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在深入分析BF+2注入多晶硅栅F在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了F在多晶硅栅中的迁移方程.采用有限差分法，模拟了BF+2注入多晶硅栅F在多晶硅栅中的分布.模拟结果与二次离子质谱(SIMS)分析结果相符.给出了80keV，2×1015cm-2 BF+2注入多晶硅栅900℃，30min退火条件下F在多晶硅中的发射系数e=6×10The migration equation of fluorine in polycrystalline silicon gate is presented on the basis of analysis for the migration characteristics of fluorine in polycrystalline silicon gate after BF+2 is implanted into polycrystalline silicon gate.The distribution of fluorine in polycrystalline silicon gate is simulated by the finite difference methods.The simulation results are in good agreement with the experiments.Under the condition of 80keV,2×1015cm-2BF+2 implanted into polycrystalline Si gate and then annealed at 900℃ for 30s,some important coefficients are given as follows: emisson coefficient of fluorine in polycrystalline silicon e=6×10-2s-1,diffusion coefficient of fluorine in grain boundary Db=7.64×10-12cm/s,absorption coefficient of fluorine in polycrystalline Si/SiO2 interface S1=1.74×10-3s-1 and damage absorption coefficient of fluorine in polycrystalline silicon S1=7.32×10-4s-1.
[1] 易恩魁, 王彬, 沈韩, 沈冰. 轴子拓扑绝缘体候选材料层状 ${\bf{Eu}}_{ 1- x}{\bf{Ca}}_{ x}{\bf{In}}_{\bf2}{\bf{As}}_{\bf2}$ 的物性研究. , 2021, 70(12): 127502. doi: 10.7498/aps.70.20210042[2] 赵文丽, 王永刚, 张路路, 岳大光, 孟庆田. 基于新CH2( ${\tilde {\bf{X}}{}^3}{\bf{A''}}$ )势能面的${\bf C}{\bf({}^3}{\bf{P})} + {\bf{H}_2(}{\bf X^1}\Sigma _{\bf g}^ + {\bf )} $ $ \to {\bf H({}^2}{\bf S}) + {\bf CH}{(\bf{}^2}\Pi ) $ 反应量子波包动力学. , 2020, 69(8): 083401. doi: 10.7498/aps.69.20200132[3] 王健, 揣荣岩. p型多晶硅薄膜应变因子与掺杂浓度关系理论研究. , 2017, 66(24): 247201. doi: 10.7498/aps.66.247201 [4] 王冲, 赵梦荻, 裴九清, 何云龙, 李祥东, 郑雪峰, 毛维, 马晓华, 张进成, 郝跃. AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管. , 2016, 65(3): 038501. doi: 10.7498/aps.65.038501 [5] 贾河顺, 罗磊, 李秉霖, 徐振华, 任现坤, 姜言森, 程亮, 张春艳. 彩色多晶硅太阳电池性能研究. , 2013, 62(16): 168802. doi: 10.7498/aps.62.168802 [6] 段宝兴, 杨银堂, 陈敬. F离子注入新型Al0.25Ga0.75 N/GaN HEMT 器件耐压分析. , 2012, 61(22): 227302. doi: 10.7498/aps.61.227302 [7] 陈应天, 何祚庥. 强辐射催化法提纯多晶硅. , 2011, 60(7): 078104. doi: 10.7498/aps.60.078104 [8] 徐 剑, 黄水平, 王占山, 鲁大学, 苑同锁. F掺杂SnO2电子结构的模拟计算. , 2007, 56(12): 7195-7200. doi: 10.7498/aps.56.7195 [9] 赵淑云, 吴春亚, 李 娟, 刘建平, 张晓丹, 张丽珠, 孟志国, 熊绍珍. 化学源金属诱导多晶硅研究. , 2006, 55(2): 825-829. doi: 10.7498/aps.55.825 [10] 祁 菁, 金 晶, 胡海龙, 高平奇, 袁保和, 贺德衍. H2对Ar稀释SiH4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响. , 2006, 55(11): 5959-5963. doi: 10.7498/aps.55.5959 [11] 黄 锐, 林璇英, 余云鹏, 林揆训, 祝祖送, 魏俊红. 氢稀释对多晶硅薄膜结构特性和光学特性的影响. , 2006, 55(5): 2523-2528. doi: 10.7498/aps.55.2523 [12] 祝祖送, 林璇英, 余云鹏, 林揆训, 邱桂明, 黄 锐, 余楚迎. 用SiCl4/H2气源沉积多晶硅薄膜光照稳定性的研究. , 2005, 54(8): 3805-3809. doi: 10.7498/aps.54.3805 [13] 曾智江, 杨秋红, 徐 军. Cr3+:Al2O3透明多晶陶瓷光谱特性分析. , 2005, 54(11): 5445-5449. doi: 10.7498/aps.54.5445 [14] 林璇英, 黄创君, 林揆训, 余运鹏, 余楚迎, 黄 锐. 用SiCl4-H2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析. , 2004, 53(5): 1558-1561. doi: 10.7498/aps.53.1558 [15] 汪六九, 朱美芳, 刘丰珍, 刘金龙, 韩一琴. 热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性. , 2003, 52(11): 2934-2938. doi: 10.7498/aps.52.2934 [16] 杜磊, 庄奕琪, 薛丽君. 金属薄膜电迁移1/f噪声与1/f2噪声统一模型. , 2002, 51(12): 2836-2841. doi: 10.7498/aps.51.2836 [17] 张廷庆, 刘家璐, 李建军, 王剑屏, 张正选, 徐娜军, 赵元富, 胡浴红. BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究. , 1999, 48(12): 2299-2303. doi: 10.7498/aps.48.2299 [18] 刘家璐, 张廷庆, 李建军, 赵元富. BF2+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析. , 1997, 46(8): 1580-1584. doi: 10.7498/aps.46.1580 [19] 王国梅, 恽怀顺, 江冰, 李兴丹, 吴代华, 杨生荣. Ni离子注入多晶ZrO2的表面电性能和结构. , 1996, 45(7): 1160-1167. doi: 10.7498/aps.45.1160 [20] 陈常加. 矢量介子φ的动力学模型及耦合常数fφKK2,fωKK2与fρKK2的值. , 1965, 21(12): 1996-2003. doi: 10.7498/aps.21.1996 计量
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