基于SOI技术的单层多晶EEPROM和SONOS EEPROM抗总剂量辐照特性研究

肖志强; 李蕾蕾; 张波; 徐静; 陈正才

doi:10.7498/aps.60.028502

摘要

在自行研发的0.8 μm SOI工艺平台上开发了基于SOI技术的单层多晶硅EEPROM(electrically erasable programmable read only memory)和SONOS (silicon-oxide-nitride-oxide-silicon)EEPROM,并进行了抗总剂量辐照实验研究,分析了各种EEPROM结构在抗总剂量辐照下的失效机理.结果表明基于SOI 技术的SONOS EEPROM具有良好的抗总剂量辐照性能,为抗辐照EEPROM电路中的存储单元结构选取提供了依据.

关键词:

EEPROM /
SOI SONOS /
辐照 /
浮栅

Abstract

Devices of single poly electrically ersable programmable read only memory (EEPROM) and silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) EEPROM on silicon on insulator (SOI) are fabricated on self-built 0.8 μm SOI process. And through a set of experiments on EEPROMs of these configurations and comparisons, SOI SONOS EEPROM is successfully developed with good and stable total dose radiation hardened characteristics. These provide stronger proofs to choose EEPROM in radiation hardened circuits.

Keywords:

electrically ersable programmable read only memory /
silicon on insulator silicon-oxide-nitride-oxide-silicon /
radiation /
floating gate

作者及机构信息

(1)电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054; (2)电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054;中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡 214035; (3)中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡 214035; (4)中国电子科技集团公司第五十八研究所,无锡 214035;西安电子科技大学微电子学院,西安 710071

基金项目: 国家科技重大专项(批准号:2009ZX02306-04)资助的课题.

Authors and contacts

(1)State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China; (2)State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China;The 58th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Wuxi 214035, China; (3)The 58th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Wuxi 214035, China; (4)The 58th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Wuxi 214035, China;School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China

参考文献

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施引文献

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