H+和Ar11+激发Si的K壳层X射线发射研究

周贤明; 赵永涛; 程锐; 王兴; 雷瑜; 孙渊博; 王瑜玉; 徐戈; 任洁茹; 张小安; 梁昌慧; 李耀宗; 梅策香; 肖国青

doi:10.7498/aps.62.083201

摘要

测量了50250 keV H+和1.03.0 MeV Ar11+ 轰击Si表面过程中辐射的X射线. 结果表明, 在Ar11+入射的情况下, 引起了Si的L壳层上3, 4个电子的多电离.计算了Si的K壳层X射线产生截面, 并将两体碰撞近似(BEA), 平面波恩近似, ECPSSR理论计算与实验值进行了对比. ECPSSR理论与质子产生的截面数据能够很好地符合; 而考虑多电离后, BEA理论与Ar11+的实验结果符合较好.

关键词:

Abstract

The L-shell X-rays of Si, induced by 50-250 keV proton and 1.0-3.0 MeV Ar11+ ions impacting are measured. It is found that the X-ray induced by Ar11+ is about 36 eV higher than that induced by proton. That indicates that 3, 4 L-shell electrons of Si atom are multiply-ionized by Ar11+ ion impact. The X-ray production cross section is extracted from the yield data and compared with the results from the BEA, PWBA and ECPSSR models. With the same unit incident energy, the cross section induced by Ar11+ is about 3 orders of magnitude larger than that produced by proton. For proton impact, the ECPSSR model gives an accurate prediction to the cross section data. However, the BEA model, considering the change of fluorescence yield due to the multiple-ionization, presents the results that are in better agreement with the experimental results for Ar11+ ions.

Keywords:

作者及机构信息

1.
中国科学院近代物理研究所, 兰州 730000;

2.
咸阳师范学院物理与电子工程学院, 咸阳 712000

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB832902)和国家自然科学基金(批准号:11275241, 11205225, 11105192, 11275238)资助的课题.

Authors and contacts

1.
Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China;

2.
School of Physics and Electronic Engineering, Normal College of Xianyang, Xianyang 712000, China

Funds: Projectile supported by the National Basic Research Program of China (Grant No. 2010CB832902) and the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 11275241, 11205225, 11105192, 11275238).

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