[1] |
赵泽贤, 徐萌, 彭聪, 张涵, 陈龙龙, 张建华, 李喜峰. 喷墨打印高迁移率铟锌锡氧化物薄膜晶体管.
,
2024, 73(12): 128501.
doi: 10.7498/aps.73.20240361
|
[2] |
刘乃漳, 姚若河, 耿魁伟. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型.
,
2021, 70(21): 217301.
doi: 10.7498/aps.70.20210700
|
[3] |
郭海君, 段宝兴, 袁嵩, 谢慎隆, 杨银堂. 具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析.
,
2017, 66(16): 167301.
doi: 10.7498/aps.66.167301
|
[4] |
朱彦旭, 宋会会, 王岳华, 李赉龙, 石栋. 氮化镓基感光栅极高电子迁移率晶体管器件设计与制备.
,
2017, 66(24): 247203.
doi: 10.7498/aps.66.247203
|
[5] |
聂国政, 邹代峰, 钟春良, 许英. 内嵌CuO薄膜对并五苯薄膜晶体管性能的改善.
,
2015, 64(22): 228502.
doi: 10.7498/aps.64.228502
|
[6] |
朱乐永, 高娅娜, 张建华, 李喜峰. 溶胶凝胶法制备以HfO2为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管.
,
2015, 64(16): 168501.
doi: 10.7498/aps.64.168501
|
[7] |
石巍巍, 李雯, 仪明东, 解令海, 韦玮, 黄维. 基于栅绝缘层表面修饰的有机场效应晶体管迁移率的研究进展.
,
2012, 61(22): 228502.
doi: 10.7498/aps.61.228502
|
[8] |
田雪雁, 赵谡玲, 徐征, 姚江峰, 张福俊, 贾全杰, 陈雨, 龚伟, 樊星. 高分子有机场效应晶体管中退火引起的自组织微观结构变化的研究.
,
2011, 60(5): 057201.
doi: 10.7498/aps.60.057201
|
[9] |
田雪雁, 赵谡玲, 徐征, 姚江峰, 张福俊, 贾全杰, 陈雨, 樊星, 龚伟. 高分子有机场效应晶体管中半导体薄膜结晶行为及微观结构变化的研究.
,
2011, 60(2): 027201.
doi: 10.7498/aps.60.027201
|
[10] |
李斌, 刘红侠, 袁博, 李劲, 卢凤铭. 应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型.
,
2011, 60(1): 017202.
doi: 10.7498/aps.60.017202
|
[11] |
王雄, 才玺坤, 原子健, 朱夏明, 邱东江, 吴惠桢. 氧化锌锡薄膜晶体管的研究.
,
2011, 60(3): 037305.
doi: 10.7498/aps.60.037305
|
[12] |
田雪雁, 赵谡玲, 徐征, 姚江峰, 张福俊, 徐叙瑢. 非溶剂掺杂完善自组织机理提升高度区域规则的(3-己基噻吩)有机场效应晶体管器件性能的研究.
,
2011, 60(3): 037201.
doi: 10.7498/aps.60.037201
|
[13] |
徐天宁, 吴惠桢, 张莹莹, 王雄, 朱夏明, 原子健. In2O3 透明薄膜晶体管的制备及其电学性能的研究.
,
2010, 59(7): 5018-5022.
doi: 10.7498/aps.59.5018
|
[14] |
邹建华, 兰林锋, 徐瑞霞, 杨伟, 彭俊彪. 有机薄膜晶体管驱动聚合物发光二极管研究.
,
2010, 59(2): 1275-1281.
doi: 10.7498/aps.59.1275
|
[15] |
刘玉荣, 陈伟, 廖荣. 低工作电压聚噻吩薄膜晶体管.
,
2010, 59(11): 8088-8092.
doi: 10.7498/aps.59.8088
|
[16] |
陈跃宁, 徐征, 赵谡玲, 孙钦军, 尹飞飞, 董宇航. 最小二乘拟合计算有机薄膜晶体管迁移率的研究.
,
2010, 59(11): 8113-8117.
doi: 10.7498/aps.59.8113
|
[17] |
孙钦军, 徐征, 赵谡玲, 张福俊, 高利岩, 田雪雁, 王永生. 有机薄膜晶体管中接触效应的研究.
,
2010, 59(11): 8125-8130.
doi: 10.7498/aps.59.8125
|
[18] |
刘玉荣, 王智欣, 虞佳乐, 徐海红. 高迁移率聚合物薄膜晶体管.
,
2009, 58(12): 8566-8570.
doi: 10.7498/aps.58.8566
|
[19] |
袁广才, 徐 征, 赵谡玲, 张福俊, 姜薇薇, 黄金昭, 宋丹丹, 朱海娜, 黄金英, 徐叙瑢. 对以并五苯和酞菁铜为不同有源层的有机薄膜晶体管特性研究.
,
2008, 57(9): 5911-5917.
doi: 10.7498/aps.57.5911
|
[20] |
汤晓燕, 张义门, 张玉明, 郜锦侠. 界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响.
,
2003, 52(4): 830-833.
doi: 10.7498/aps.52.830
|