉比频率c增加了激发的Rydberg原子数，Rydberg原子间的相互作用产生了较大的退相干率所致.
主要研究超冷铯Rydberg原子阶梯型三能级系统的Autler-Townes（A-T）分裂.铯原子基态6S1/2、第一激发态6P3/2和Rydberg态形成阶梯型三能级系统，强耦合光共振作用于6P3/2（F'=5）34D5/2的跃迁，探测光由偏振光谱锁定在6S1/2（F=4）6P3/2（F'=5）的跃迁，并由双通的声光调制器在其共振跃迁附近扫描，形成的Rydberg原子A-T分裂谱由单光子计数器探测.A-T光谱的双峰间距与耦合光的拉比频率成正比，实验结果与理论计算在耦合光拉比频率c29 MHz时符合得很好，在拉比频率c29 MHz时，测量的A-T分裂比理论计算值小13%.产生偏差的主要原因是由于较大的耦合光拉比频率c增加了激发的Rydberg原子数，Rydberg原子间的相互作用产生了较大的退相干率所致.
2017, 66(21): 213301.
doi: 10.7498/aps.66.213301
摘要:
基于最近实验工作的结果（2010 Nat.Phys. 6 265）即Danzl等在五能级M型级联系统中分别利用连续型和四光子型受激拉曼绝热通道（stimulated Raman adiabatic passage，STIRAP）实现了将Feshbach态上弱束缚的Cs2有效转移到其振转基态，本文理论研究了两种STIRAP方案实施的基本条件，解析推导系统的准暗态、绝热参数的具体形式并分析其存在的必要性，详细讨论布居转移效率对相关参量的依赖关系.通过比较激光脉冲的时序、中间能级的失谐量和自发辐射率、光场脉冲的幅值等诸多参量的不同影响，讨论方案各自的优缺点，找到了参量优化的方法以实现最高效的粒子布居数转移.与前人的实验结果相比，本文研究表明，实验观测值（约0.60）均低于理论预估最佳值（约0.97）的主要原因是受限于激发态能级的自发辐射率过大.该理论方案还可用于制备量子纠缠态，在量子逻辑门操控、量子信息传输等领域都有潜在的应用.
基于最近实验工作的结果（2010 Nat.Phys. 6 265）即Danzl等在五能级M型级联系统中分别利用连续型和四光子型受激拉曼绝热通道（stimulated Raman adiabatic passage，STIRAP）实现了将Feshbach态上弱束缚的Cs2有效转移到其振转基态，本文理论研究了两种STIRAP方案实施的基本条件，解析推导系统的准暗态、绝热参数的具体形式并分析其存在的必要性，详细讨论布居转移效率对相关参量的依赖关系.通过比较激光脉冲的时序、中间能级的失谐量和自发辐射率、光场脉冲的幅值等诸多参量的不同影响，讨论方案各自的优缺点，找到了参量优化的方法以实现最高效的粒子布居数转移.与前人的实验结果相比，本文研究表明，实验观测值（约0.60）均低于理论预估最佳值（约0.97）的主要原因是受限于激发态能级的自发辐射率过大.该理论方案还可用于制备量子纠缠态，在量子逻辑门操控、量子信息传输等领域都有潜在的应用.
2017, 66(21): 214301.
