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本文从晶体管饱和状态下的载流子分布与外部电流的关系出发,分析了合金管饱和区的直流特性;结果说明,在同样的集电极与基极电流比值下,在大电流情况的饱和压降将比小电流情况大一倍以上,这说明了Moll的饱和压降表达式在大电流情况误差大至一倍的原因。分析的结果,不论在小电流或大电流情况均与实验测量结果符合很好。分析结果说明了Miller所提出的测量发射极串联电阻的方法所测得的结果,对合金管来说,实际上不是发射极串联电阻,而主要是基极层纵向电阻和少子与多子迁移率比值的乘积,还包括基极层横向电阻的影响。分析结果还说明,对合金管从降低饱和压降的观点来说,集电极面积的多余部分(即集电极与基极重迭部分),在保持足够的电流放大系数下,应尽可能地减小。最后对台面类型的晶体管在饱和状态下的特性也进行了计算,并与实测结果作了比较。计算结果可以用来分析台面类型晶体管饱和压降各有关因素的贡献,同时也可用来准确地测量集电极串联电阻等有关参数。
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