[1] |
张明媚, 郭亚涛, 付旭日, 李梦蕾, 任宝藏, 郑军, 袁瑞玚. 铁磁电极单层二硫化钼纳米带量子结构中的自旋开关效应和巨磁阻.
,
2023, 72(15): 157202.
doi: 10.7498/aps.72.20230483
|
[2] |
宋莉娜, 吕燕伍. InGaN插入层对AlGaN/GaN界面电子散射的影响.
,
2021, 70(17): 177201.
doi: 10.7498/aps.70.20202223
|
[3] |
曹亚庆, 黄火林, 孙仲豪, 李飞雨, 白洪亮, 张卉, 孙楠, Yung C.Liang. 基于宽禁带GaN基异质结结构的垂直型高温霍尔传感器.
,
2019, 68(15): 158502.
doi: 10.7498/aps.68.20190413
|
[4] |
陈谦, 李群, 杨莺. AlGaN插入层对InAlN/AlGaN/GaN异质结散射机制的影响.
,
2019, 68(1): 017301.
doi: 10.7498/aps.68.20181663
|
[5] |
胡晓颖, 郭晓霞, 胡文弢, 呼和满都拉, 郑晓霞, 荆丽丽. 旋转方形散射体对三角晶格磁振子晶体带结构的优化.
,
2015, 64(10): 107501.
doi: 10.7498/aps.64.107501
|
[6] |
李明, 张荣, 刘斌, 傅德颐, 赵传阵, 谢自力, 修向前, 郑有炓. AlGaN/GaN量子阱中子带的Rashba自旋劈裂和子带间自旋轨道耦合作用研究.
,
2012, 61(2): 027103.
doi: 10.7498/aps.61.027103
|
[7] |
杨福军, 班士良. 纤锌矿AlGaN/AlN/GaN异质结构中光学声子散射影响的电子迁移率.
,
2012, 61(8): 087201.
doi: 10.7498/aps.61.087201
|
[8] |
王立勇, 曹永军. 散射体排列方式对二维磁振子晶体带隙结构的影响.
,
2011, 60(9): 097501.
doi: 10.7498/aps.60.097501
|
[9] |
张进成, 郑鹏天, 董作典, 段焕涛, 倪金玉, 张金凤, 郝跃. 背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响.
,
2009, 58(5): 3409-3415.
doi: 10.7498/aps.58.3409
|
[10] |
魏 巍, 林若兵, 冯 倩, 郝 跃. 场板结构AlGaN/GaN HEMT的电流崩塌机理.
,
2008, 57(1): 467-471.
doi: 10.7498/aps.57.467
|
[11] |
周文政, 林 铁, 商丽燕, 黄志明, 崔利杰, 李东临, 高宏玲, 曾一平, 郭少令, 桂永胜, 褚君浩. InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究.
,
2007, 56(7): 4099-4104.
doi: 10.7498/aps.56.4099
|
[12] |
周文政, 林 铁, 商丽燕, 黄志明, 朱 博, 崔利杰, 高宏玲, 李东临, 郭少令, 桂永胜, 褚君浩. 双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究.
,
2007, 56(7): 4143-4147.
doi: 10.7498/aps.56.4143
|
[13] |
朱 博, 桂永胜, 周文政, 商丽燕, 仇志军, 郭少令, 张福甲, 褚君浩. 窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究.
,
2006, 55(6): 2955-2960.
doi: 10.7498/aps.55.2955
|
[14] |
朱 博, 桂永胜, 仇志军, 周文政, 姚 炜, 郭少令, 褚君浩, 张福甲. 窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡.
,
2006, 55(2): 786-790.
doi: 10.7498/aps.55.786
|
[15] |
舒 强, 舒永春, 张冠杰, 刘如彬, 姚江宏, 皮 彪, 邢晓东, 林耀望, 许京军, 王占国. 调制掺杂GaAs/AlGaAs 2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究.
,
2006, 55(3): 1379-1383.
doi: 10.7498/aps.55.1379
|
[16] |
周文政, 姚 炜, 朱 博, 仇志军, 郭少令, 林 铁, 崔利杰, 桂永胜, 褚君浩. 单边掺杂InAlAs/InGaAs单量子阱中二维电子气的磁输运特性.
,
2006, 55(4): 2044-2048.
doi: 10.7498/aps.55.2044
|
[17] |
孔月婵, 郑有炓, 周春红, 邓永桢, 顾书林, 沈 波, 张 荣, 韩 平, 江若琏, 施 毅. AlGaN/GaN异质结构中极化与势垒层掺杂对二维电子气的影响.
,
2004, 53(7): 2320-2324.
doi: 10.7498/aps.53.2320
|
[18] |
郑泽伟, 沈 波, 桂永胜, 仇志军, 唐 宁, 蒋春萍, 张 荣, 施 毅, 郑有炓, 郭少令, 褚君浩. AlxGa1-x N/GaN调制掺杂异质结构的子带性质研究.
,
2004, 53(2): 596-600.
doi: 10.7498/aps.53.596
|
[19] |
董正超. 磁三明治结构巨磁阻的量子解析理论.
,
1997, 46(9): 1801-1807.
doi: 10.7498/aps.46.1801
|
[20] |
韦亚一, 沈金熙, 郑国珍, 郭少令, 汤定元, 彭正夫, 张允强. Siδ掺杂AlxGa1-xAs/GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究.
,
1994, 43(2): 282-288.
doi: 10.7498/aps.43.282
|