doi: 10.7498/aps.66.214301
摘要:
应用频率域逆时偏移方法实现各向同性和各向异性板中缺陷的兰姆波成像.由于缺陷引起的多模态散射信号会在重建图像中形成伪像，根据基本导波模式振动对称性的差别进行了模式分离预处理.基于多元阵列超声技术，开展了铝板和复合板内缺陷频率域逆时偏移超声成像方法的数值仿真研究.首先，建立有限元模型，采用环形传感器数值采集由缺陷引起的兰姆波散射信号，然后，将采集到的多模式散射信号进行模式分离处理，再将模式分离后的兰姆波散射信号经时间反转后并在相应的接收器处重新激励，在频域中运用格林函数反向传播兰姆波散射信号，获取监测区域的声场信息，与正向传播声场进行互相关，重建缺陷图像.首先对铝板中单缺陷以及复合材料板中相邻的两个相同缺陷进行数值仿真，对比有无模式分离处理的缺陷逆时偏移成像效果，体现出模式分离的重要性.在此基础上，采用逆时偏移方法对复合板材内位置邻近、深度不同的双缺陷进行识别.数值结果表明，模式分离预处理后的缺陷重建图像能够有效去除多模式干扰产生的伪像.文中提出的成像方法对各向同性板和各向异性板内缺陷的检测和成像具有很好的发展潜力，可以准确地探测多个缺陷的形状、尺寸和深度.
应用频率域逆时偏移方法实现各向同性和各向异性板中缺陷的兰姆波成像.由于缺陷引起的多模态散射信号会在重建图像中形成伪像，根据基本导波模式振动对称性的差别进行了模式分离预处理.基于多元阵列超声技术，开展了铝板和复合板内缺陷频率域逆时偏移超声成像方法的数值仿真研究.首先，建立有限元模型，采用环形传感器数值采集由缺陷引起的兰姆波散射信号，然后，将采集到的多模式散射信号进行模式分离处理，再将模式分离后的兰姆波散射信号经时间反转后并在相应的接收器处重新激励，在频域中运用格林函数反向传播兰姆波散射信号，获取监测区域的声场信息，与正向传播声场进行互相关，重建缺陷图像.首先对铝板中单缺陷以及复合材料板中相邻的两个相同缺陷进行数值仿真，对比有无模式分离处理的缺陷逆时偏移成像效果，体现出模式分离的重要性.在此基础上，采用逆时偏移方法对复合板材内位置邻近、深度不同的双缺陷进行识别.数值结果表明，模式分离预处理后的缺陷重建图像能够有效去除多模式干扰产生的伪像.文中提出的成像方法对各向同性板和各向异性板内缺陷的检测和成像具有很好的发展潜力，可以准确地探测多个缺陷的形状、尺寸和深度.
2017, 66(21): 215201.
doi: 10.7498/aps.66.215201
摘要:
Z箍缩动态黑腔能够高效地将Z箍缩丝阵等离子体动能转换为黑腔辐射能，为驱动惯性约束靶丸聚变提供高品质的X射线辐射场.利用一维双温多群辐射磁流体力学程序MULTI-IFE，研究了聚龙一号装置驱动电流条件下的Z箍缩动态黑腔形成基本物理过程.数值模拟结果表明，在动态黑腔形成过程中，辐射热波的传播速度比冲击波的传播速度更快，比冲击波更早到达泡沫中心，使中心区域的泡沫在冲击波到达前就已具有较高的辐射温度.对于聚龙一号装置动态黑腔实验0180发次采用的负载参数，辐射热波和冲击波在泡沫中的传播速度分别约为36.1 cm/s和17.6 cm/s，黑腔辐射温度在黑腔形成初期约80 eV，在冲击波到达泡沫中心前可达100 eV以上，丝阵等离子体外表面发射的X射线能量集中在1000 eV以下.本文给出了程序采用的计算模型、美国土星装置丝阵内爆计算结果和聚龙一号装置动态黑腔实验0180发次模拟结果.
Z箍缩动态黑腔能够高效地将Z箍缩丝阵等离子体动能转换为黑腔辐射能，为驱动惯性约束靶丸聚变提供高品质的X射线辐射场.利用一维双温多群辐射磁流体力学程序MULTI-IFE，研究了聚龙一号装置驱动电流条件下的Z箍缩动态黑腔形成基本物理过程.数值模拟结果表明，在动态黑腔形成过程中，辐射热波的传播速度比冲击波的传播速度更快，比冲击波更早到达泡沫中心，使中心区域的泡沫在冲击波到达前就已具有较高的辐射温度.对于聚龙一号装置动态黑腔实验0180发次采用的负载参数，辐射热波和冲击波在泡沫中的传播速度分别约为36.1 cm/s和17.6 cm/s，黑腔辐射温度在黑腔形成初期约80 eV，在冲击波到达泡沫中心前可达100 eV以上，丝阵等离子体外表面发射的X射线能量集中在1000 eV以下.本文给出了程序采用的计算模型、美国土星装置丝阵内爆计算结果和聚龙一号装置动态黑腔实验0180发次模拟结果.
