| [1] |
王甫, 周毅, 高士鑫, 段振刚, 孙志鹏, 汪俊, 邹宇, 付宝勤. 碳化硅中点缺陷对热传导性能影响的分子动力学研究.
,
2022, 71(3): 036501.
doi: 10.7498/aps.71.20211434
|
| [2] |
王甫, 周毅, 高士鑫, 段振刚, 孙志鹏, 汪俊(Jun Wang), 邹 宇, 付宝勤(Baoqin Fu). 碳化硅中点缺陷对热传导性能影响的分子动力学研究.
,
2021, (): .
doi: 10.7498/aps.70.20211434
|
| [3] |
张鸿, 郭红霞, 潘霄宇, 雷志峰, 张凤祁, 顾朝桥, 柳奕天, 琚安安, 欧阳晓平. 重离子在碳化硅中的输运过程及能量损失.
,
2021, 70(16): 162401.
doi: 10.7498/aps.70.20210503
|
| [4] |
鲁媛媛, 鹿桂花, 周恒为, 黄以能. 锂辉石/碳化硅复相陶瓷材料的制备与性能.
,
2020, 69(11): 117701.
doi: 10.7498/aps.69.20200232
|
| [5] |
李媛媛, 喻寅, 孟川民, 张陆, 王涛, 李永强, 贺红亮, 贺端威. 金刚石-碳化硅超硬复合材料的冲击强度.
,
2019, 68(15): 158101.
doi: 10.7498/aps.68.20190350
|
| [6] |
申帅帅, 贺朝会, 李永宏. 质子在碳化硅中不同深度的非电离能量损失.
,
2018, 67(18): 182401.
doi: 10.7498/aps.67.20181095
|
| [7] |
朱乐永, 高娅娜, 张建华, 李喜峰. 溶胶凝胶法制备以HfO2为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管.
,
2015, 64(16): 168501.
doi: 10.7498/aps.64.168501
|
| [8] |
周耐根, 洪涛, 周浪. MEAM势与Tersoff势比较研究碳化硅熔化与凝固行为.
,
2012, 61(2): 028101.
doi: 10.7498/aps.61.028101
|
| [9] |
宋坤, 柴常春, 杨银堂, 贾护军, 陈斌, 马振洋. 改进型异质栅对深亚微米栅长碳化硅MESFET特性影响.
,
2012, 61(17): 177201.
doi: 10.7498/aps.61.177201
|
| [10] |
房超, 刘马林. 包覆燃料颗粒碳化硅层的Raman光谱研究.
,
2012, 61(9): 097802.
doi: 10.7498/aps.61.097802
|
| [11] |
石巍巍, 李雯, 仪明东, 解令海, 韦玮, 黄维. 基于栅绝缘层表面修饰的有机场效应晶体管迁移率的研究进展.
,
2012, 61(22): 228502.
doi: 10.7498/aps.61.228502
|
| [12] |
陈跃宁, 徐征, 赵谡玲, 孙钦军, 尹飞飞, 董宇航. 最小二乘拟合计算有机薄膜晶体管迁移率的研究.
,
2010, 59(11): 8113-8117.
doi: 10.7498/aps.59.8113
|
| [13] |
袁广才, 徐征, 赵谡玲, 张福俊, 许娜, 孙钦军, 徐叙瑢. 低栅极电压控制下带有phenyltrimethoxysilane单分子自组装层的有机薄膜晶体管场效应特性研究.
,
2009, 58(7): 4941-4947.
doi: 10.7498/aps.58.4941
|
| [14] |
刘玉荣, 王智欣, 虞佳乐, 徐海红. 高迁移率聚合物薄膜晶体管.
,
2009, 58(12): 8566-8570.
doi: 10.7498/aps.58.8566
|
| [15] |
林 涛, 陈治明, 李 佳, 李连碧, 李青民, 蒲红斌. 6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究.
,
2008, 57(9): 6007-6012.
doi: 10.7498/aps.57.6007
|
| [16] |
汤晓燕, 张义门, 张鹤鸣, 张玉明, 戴显英, 胡辉勇. 碳化硅基上3UCVD淀积二氧化硅及其C-V性能测试.
,
2004, 53(9): 3225-3228.
doi: 10.7498/aps.53.3225
|
| [17] |
杨林安, 张义门, 于春利, 张玉明. SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型.
,
2003, 52(2): 302-306.
doi: 10.7498/aps.52.302
|
| [18] |
张廷庆, 刘传洋, 刘家璐, 王剑屏, 黄智, 徐娜军, 何宝平, 彭宏论, 姚育娟. 低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应.
,
2001, 50(12): 2434-2438.
doi: 10.7498/aps.50.2434
|
| [19] |
尚也淳, 张义门, 张玉明. SiC/SiO2界面粗糙散射对沟道迁移率影响的Monte Carlo研究.
,
2001, 50(7): 1350-1354.
doi: 10.7498/aps.50.1350
|
| [20] |
任红霞, 郝 跃, 许冬岗. N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究.
,
2000, 49(7): 1241-1248.
doi: 10.7498/aps.49.1241
|
下载:
