外电场下含有缔合缺陷的ZnO/<inline-formula><tex-math id="Z-20220101162405">\begin{document}${\boldsymbol{\beta }}$\end{document}</tex-math><alternatives><graphic xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xlink:href="2-20210635_Z-20220101162405.jpg"/><graphic xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xlink:href="2-20210635_Z-20220101162405.png"/></alternatives></inline-formula>-Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>界面电学性能

李亚莎; 刘世冲; 刘清东; 夏宇; 胡豁然; 李光竹

doi:10.7498/aps.71.20210635

摘要

电力设备的安全运行很大程度上取决于避雷器的过电压保护水平, ZnO压敏电阻因具有优异的非线性伏安特性而广泛应用于电力系统避雷器的核心元件. 为了从微观结构上了解ZnO压敏电阻的电学性能, 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理对含有锌填隙Zn_i与氧空位V_o缺陷的ZnO/β-Bi₂O₃界面进行分析计算, 并研究其在不同外电场下的相关电学性质. 计算结果表明, 弛豫后氧空位V_o缺陷发生迁移. 在外电场的作用下, 填隙Zn离子向界面处偏移, 界面能在电场强度超过0.1 V/Å后快速升高, 界面之间的相互作用力变大, 层间距减小, 体系导电性迅速增强. 采用差分电荷密度、功函数以及Bader电荷分析方法, 计算出了界面处的势垒高度, 证实了内建电场是ZnO压敏电阻具有非线性伏安特性的重要原因. 采用态密度分析的方法, 分析了原子轨道能级、陷阱能级以及能隙等微观参数对ZnO压敏电阻宏观导电性能的影响. 本工作通过调控外电场的强度对含有缔合缺陷的ZnO/β-Bi₂O₃界面不同电气参数进行分析, 为理解和调控ZnO压敏电阻的电学特性提供了新的思路.

关键词:

Abstract

The safe operation of power equipment largely depends on the overvoltage protection level of the arrester. The ZnO varistors are widely used as the core components of the arresters in power systems because of the excellent nonlinear volt-ampere characteristics. In order to study the electrical properties of ZnO varistors under different external electric fields from the microstructure, the method of first-principles based on density functional theory (DFT) is used, and structure of ZnO/β-Bi₂O₃ interface containing zinc interstitial (Zn_i) and oxygen vacancy (V_o) defects is built. The results show that the V_o defect migrates after full relaxation. The Zn_i shifts to the interface under an external electric field. The interface energy increases rapidly after the electric field intensity has exceeded 0.1 V/Å, which means that the interaction force between the interfaces becomes larger, the distance between ZnO and β-Bi₂O₃ layers decreases, and the conductivity increases rapidly. The differential charge density, work function and Bader charge analysis method are used to calculate the barrier height at the interface, which proves that the built-in electric field is an important cause ingredient responsible for the non-linear volt-ampere characteristics of ZnO varistors. The effects of atomic orbital energy level, trap energy level and energy gap on the macroscopic conductivity of ZnO varistors are analyzed by using the method of density of states analysis. In this work are analyzed the different electrical parameters of the ZnO/β-Bi₂O₃ interface with aggregation defects by adjusting the intensity of the external electric field, and a new idea is provided for learning the electrical characteristics of ZnO varistors.

Keywords:

作者及机构信息

三峡大学电气与新能源学院, 宜昌　443002

通信作者: 李亚莎, liyasha@ctgu.edu.cn

基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 51577105)资助的课题

Authors and contacts

College of Electrical and New Energy, Three Gorge University, Yichang 443002, China

Corresponding author: Li Ya-Sha, liyasha@ctgu.edu.cn

Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 51577105)