2017, 66(21): 216101.
doi: 10.7498/aps.66.216101
摘要:
利用可描述气-固转变的三模晶体相场模型，在原子尺度上研究了不同衬底条件下石墨烯结构的形核过程.结果表明：无论衬底存在与否，气态原子均是先聚集为无定形过渡态团簇，随着气态原子的不断堆积和固相团簇中原子位置的不断调整，过渡态团簇逐渐转变为有序的石墨烯晶核，在此过程中，五元环结构具有重要的过渡作用；石墨烯在结构匹配较好的衬底（如面心立方（face-centered cubic，FCC）结构（111）和（110））上生长时，可形成几乎没有结构缺陷单晶石墨烯岛；在无衬底或结构匹配性较差的衬底（如FCC结构（100）面）上生长时，形成的石墨烯岛结构缺陷和晶界较多，不利于高质量石墨烯的制备.
利用可描述气-固转变的三模晶体相场模型，在原子尺度上研究了不同衬底条件下石墨烯结构的形核过程.结果表明：无论衬底存在与否，气态原子均是先聚集为无定形过渡态团簇，随着气态原子的不断堆积和固相团簇中原子位置的不断调整，过渡态团簇逐渐转变为有序的石墨烯晶核，在此过程中，五元环结构具有重要的过渡作用；石墨烯在结构匹配较好的衬底（如面心立方（face-centered cubic，FCC）结构（111）和（110））上生长时，可形成几乎没有结构缺陷单晶石墨烯岛；在无衬底或结构匹配性较差的衬底（如FCC结构（100）面）上生长时，形成的石墨烯岛结构缺陷和晶界较多，不利于高质量石墨烯的制备.
2017, 66(21): 216102.
doi: 10.7498/aps.66.216102
摘要:
三轴X射线衍射技术广泛应用于半导体材料参数的精确测试，然而应用于纤锌矿n-GaN位错密度的测试却可能隐藏极大的误差.本文采用三轴X射线衍射技术测试了两个氢化物气相外延方法生长的n-GaN样品，发现两样品对应衍射面的半高全宽都基本一致，按照镶嵌结构模型，采用Srikant方法或Williamson-Hall方法，两样品的位错密度也应基本一致.但van der Pauw变温霍尔效应测试表明，其中的非故意掺杂样品是莫特相变材料，而掺Si样品则是非莫特相变材料，位错密度有数量级的差别.实验表明，位错沿晶界生长导致的晶粒尺寸效应，表现为三轴X射线衍射技术检测不到晶界晶格畸变区域的位错，给测试带来极大误差，这对正确使用Srikant方法和Williamson-Hall方法提出了测试要求.分析表明，当扭转角与倾转角之比twist/tilt 2.0时，Srikant方法是准确的，否则需进一步由Williamson-Hall方法确定晶粒大小（面内共格长度L//），当L// 1.5 m时，Srikant方法是准确的.
三轴X射线衍射技术广泛应用于半导体材料参数的精确测试，然而应用于纤锌矿n-GaN位错密度的测试却可能隐藏极大的误差.本文采用三轴X射线衍射技术测试了两个氢化物气相外延方法生长的n-GaN样品，发现两样品对应衍射面的半高全宽都基本一致，按照镶嵌结构模型，采用Srikant方法或Williamson-Hall方法，两样品的位错密度也应基本一致.但van der Pauw变温霍尔效应测试表明，其中的非故意掺杂样品是莫特相变材料，而掺Si样品则是非莫特相变材料，位错密度有数量级的差别.实验表明，位错沿晶界生长导致的晶粒尺寸效应，表现为三轴X射线衍射技术检测不到晶界晶格畸变区域的位错，给测试带来极大误差，这对正确使用Srikant方法和Williamson-Hall方法提出了测试要求.分析表明，当扭转角与倾转角之比twist/tilt 2.0时，Srikant方法是准确的，否则需进一步由Williamson-Hall方法确定晶粒大小（面内共格长度L//），当L// 1.5 m时，Srikant方法是准确的.
