搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究

郝跃 朱建纲 郭林 张正幡

引用本文:
Citation:

SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究

郝跃, 朱建纲, 郭林, 张正幡

HAO YUE, ZHU JIAN-GANG, GUO LIN, ZHANG ZHENG-FAN
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  7397
  • PDF下载量:  793
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 刊出日期:  2006-12-22

/

返回文章
返回
Baidu
map