[1] |
邢凤竹, 崔建坡, 王艳召, 顾建中. 激发态丰质子核的双质子发射.
,
2022, 71(6): 062301.
doi: 10.7498/aps.71.20211839
|
[2] |
刘晨曦, 庞国旺, 潘多桥, 史蕾倩, 张丽丽, 雷博程, 赵旭才, 黄以能. 电场对GaN/g-C3N4异质结电子结构和光学性质影响的第一性原理研究.
,
2022, 71(9): 097301.
doi: 10.7498/aps.71.20212261
|
[3] |
李世雄, 陈德良, 张正平, 隆正文, 秦水介. 环形C18在外电场下的基态性质和激发特性.
,
2020, 69(10): 103101.
doi: 10.7498/aps.69.20200268
|
[4] |
李亚莎, 孙林翔, 周筱, 陈凯, 汪辉耀. 基于密度泛函理论的外电场下C5F10O的结构及其激发特性.
,
2020, 69(1): 013101.
doi: 10.7498/aps.69.20191455
|
[5] |
张锦芳, 任雅娜, 王军民, 杨保东. 铯原子激发态双色偏振光谱.
,
2019, 68(11): 113201.
doi: 10.7498/aps.68.20181872
|
[6] |
李锦锦, 李多生, 洪跃, 邹伟, 何俊杰. 石墨烯在Al2O3(0001)表面生长的模拟研究.
,
2017, 66(21): 217101.
doi: 10.7498/aps.66.217101
|
[7] |
杨涛, 刘代俊, 陈建钧. 外电场下二氧化硫的分子结构及其特性.
,
2016, 65(5): 053101.
doi: 10.7498/aps.65.053101
|
[8] |
李世雄, 吴永刚, 令狐荣锋, 孙光宇, 张正平, 秦水介. ZnSe在外电场下的基态性质和激发特性研究.
,
2015, 64(4): 043101.
doi: 10.7498/aps.64.043101
|
[9] |
曹欣伟, 任杨, 刘慧, 李姝丽. 强外电场作用下BN分子的结构与激发特性.
,
2014, 63(4): 043101.
doi: 10.7498/aps.63.043101
|
[10] |
王藩侯, 黄多辉, 杨俊升. SnSe分子外场下的基态性质和激发态性质.
,
2013, 62(7): 073102.
doi: 10.7498/aps.62.073102
|
[11] |
高双红, 任兆玉, 郭平, 郑继明, 杜恭贺, 万丽娟, 郑琳琳. 石墨烯量子点的磁性及激发态性质.
,
2011, 60(4): 047105.
doi: 10.7498/aps.60.047105
|
[12] |
黄多辉, 王藩侯, 程晓洪, 万明杰, 蒋刚. GeTe和GeSe 分子在外电场下的特性研究.
,
2011, 60(12): 123101.
doi: 10.7498/aps.60.123101
|
[13] |
徐国亮, 刘雪峰, 夏要争, 张现周, 刘玉芳. 外电场作用下Si2O分子的激发特性.
,
2010, 59(11): 7756-7761.
doi: 10.7498/aps.59.7756
|
[14] |
徐国亮, 夏要争, 刘雪峰, 张现周, 刘玉芳. 外电场作用下TiO光激发特性研究.
,
2010, 59(11): 7762-7768.
doi: 10.7498/aps.59.7762
|
[15] |
周业宏, 蔡绍洪. 氯乙烯在外电场下的激发态结构研究.
,
2010, 59(11): 7749-7755.
doi: 10.7498/aps.59.7749
|
[16] |
黄多辉, 王藩侯, 闵军, 朱正和. 外电场作用下MgO分子的特性研究.
,
2009, 58(5): 3052-3057.
doi: 10.7498/aps.58.3052
|
[17] |
徐国亮, 吕文静, 刘玉芳, 朱遵略, 张现周, 孙金锋. 外电场作用下二氧化硅分子的光激发特性研究.
,
2009, 58(5): 3058-3063.
doi: 10.7498/aps.58.3058
|
[18] |
阮 文, 罗文浪, 张 莉, 朱正和. 外电场作用下苯乙烯分子结构和电子光谱.
,
2008, 57(10): 6207-6212.
doi: 10.7498/aps.57.6207
|
[19] |
魏 群, 杨子元, 王参军, 许启明. 轴对称晶场中d3离子激发态对4A2基态自旋哈密顿参量的影响.
,
2007, 56(1): 507-511.
doi: 10.7498/aps.56.507
|
[20] |
徐国亮, 肖小红, 耿振铎, 刘玉芳, 朱正和. 甲基乙烯基硅酮在外场作用下的光激发特性研究.
,
2007, 56(9): 5196-5201.
doi: 10.7498/aps.56.5196
|