2017, 66(21): 216801.
doi: 10.7498/aps.66.216801
摘要:
为了研究给定的NiTi的表面氧化过程，在保持体系中Ni和Ti原子总数相等的条件下，构建了一系列Ti原子在表面反位的c（22）-NiTi（110）缺陷体系，并利用第一性原理计算研究了氧原子在各种NiTi（110）反位缺陷体系的吸附行为以及表面形成能.计算结果表明：吸附氧原子的稳定性与表面Ti原子的富集程度有很大的关联性，体系表面Ti原子富集程度越高，氧原子吸附的稳定性越高；当覆盖度较高时，由于氧原子的吸附，可使Ni和Ti原子在表面出现反位.在富氧条件（O -9.35 eV）下，氧原子在表面第1层中的全部Ni原子与第3层全部Ti换位的反位缺陷体系上的吸附最稳定，此时随着氧原子的吸附，表面上的Ti原子升高，导致向上膨胀生长形成二氧化钛层，且在其下方形成富Ni层，由此可合理地解释实验上发现NiTi合金氧化形成二氧化钛层的可能原因.
为了研究给定的NiTi的表面氧化过程，在保持体系中Ni和Ti原子总数相等的条件下，构建了一系列Ti原子在表面反位的c（22）-NiTi（110）缺陷体系，并利用第一性原理计算研究了氧原子在各种NiTi（110）反位缺陷体系的吸附行为以及表面形成能.计算结果表明：吸附氧原子的稳定性与表面Ti原子的富集程度有很大的关联性，体系表面Ti原子富集程度越高，氧原子吸附的稳定性越高；当覆盖度较高时，由于氧原子的吸附，可使Ni和Ti原子在表面出现反位.在富氧条件（O -9.35 eV）下，氧原子在表面第1层中的全部Ni原子与第3层全部Ti换位的反位缺陷体系上的吸附最稳定，此时随着氧原子的吸附，表面上的Ti原子升高，导致向上膨胀生长形成二氧化钛层，且在其下方形成富Ni层，由此可合理地解释实验上发现NiTi合金氧化形成二氧化钛层的可能原因.
2017, 66(21): 217101.
doi: 10.7498/aps.66.217101
摘要:
基于密度泛函理论的广义梯度近似法，对用化学气相沉积法在蓝宝石（-Al2O3）（0001）表面上生长石墨烯进行理论研究.研究结果表明：CH4在-Al2O3（0001）表面上的分解是吸热过程，由CH4完全分解出C需要较高能量及反应能垒，这些因素不利于C在衬底表面的存在.在-Al2O3（0001）表面，石墨烯形核的活跃因子并不是通常认为的C原子，而是CH基团.通过CH基团在-Al2O3（0001）表面上的迁移聚集首先形成能量较低的（CH）x结构.模拟研究（CH）x对揭示后续石墨烯的形核生长机理具有重要意义.
基于密度泛函理论的广义梯度近似法，对用化学气相沉积法在蓝宝石（-Al2O3）（0001）表面上生长石墨烯进行理论研究.研究结果表明：CH4在-Al2O3（0001）表面上的分解是吸热过程，由CH4完全分解出C需要较高能量及反应能垒，这些因素不利于C在衬底表面的存在.在-Al2O3（0001）表面，石墨烯形核的活跃因子并不是通常认为的C原子，而是CH基团.通过CH基团在-Al2O3（0001）表面上的迁移聚集首先形成能量较低的（CH）x结构.模拟研究（CH）x对揭示后续石墨烯的形核生长机理具有重要意义.
