[1] |
刘俊岭, 柏于杰, 徐宁, 张勤芳. GaS/Mg(OH)2异质结电子结构的第一性原理研究.
,
2024, 73(13): 137103.
doi: 10.7498/aps.73.20231979
|
[2] |
莫秋燕, 张颂, 荆涛, 张泓筠, 李先绪, 吴家隐. CuSe表面修饰的第一性原理研究.
,
2023, 72(12): 127301.
doi: 10.7498/aps.72.20230093
|
[3] |
刘坤, 王福合, 尚家香. NiTi(110)表面氧原子吸附的第一性原理研究.
,
2017, 66(21): 216801.
doi: 10.7498/aps.66.216801
|
[4] |
刘峰斌, 陈文彬, 崔岩, 屈敏, 曹雷刚, 杨越. 活性质吸附氢修饰金刚石表面的第一性原理研究.
,
2016, 65(23): 236802.
doi: 10.7498/aps.65.236802
|
[5] |
骆最芬, 岑伟富, 范梦慧, 汤家俊, 赵宇军. BiTiO3电子结构及光学性质的第一性原理研究.
,
2015, 64(14): 147102.
doi: 10.7498/aps.64.147102
|
[6] |
姜恩海, 朱兴凤, 陈凌孚. Heusler合金Co2MnAl(100)表面电子结构、磁性和自旋极化的第一性原理研究.
,
2015, 64(14): 147301.
doi: 10.7498/aps.64.147301
|
[7] |
马蕾, 王旭, 尚家香. Pd掺杂对NiTi合金马氏体相变和热滞影响的第一性原理研究.
,
2014, 63(23): 233103.
doi: 10.7498/aps.63.233103
|
[8] |
黄有林, 侯育花, 赵宇军, 刘仲武, 曾德长, 马胜灿. 应变对钴铁氧体电子结构和磁性能影响的第一性原理研究.
,
2013, 62(16): 167502.
doi: 10.7498/aps.62.167502
|
[9] |
程和平, 但加坤, 黄智蒙, 彭辉, 陈光华. 黑索金电子结构和光学性质的第一性原理研究.
,
2013, 62(16): 163102.
doi: 10.7498/aps.62.163102
|
[10] |
周平, 王新强, 周木, 夏川茴, 史玲娜, 胡成华. 第一性原理研究硫化镉高压相变及其电子结构与弹性性质.
,
2013, 62(8): 087104.
doi: 10.7498/aps.62.087104
|
[11] |
吴木生, 徐波, 刘刚, 欧阳楚英. Cr和W掺杂的单层MoS2电子结构的第一性原理研究.
,
2013, 62(3): 037103.
doi: 10.7498/aps.62.037103
|
[12] |
宋庆功, 刘立伟, 赵辉, 严慧羽, 杜全国. YFeO3的电子结构和光学性质的第一性原理研究.
,
2012, 61(10): 107102.
doi: 10.7498/aps.61.107102
|
[13] |
文黎巍, 王玉梅, 裴慧霞, 丁俊. Sb系half-Heusler合金磁性及电子结构的第一性原理研究.
,
2011, 60(4): 047110.
doi: 10.7498/aps.60.047110
|
[14] |
刘建军. (Zn,Al)O电子结构第一性原理计算及电导率的分析.
,
2011, 60(3): 037102.
doi: 10.7498/aps.60.037102
|
[15] |
卢硕, 张跃, 尚家香. Si2CN4(010)表面特性的第一性原理研究.
,
2011, 60(2): 027302.
doi: 10.7498/aps.60.027302
|
[16] |
宋久旭, 杨银堂, 刘红霞, 张志勇. 掺氮碳化硅纳米管电子结构的第一性原理研究.
,
2009, 58(7): 4883-4887.
doi: 10.7498/aps.58.4883
|
[17] |
倪建刚, 刘 诺, 杨果来, 张 曦. 第一性原理研究BaTiO3(001)表面的电子结构.
,
2008, 57(7): 4434-4440.
doi: 10.7498/aps.57.4434
|
[18] |
宫长伟, 王轶农, 杨大智. NiTi形状记忆合金马氏体相变的第一性原理研究.
,
2006, 55(6): 2877-2881.
doi: 10.7498/aps.55.2877
|
[19] |
潘志军, 张澜庭, 吴建生. CoSi电子结构第一性原理研究.
,
2005, 54(1): 328-332.
doi: 10.7498/aps.54.328
|
[20] |
林少杰, 郑浩平. LaNi5晶体表面态的计算研究.
,
2005, 54(10): 4680-4687.
doi: 10.7498/aps.54.4680
|