[1] |
肖文悦, 董小硕, 买买提热夏提·买买提, 牛娜娜, 李国栋, 朱泽涛, 毕杰昊. Zn2+和TiO2合金化过程中不同成分占比对薄膜结构和光催化性能的影响.
,
2024, 73(18): 183301.
doi: 10.7498/aps.73.20240814
|
[2] |
高潭华. 表面氢化双层硅烯的结构和电子性质.
,
2015, 64(7): 076801.
doi: 10.7498/aps.64.076801
|
[3] |
姜恩海, 朱兴凤, 陈凌孚. Heusler合金Co2MnAl(100)表面电子结构、磁性和自旋极化的第一性原理研究.
,
2015, 64(14): 147301.
doi: 10.7498/aps.64.147301
|
[4] |
高潭华, 吴顺情, 张鹏, 朱梓忠. 表面氢化的双层氮化硼的结构和电子性质.
,
2014, 63(1): 016801.
doi: 10.7498/aps.63.016801
|
[5] |
郑晖, 申亮, 白彬, 孙博. NiAl化合物表面成分的准标度关系与偏离放大效应.
,
2012, 61(1): 016104.
doi: 10.7498/aps.61.016104
|
[6] |
卢硕, 张跃, 尚家香. Si2CN4(010)表面特性的第一性原理研究.
,
2011, 60(2): 027302.
doi: 10.7498/aps.60.027302
|
[7] |
樊沁娜, 李蔚, 张林. 熔融Cu57团簇在急冷过程中弛豫和局域结构转变的分子动力学研究.
,
2010, 59(4): 2428-2433.
doi: 10.7498/aps.59.2428
|
[8] |
徐新发, 邵晓红. Y掺杂SrTiO3晶体材料的电子结构计算.
,
2009, 58(3): 1908-1916.
doi: 10.7498/aps.58.1908
|
[9] |
张林, 徐送宁, 李蔚, 孙海霞, 张彩碚. 小尺寸铜团簇冷却与并合过程中结构变化的原子尺度研究.
,
2009, 58(13): 58-S66.
doi: 10.7498/aps.58.58
|
[10] |
张宗宁, 刘美林, 李蔚, 耿长建, 赵骞, 张林. 熔融Cu55团簇在Cu(010)表面上凝固过程的分子动力学模拟.
,
2009, 58(13): 67-S71.
doi: 10.7498/aps.58.67
|
[11] |
赵骞, 张林, 祁阳, 张宗宁. 低温下Cu13团簇负载于Cu(001)表面上结构变化的分子动力学研究.
,
2009, 58(13): 47-S52.
doi: 10.7498/aps.58.47
|
[12] |
张林, 张彩碚, 祁阳. 低温下Au959团簇负载于MgO(100)表面后结构变化的分子动力学研究.
,
2009, 58(13): 53-S57.
doi: 10.7498/aps.58.53
|
[13] |
朱建新, 李永华, 孟繁玲, 刘常升, 郑伟涛, 王煜明. NiTi合金的第一性原理研究.
,
2008, 57(11): 7204-7209.
doi: 10.7498/aps.57.7204
|
[14] |
张国英, 张 辉, 刘艳侠, 杨丽娜. Pd对Ti合金钝化影响的电子理论研究.
,
2008, 57(4): 2404-2408.
doi: 10.7498/aps.57.2404
|
[15] |
徐 剑, 黄水平, 王占山, 鲁大学, 苑同锁. F掺杂SnO2电子结构的模拟计算.
,
2007, 56(12): 7195-7200.
doi: 10.7498/aps.56.7195
|
[16] |
张秀兰, 黄 整, 陈 波, 麻焕锋, 高国强. LaNi5储氢过程的热力学分析.
,
2007, 56(7): 4039-4043.
doi: 10.7498/aps.56.4039
|
[17] |
李拥华, 徐彭寿, 潘海滨, 徐法强, 谢长坤. GaN(1010)表面结构的第一性原理计算.
,
2005, 54(1): 317-322.
doi: 10.7498/aps.54.317
|
[18] |
贾 瑜, 杨仕娥, 马丙现, 李新建, 胡 行. 稳定的GaAs (2 5 1 1)高密勒指数表面的电子结构.
,
2004, 53(10): 3515-3520.
doi: 10.7498/aps.53.3515
|
[19] |
谢长坤, 徐法强, 邓锐, 徐彭寿, 刘凤琴, K.Yibulaxin. GaN(0001)表面的电子结构研究.
,
2002, 51(11): 2606-2611.
doi: 10.7498/aps.51.2606
|
[20] |
谢长坤, 徐彭寿, 徐法强, 潘海斌. α-SiC“非汉字符号”表面结构的第一性原理计算.
,
2002, 51(12): 2804-2811.
doi: 10.7498/aps.51.2804
|