[1] |
王颂文, 郭红霞, 马腾, 雷志锋, 马武英, 钟向丽, 张鸿, 卢小杰, 李济芳, 方俊霖, 曾天祥. 石墨烯场效应晶体管在不同偏置电压条件下的电应力可靠性研究.
,
2024, 73(23): .
doi: 10.7498/aps.20241365
|
[2] |
王颂文, 郭红霞, 马腾, 雷志锋, 马武英, 钟向丽, 张鸿, 卢小杰, 李济芳, 方俊霖, 曾天祥. 石墨烯场效应晶体管在不同偏置电压条件下的电应力可靠性.
,
2024, 73(23): 238501.
doi: 10.7498/aps.73.20241365
|
[3] |
张福平, 李玺钦, 杜金梅, 刘雨生, 叶福庆. 铁电陶瓷脉冲耐压失效分布及耐压可靠性.
,
2024, 73(10): 107701.
doi: 10.7498/aps.73.20231354
|
[4] |
申见昕, 尚大山, 孙阳. 基于磁电耦合效应的基本电路元件和非易失性存储器.
,
2018, 67(12): 127501.
doi: 10.7498/aps.67.20180712
|
[5] |
黄飞虎, 彭舰, 由明阳. 航空旅客群体移动行为特性分析.
,
2016, 65(22): 228901.
doi: 10.7498/aps.65.228901
|
[6] |
周航, 崔江维, 郑齐文, 郭旗, 任迪远, 余学峰. 电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究.
,
2015, 64(8): 086101.
doi: 10.7498/aps.64.086101
|
[7] |
蒋先伟, 代广珍, 鲁世斌, 汪家余, 代月花, 陈军宁. Al掺杂对HfO2俘获层可靠性影响第一性原理研究.
,
2015, 64(9): 091301.
doi: 10.7498/aps.64.091301
|
[8] |
王天舒, 张瑞德, 关哲, 巴柯, 俎云霄. 忆阻元件与RLC以及二极管串并联电路的特性研究.
,
2014, 63(17): 178101.
doi: 10.7498/aps.63.178101
|
[9] |
李日, 王健, 周黎明, 潘红. 基于体积平均法模拟铸锭凝固过程的可靠性分析.
,
2014, 63(12): 128103.
doi: 10.7498/aps.63.128103
|
[10] |
王秀芝, 高劲松, 徐念喜. 利用等效电路模型快速分析加载集总元件的微型化频率选择表面.
,
2013, 62(20): 207301.
doi: 10.7498/aps.62.207301
|
[11] |
王鑫华, 王建辉, 庞磊, 陈晓娟, 袁婷婷, 罗卫军, 刘新宇. GaN MMIC中SiN介质MIM电容的可靠性.
,
2012, 61(17): 177302.
doi: 10.7498/aps.61.177302
|
[12] |
张永进, 宋伟才. 强度应力干涉下多态多系统的可靠性研究.
,
2011, 60(2): 021201.
doi: 10.7498/aps.60.021201
|
[13] |
张永进, 汪忠志. 一类分时冗余系统的累伤可靠性模型及其参数估计.
,
2009, 58(9): 6074-6079.
doi: 10.7498/aps.58.6074
|
[14] |
栾苏珍, 刘红侠, 贾仁需. 动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价.
,
2008, 57(4): 2524-2528.
doi: 10.7498/aps.57.2524
|
[15] |
张义民, 张旭方. 复合随机Duffing系统可靠性分析.
,
2008, 57(7): 3989-3995.
doi: 10.7498/aps.57.3989
|
[16] |
胡 瑾, 杜 磊, 庄奕琪, 包军林, 周 江. 发光二极管可靠性的噪声表征.
,
2006, 55(3): 1384-1389.
doi: 10.7498/aps.55.1384
|
[17] |
赵 毅, 万星拱. 0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性.
,
2006, 55(6): 3003-3006.
doi: 10.7498/aps.55.3003
|
[18] |
刘红侠, 郑雪峰, 韩晓亮, 郝 跃, 张 绵. 一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究.
,
2003, 52(10): 2576-2579.
doi: 10.7498/aps.52.2576
|
[19] |
朱传贵, 薛鸣球, 刘德森, 高应俊. 光学元件阵列的衍射理论分析.
,
1993, 42(3): 394-399.
doi: 10.7498/aps.42.394
|
[20] |
邢修三. 可靠性物理动力学.
,
1986, 35(6): 741-749.
doi: 10.7498/aps.35.741
|