文章全文 : translate this paragraph

参考文献

[1]	李鹏, 李金忠, 崔博源, 董勤晓, 时卫东, 赵志刚 2016 高电压技术 42 1068 Google Scholar Li P, Li J Z, Cui B Y, Dong Q X, Shi W D, Zhao Z G 2016 High Voltage Eng. 42 1068 Google Scholar
[2]	韩先才, 孙昕, 陈海波, 邱宁, 吕铎, 王宁华, 王晓宁, 张甲雷 2020 中国电机工程学报 40 4371 Google Scholar Han X C, Sun X, Chen H B, Qiu N, Lv D, Wang N H, Zhang J L 2020 Chin. Soc. Elec. Eng. 40 4371 Google Scholar
[3]	陈家宏, 赵淳, 谷山强, 向念文, 王宇, 雷梦飞 2016 高电压技术 42 3361 Google Scholar Chen J H, Zhao C, Gu S Q, Xiang N W, Wang Y, Lei M F 2016 High Voltage Eng. 42 3361 Google Scholar
[4]	何金良, 刘俊, 胡军, 龙望成 2011 高电压技术 37 634 Google Scholar He J L, Liu J, Hu J, Long W C 2011 High Voltage Eng. 37 634 Google Scholar
[5]	Finnis M W 1996 Phys. Condens. Matter 8 5811 Google Scholar
[6]	刘建科, 陈永佳, 崔永宏, 韩晨, 张诚, 范亚红, 梁楚轩 2016 硅酸盐学报 44 1736 Google Scholar Liu J K, Chen Y J, Cui Y H, Han C, Zhang C, Fan Y H, Liang C X 2016 Chin Ceram Soc. 44 1736 Google Scholar
[7]	Wang F G, Lv M S, Pang Z Y, Yang T L, Dai Y, Han S H 2008 Appl. Surf. Sci. 254 6983 Google Scholar
[8]	Huang W G, Cai J, Hu J, Zhu J F, Yang F, Bao X 2021 Chin. J. Catal. 42 971 Google Scholar
[9]	孟鹏飞, 胡军, 邬锦波, 何金良 2017 中国电机工程学报 37 7377 Google Scholar Meng P F, Hu J, Wu J B, He J L 2017 Chin. Soc. Elec. Eng. 37 7377 Google Scholar
[10]	黄炳铨, 周铁戈, 吴道雄, 张召富, 李百奎 2019 68 246301 Google Scholar Huang B Q, Zhou T G, Wu D X, Zhang Z F, Li B K 2019 Acta Phys. Sin. 68 246301 Google Scholar
[11]	Skidan B S, Maung Maung M’int 2007 Glass Ceram. 64 31 Google Scholar
[12]	孟鹏飞, 刘政, 曹伟, 杜传报, 周凯, 胡军 2021 中国电机工程学报 41 1588 Google Scholar Meng P F, Liu Z, Cao W, Du C B, Zhou K, Hu j 2021 Chin. Soc. Elec. Eng. 41 1588 Google Scholar
[13]	赵学童, 李建英, 李欢, 李盛涛 2012 61 147 Google Scholar Zhao X T, Li J Y, Li H, Li S T 2012 Acta Phys. Sin. 61 147 Google Scholar
[14]	Onreabroy W, Sirikulrat N, Brown A P, Hammond C, Milne S J 2006 Solid State Ionics 177 411 Google Scholar
[15]	徐彭寿, 孙玉明, 施朝淑, 徐法强, 潘海斌 2001 中国科学(A辑) 04 358 Google Scholar Xu P S, Sun Y M, Shi C S, Xu F Q, Pan H B 2001 Sci. China, Ser. A Math. 04 358 Google Scholar
[16]	徐彭寿, 孙玉明, 施朝淑, 徐法强, 潘海斌 2002 红外与毫米波学报 S1 91 Xu P S, Sun Y M, Shi C S, Xu F Q, Pan H B 2002 J. Infrared Millimeter Waves S1 91 (in Chinese)
[17]	李亚莎, 黄太焕, 谢云龙, 徐程, 刘国成 2019 原子与分子 36 1003 Google Scholar Li Y S, Huang T H, Xu C, Liu G C 2019 J. At. Mol. Phys. 36 1003 Google Scholar
[18]	成鹏飞, 李盛涛, 李建英 2010 59 560 Google Scholar Cheng P F, Li S T, Li J Y 2010 Acta Phys. Sin. 59 560 Google Scholar
[19]	Li P, Chen Z H, Yao P, Zhang F J, Wang J W, Song Y, Zuo X 2019 Appl. Surf. Sci. 483 231 Google Scholar
[20]	马昌敏, 刘廷禹, 常秋香, 罗国胤 2016 高等学校化学学报 37 932 Google Scholar Ma C M, Liu T Y, Chang Q X, Luo G Y 2016 Chem. J. Chin. Univ. 37 932 Google Scholar
[21]	Eda K 1982 Materials Research Society Symposia Proceedings, Grain Boundaries in Semiconductors 05 381
[22]	张宁 2018 硕士学位论文 (贵州: 贵州大学) Zhang N 2018 M. S. Thesis (Guizhou: Guizhou University) (in Chinese)
[23]	Slavko Bernik, Cheng L H, Matejka Podlogar, Li G R 2018 Ceramics-Silikáty 62 8 Google Scholar
[24]	Gupta T K, Carlson W G 1982 Appl. Phys. 53 7401 Google Scholar
[25]	卢天, 陈飞武 2012 物理化学学报 28 1 Google Scholar Lu T, Chen F W 2012 Acta Phys. -Chem. Sin. 28 1 Google Scholar
[26]	王倩, 屠幼萍, 丁立健, 琚泽立 2011 中国科学: 技术科学 41 1128 Google Scholar Wang Q, Tu Y P, Ding L J, Ju Z L 2011 Sci. Sin. (Technologica) 41 1128 Google Scholar
[27]	Cheng C L, He J L, Hu J 2012 Appl. Phys. Lett. 101 173508 Google Scholar
[28]	张芳, 贾利群, 孙现亭, 戴宪起, 黄奇祥, 李伟 2020 69 157302 Google Scholar Zhang F, Jia L Q, Sun X T, Dai X Q, Huang Q X, Li W 2020 Acta Phys. Sin. 69 157302 Google Scholar
[29]	成鹏飞, 李盛涛, 焦兴六 2006 55 4253 Google Scholar Cheng P F, Li S T, Jiao X L 2006 Acta Phys. Sin. 55 4253 Google Scholar
[30]	Kang J, Wu F M, Li J B 2012 J. Phys. Condens. Matter 24 165301 Google Scholar
[31]	Francis Opoku, Penny Poomani Govender 2019 Mater. Chem. Phys. 224 107 Google Scholar