2017, 66(21): 217501.
doi: 10.7498/aps.66.217501
摘要:
建立了多铁纳磁体择多逻辑门的三维磁化动态模型，并施加应变时钟（应力或电压）对多铁择多逻辑门的择多计算功能进行了动态仿真，同时分析了应变时钟工作机制以及它与择多逻辑门可靠转换之间的关系.仿真结果表明所建三维动态模型准确地描述了择多逻辑门的工作机制，在30 MPa应力作用下，择多逻辑门接受新输入实现了正确的择多计算功能.研究还发现对中心纳磁体和输出纳磁体依次撤去应变时钟时，提前撤去输出纳磁体上的应力会降低择多逻辑门的正确计算概率，而延迟撤去输出纳磁体上的应力会降低择多逻辑门的工作频率.研究结果深化了人们对多铁择多逻辑门动态特性的认识，可为多铁逻辑电路的设计提供重要指导.
建立了多铁纳磁体择多逻辑门的三维磁化动态模型，并施加应变时钟（应力或电压）对多铁择多逻辑门的择多计算功能进行了动态仿真，同时分析了应变时钟工作机制以及它与择多逻辑门可靠转换之间的关系.仿真结果表明所建三维动态模型准确地描述了择多逻辑门的工作机制，在30 MPa应力作用下，择多逻辑门接受新输入实现了正确的择多计算功能.研究还发现对中心纳磁体和输出纳磁体依次撤去应变时钟时，提前撤去输出纳磁体上的应力会降低择多逻辑门的正确计算概率，而延迟撤去输出纳磁体上的应力会降低择多逻辑门的工作频率.研究结果深化了人们对多铁择多逻辑门动态特性的认识，可为多铁逻辑电路的设计提供重要指导.
2017, 66(21): 217701.
doi: 10.7498/aps.66.217701
摘要:
基于氧空位在金属氧化物内部迁移的微观机理，利用蒙特卡罗方法建立了一种新型的可模拟金属氧化物介质时变击穿的模拟工具.利用建立的模拟工具研究了界面形成氧空位迁移功函数对介质层击穿行为的影响.该工具可应用于金属氧化物半导体晶体管栅介质击穿研究并准确评估其可靠性.
基于氧空位在金属氧化物内部迁移的微观机理，利用蒙特卡罗方法建立了一种新型的可模拟金属氧化物介质时变击穿的模拟工具.利用建立的模拟工具研究了界面形成氧空位迁移功函数对介质层击穿行为的影响.该工具可应用于金属氧化物半导体晶体管栅介质击穿研究并准确评估其可靠性.
2017, 66(21): 217801.
doi: 10.7498/aps.66.217801
摘要:
研究了基于不同偏振组合的非对称4束和5束光干涉制备二维微纳光子结构.通过改变光束的参数组合获得了枝节状、波形状等结构.在非对称光束干涉中，光束的构型和偏振改变了波矢差分布，从而改变晶格形貌和对比度.利用CHP-C感光胶开展了全息光刻实验制备，获得了与模拟一致的光子结构.该研究为制备新颖光子结构提供了有效途径，此类光子结构还可以为制备不同类型的金属点阵结构提供模板，对新型光子器件的制备和应用研究具有一定的促进作用.
研究了基于不同偏振组合的非对称4束和5束光干涉制备二维微纳光子结构.通过改变光束的参数组合获得了枝节状、波形状等结构.在非对称光束干涉中，光束的构型和偏振改变了波矢差分布，从而改变晶格形貌和对比度.利用CHP-C感光胶开展了全息光刻实验制备，获得了与模拟一致的光子结构.该研究为制备新颖光子结构提供了有效途径，此类光子结构还可以为制备不同类型的金属点阵结构提供模板，对新型光子器件的制备和应用研究具有一定的促进作用.