施引文献

图 1 含有缔合缺陷的ZnO(002)/β-Bi₂O₃(210)界面初始模型

Fig. 1. Initial model of ZnO(002)/β-Bi₂O₃(210) interface with aggregation defects.

下载: 全尺寸图片幻灯片

图 2 界面层间距收敛测试数据

Fig. 2. Convergence of interfacial layer spacing test data.

下载: 全尺寸图片幻灯片

图 3 含有缔合缺陷的ZnO(002)/β-Bi₂O₃(210)界面优化模型

Fig. 3. Optimization model of ZnO(002)/β-Bi₂O₃(210) interface with aggregation defects.

下载: 全尺寸图片幻灯片

图 4 ZnO/β-Bi₂O₃界面能

Fig. 4. Interface energy of ZnO/β-Bi₂O₃.

下载: 全尺寸图片幻灯片

图 5 ZnO/β-Bi₂O₃体系HOMO与LUMO能量

Fig. 5. HOMO and LUMO energy of ZnO/β-Bi₂O₃.

下载: 全尺寸图片幻灯片

图 6 差分电荷密度　(a) 电场强度为0 V/Å; (b) 电场强度为0.1 V/Å; (c) 电场强度为0.25 V/Å

Fig. 6. Differential charge density: (a) Electric field strength is 0 V/Å; (b) electric field strength is 0.1 V/Å; (c) electric field strength is 0.25 V/Å.

下载: 全尺寸图片幻灯片

图 7 界面的肖特基势垒高度

Fig. 7. Schottky barrier height of the interface.

下载: 全尺寸图片幻灯片

图 8 沿着z轴方向的平均功函数

Fig. 8. Average work function along the z axis.

下载: 全尺寸图片幻灯片

图 9 界面的态密度和分波态密度　(a) 电场强度为0 V/Å; (b)电场强度为0.1 V/Å; (c)电场强度为0.25 V/Å

Fig. 9. Interface density of states and partial density of states: (a) Electric field strength is 0 V/Å; (b) electric field strength is 0.1 V/Å; (c) electric field strength is 0.25 V/Å.

下载: 全尺寸图片幻灯片

表 1 界面结构晶格失配度

Table 1. Interfacial structure lattice mismatch.

	U/Å	V/Å
ZnO(002)	5.628	16.246
Bi₂O₃(210)	5.630	17.307
晶格失配度/%	0.018	3.160

下载: 导出CSV

表 2 不同电场下Bader电荷分析

Table 2. Bader charge analysis with different electric fields.

Layer	Species	Electric field/(V·Å^–1)·	Total/e	Charge/e
ZnO	Zn	0	339.845	32.155
		0.10	340.959	31.041
		0.25	340.805	31.195
	O	0	211.328	–31.328
		0.10	209.399	–29.399
		0.25	210.394	–30.394
β–Bi₂O₃	Bi	0	158.342	21.658
		0.10	160.337	19.663
		0.25	159.098	20.902
	O	0	136.486	–22.486
		0.10	135.304	–21.304
		0.25	135.703	–21.703

下载: 导出CSV

map

[1]	李鹏, 李金忠, 崔博源, 董勤晓, 时卫东, 赵志刚 2016 高电压技术 42 1068 Google Scholar Li P, Li J Z, Cui B Y, Dong Q X, Shi W D, Zhao Z G 2016 High Voltage Eng. 42 1068 Google Scholar
[2]	韩先才, 孙昕, 陈海波, 邱宁, 吕铎, 王宁华, 王晓宁, 张甲雷 2020 中国电机工程学报 40 4371 Google Scholar Han X C, Sun X, Chen H B, Qiu N, Lv D, Wang N H, Zhang J L 2020 Chin. Soc. Elec. Eng. 40 4371 Google Scholar
[3]	陈家宏, 赵淳, 谷山强, 向念文, 王宇, 雷梦飞 2016 高电压技术 42 3361 Google Scholar Chen J H, Zhao C, Gu S Q, Xiang N W, Wang Y, Lei M F 2016 High Voltage Eng. 42 3361 Google Scholar
[4]	何金良, 刘俊, 胡军, 龙望成 2011 高电压技术 37 634 Google Scholar He J L, Liu J, Hu J, Long W C 2011 High Voltage Eng. 37 634 Google Scholar
[5]	Finnis M W 1996 Phys. Condens. Matter 8 5811 Google Scholar
[6]	刘建科, 陈永佳, 崔永宏, 韩晨, 张诚, 范亚红, 梁楚轩 2016 硅酸盐学报 44 1736 Google Scholar Liu J K, Chen Y J, Cui Y H, Han C, Zhang C, Fan Y H, Liang C X 2016 Chin Ceram Soc. 44 1736 Google Scholar
[7]	Wang F G, Lv M S, Pang Z Y, Yang T L, Dai Y, Han S H 2008 Appl. Surf. Sci. 254 6983 Google Scholar
[8]	Huang W G, Cai J, Hu J, Zhu J F, Yang F, Bao X 2021 Chin. J. Catal. 42 971 Google Scholar
[9]	孟鹏飞, 胡军, 邬锦波, 何金良 2017 中国电机工程学报 37 7377 Google Scholar Meng P F, Hu J, Wu J B, He J L 2017 Chin. Soc. Elec. Eng. 37 7377 Google Scholar
[10]	黄炳铨, 周铁戈, 吴道雄, 张召富, 李百奎 2019 68 246301 Google Scholar Huang B Q, Zhou T G, Wu D X, Zhang Z F, Li B K 2019 Acta Phys. Sin. 68 246301 Google Scholar
[11]	Skidan B S, Maung Maung M’int 2007 Glass Ceram. 64 31 Google Scholar
[12]	孟鹏飞, 刘政, 曹伟, 杜传报, 周凯, 胡军 2021 中国电机工程学报 41 1588 Google Scholar Meng P F, Liu Z, Cao W, Du C B, Zhou K, Hu j 2021 Chin. Soc. Elec. Eng. 41 1588 Google Scholar
[13]	赵学童, 李建英, 李欢, 李盛涛 2012 61 147 Google Scholar Zhao X T, Li J Y, Li H, Li S T 2012 Acta Phys. Sin. 61 147 Google Scholar
[14]	Onreabroy W, Sirikulrat N, Brown A P, Hammond C, Milne S J 2006 Solid State Ionics 177 411 Google Scholar
[15]	徐彭寿, 孙玉明, 施朝淑, 徐法强, 潘海斌 2001 中国科学(A辑) 04 358 Google Scholar Xu P S, Sun Y M, Shi C S, Xu F Q, Pan H B 2001 Sci. China, Ser. A Math. 04 358 Google Scholar
[16]	徐彭寿, 孙玉明, 施朝淑, 徐法强, 潘海斌 2002 红外与毫米波学报 S1 91 Xu P S, Sun Y M, Shi C S, Xu F Q, Pan H B 2002 J. Infrared Millimeter Waves S1 91 (in Chinese)
[17]	李亚莎, 黄太焕, 谢云龙, 徐程, 刘国成 2019 原子与分子 36 1003 Google Scholar Li Y S, Huang T H, Xu C, Liu G C 2019 J. At. Mol. Phys. 36 1003 Google Scholar
[18]	成鹏飞, 李盛涛, 李建英 2010 59 560 Google Scholar Cheng P F, Li S T, Li J Y 2010 Acta Phys. Sin. 59 560 Google Scholar
[19]	Li P, Chen Z H, Yao P, Zhang F J, Wang J W, Song Y, Zuo X 2019 Appl. Surf. Sci. 483 231 Google Scholar
[20]	马昌敏, 刘廷禹, 常秋香, 罗国胤 2016 高等学校化学学报 37 932 Google Scholar Ma C M, Liu T Y, Chang Q X, Luo G Y 2016 Chem. J. Chin. Univ. 37 932 Google Scholar
[21]	Eda K 1982 Materials Research Society Symposia Proceedings, Grain Boundaries in Semiconductors 05 381
[22]	张宁 2018 硕士学位论文 (贵州: 贵州大学) Zhang N 2018 M. S. Thesis (Guizhou: Guizhou University) (in Chinese)
[23]	Slavko Bernik, Cheng L H, Matejka Podlogar, Li G R 2018 Ceramics-Silikáty 62 8 Google Scholar
[24]	Gupta T K, Carlson W G 1982 Appl. Phys. 53 7401 Google Scholar
[25]	卢天, 陈飞武 2012 物理化学学报 28 1 Google Scholar Lu T, Chen F W 2012 Acta Phys. -Chem. Sin. 28 1 Google Scholar
[26]	王倩, 屠幼萍, 丁立健, 琚泽立 2011 中国科学: 技术科学 41 1128 Google Scholar Wang Q, Tu Y P, Ding L J, Ju Z L 2011 Sci. Sin. (Technologica) 41 1128 Google Scholar
[27]	Cheng C L, He J L, Hu J 2012 Appl. Phys. Lett. 101 173508 Google Scholar
[28]	张芳, 贾利群, 孙现亭, 戴宪起, 黄奇祥, 李伟 2020 69 157302 Google Scholar Zhang F, Jia L Q, Sun X T, Dai X Q, Huang Q X, Li W 2020 Acta Phys. Sin. 69 157302 Google Scholar
[29]	成鹏飞, 李盛涛, 焦兴六 2006 55 4253 Google Scholar Cheng P F, Li S T, Jiao X L 2006 Acta Phys. Sin. 55 4253 Google Scholar
[30]	Kang J, Wu F M, Li J B 2012 J. Phys. Condens. Matter 24 165301 Google Scholar
[31]	Francis Opoku, Penny Poomani Govender 2019 Mater. Chem. Phys. 224 107 Google Scholar

[1]	金程程, 丁玲玲, 宋子馨, 陶海军. BaTiO₃掺杂调控内建电场提升钙钛矿太阳能电池性能. , 2024, 73(3): 038801. doi: 10.7498/aps.73.20231139
[2]	刘冬季, 马圆圆, 何金柏, 王昊, 周远翔, 孙冠岳, 赵洪峰. 采用Ga掺杂的具有低泄漏电流和高稳定性避雷器ZnO压敏电阻. , 2023, 72(6): 067301. doi: 10.7498/aps.72.20222233
[3]	邓文娟, 朱斌, 王壮飞, 彭新村, 邹继军. 变掺杂变组分Al_xGa_1–xAs/GaAs反射式光电阴极分辨力特性. , 2022, 71(15): 157901. doi: 10.7498/aps.71.20220244
[4]	李亚莎, 刘世冲, 刘清东, 夏宇, 胡豁然, 李光竹. 外电场下含有缔合缺陷的ZnO/β-Bi2O3界面电学性能研究. , 2021, (): . doi: 10.7498/aps.70.20210635
[5]	黄炳铨, 周铁戈, 吴道雄, 张召富, 李百奎. 空位及氮掺杂二维ZnO单层材料性质:第一性原理计算与分子轨道分析. , 2019, 68(24): 246301. doi: 10.7498/aps.68.20191258
[6]	王磊, 张冉冉, 方炜. 含缺陷碳纳米管及碳纳米豆荚静动力特性模拟研究. , 2019, 68(16): 166101. doi: 10.7498/aps.68.20190594
[7]	唐振鹏, 陈尾虹, 冉梦. 基于上证指数高频数据的中国资本市场微观特性研究. , 2017, 66(12): 120203. doi: 10.7498/aps.66.120203
[8]	邢兰俊, 常永勤, 邵长景, 王琳, 龙毅. Sn掺杂ZnO薄膜的室温气敏性能及其气敏机理. , 2016, 65(9): 097302. doi: 10.7498/aps.65.097302
[9]	谷文萍, 张林, 李清华, 邱彦章, 郝跃, 全思, 刘盼枝. 中子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电特性的影响. , 2014, 63(4): 047202. doi: 10.7498/aps.63.047202
[10]	赵凤岐, 张敏, 李志强, 姬延明. 纤锌矿In0.19Ga0.81N/GaN量子阱中光学声子和内建电场对束缚极化子结合能的影响. , 2014, 63(17): 177101. doi: 10.7498/aps.63.177101
[11]	邓文娟, 彭新村, 邹继军, 江少涛, 郭栋, 张益军, 常本康. 变组分AlGaAs/GaAs透射式光电阴极分辨力特性分析. , 2014, 63(16): 167902. doi: 10.7498/aps.63.167902
[12]	王凯悦, 朱玉梅, 李志宏, 田玉明, 柴跃生, 赵志刚, 刘开. 氮掺杂金刚石{100}晶面的缺陷发光特性. , 2013, 62(9): 097803. doi: 10.7498/aps.62.097803
[13]	马晶, 车驰, 于思源, 谭丽英, 周彦平, 王健. 光纤布拉格光栅辐射损伤及其对光谱特性的影响. , 2012, 61(6): 064201. doi: 10.7498/aps.61.064201
[14]	蔡志鹏, 杨文正, 唐伟东, 侯洵. 大梯度指数掺杂透射式GaAs光电阴极响应特性的理论分析. , 2012, 61(18): 187901. doi: 10.7498/aps.61.187901
[15]	张培健, 孟洋, 刘紫玉, 潘新宇, 梁学锦, 陈东敏, 赵宏武. 缺陷分布对Ag-SiO2薄膜电阻翻转效应的影响. , 2012, 61(10): 107703. doi: 10.7498/aps.61.107703
[16]	肖振林, 史力斌. 利用第一性原理研究Ni掺杂ZnO铁磁性起源. , 2011, 60(2): 027502. doi: 10.7498/aps.60.027502
[17]	邹继军, 常本康, 杨智, 张益军, 乔建良. 指数掺杂GaAs光电阴极分辨力特性分析. , 2009, 58(8): 5842-5846. doi: 10.7498/aps.58.5842
[18]	申晔, 邢怀中, 俞建国, 吕斌, 茅惠兵, 王基庆. 极化诱导的内建电场对Mn δ掺杂的GaN/AlGaN量子阱居里温度的调制. , 2007, 56(6): 3453-3457. doi: 10.7498/aps.56.3453
[19]	陈志权, 河裾厚男. He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究. , 2006, 55(8): 4353-4357. doi: 10.7498/aps.55.4353
[20]	孙贤开, 林碧霞, 朱俊杰, 张杨, 傅竹西. LP-MOCVD异质外延ZnO薄膜中的应力及对缺陷的影响. , 2005, 54(6): 2899-2903. doi: 10.7498/aps.54.2899

计量

文章访问数: 4746
PDF下载量: 77
被引次数: 0

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

搜索

留言板

外电场下含有缔合缺陷的ZnO/${\boldsymbol{\beta }}$-Bi₂O₃界面电学性能

Electrical properties of ZnO/${\boldsymbol{\beta}} $-Bi₂O₃ interfaces featuring aggregation defect under external electric fields

摘要

Abstract

作者及机构信息

三峡大学电气与新能源学院, 宜昌　443002

通信作者: 李亚莎, liyasha@ctgu.edu.cn

Authors and contacts

College of Electrical and New Energy, Three Gorge University, Yichang 443002, China

Corresponding author: Li Ya-Sha, liyasha@ctgu.edu.cn

文章全文 : translate this paragraph

参考文献

施引文献

目录

计量

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

外电场下含有缔合缺陷的ZnO/${\boldsymbol{\beta }}$-Bi2O3界面电学性能

Electrical properties of ZnO/${\boldsymbol{\beta}} $-Bi2O3 interfaces featuring aggregation defect under external electric fields

摘要

Abstract

作者及机构信息

三峡大学电气与新能源学院, 宜昌 443002

通信作者: 李亚莎, liyasha@ctgu.edu.cn

Authors and contacts

College of Electrical and New Energy, Three Gorge University, Yichang 443002, China

Corresponding author: Li Ya-Sha, liyasha@ctgu.edu.cn

文章全文 : translate this paragraph

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

外电场下含有缔合缺陷的ZnO/${\boldsymbol{\beta }}$-Bi₂O₃界面电学性能

Electrical properties of ZnO/${\boldsymbol{\beta}} $-Bi₂O₃ interfaces featuring aggregation defect under external electric fields

三峡大学电气与新能源学院, 宜昌　443002