| [1] |
吕玲, 邢木涵, 薛博瑞, 曹艳荣, 胡培培, 郑雪峰, 马晓华, 郝跃. 重离子辐射对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管低频噪声特性的影响.
,
2024, 73(3): 036103.
doi: 10.7498/aps.73.20221360
|
| [2] |
刘乃漳, 姚若河, 耿魁伟. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型.
,
2021, 70(21): 217301.
doi: 10.7498/aps.70.20210700
|
| [3] |
张雪冰, 刘乃漳, 姚若河. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中二维电子气的极化光学声子散射.
,
2020, 69(15): 157303.
doi: 10.7498/aps.69.20200250
|
| [4] |
郝蕊静, 郭红霞, 潘霄宇, 吕玲, 雷志锋, 李波, 钟向丽, 欧阳晓平, 董世剑. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件中子位移损伤效应及机理.
,
2020, 69(20): 207301.
doi: 10.7498/aps.69.20200714
|
| [5] |
刘旭阳, 张贺秋, 李冰冰, 刘俊, 薛东阳, 王恒山, 梁红伟, 夏晓川. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管温度传感器特性.
,
2020, 69(4): 047201.
doi: 10.7498/aps.69.20190640
|
| [6] |
刘静, 王琳倩, 黄忠孝. 基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应.
,
2019, 68(24): 248501.
doi: 10.7498/aps.68.20191311
|
| [7] |
郭海君, 段宝兴, 袁嵩, 谢慎隆, 杨银堂. 具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析.
,
2017, 66(16): 167301.
doi: 10.7498/aps.66.167301
|
| [8] |
张力, 林志宇, 罗俊, 王树龙, 张进成, 郝跃, 戴扬, 陈大正, 郭立新. 具有p-GaN岛状埋层耐压结构的横向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.
,
2017, 66(24): 247302.
doi: 10.7498/aps.66.247302
|
| [9] |
王凯, 邢艳辉, 韩军, 赵康康, 郭立建, 于保宁, 邓旭光, 范亚明, 张宝顺. 掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究.
,
2016, 65(1): 016802.
doi: 10.7498/aps.65.016802
|
| [10] |
王冲, 赵梦荻, 裴九清, 何云龙, 李祥东, 郑雪峰, 毛维, 马晓华, 张进成, 郝跃. AlGaN/GaN双异质结F注入增强型高电子迁移率晶体管.
,
2016, 65(3): 038501.
doi: 10.7498/aps.65.038501
|
| [11] |
谷文萍, 张林, 李清华, 邱彦章, 郝跃, 全思, 刘盼枝. 中子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电特性的影响.
,
2014, 63(4): 047202.
doi: 10.7498/aps.63.047202
|
| [12] |
任舰, 闫大为, 顾晓峰. AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究.
,
2013, 62(15): 157202.
doi: 10.7498/aps.62.157202
|
| [13] |
马骥刚, 马晓华, 张会龙, 曹梦逸, 张凯, 李文雯, 郭星, 廖雪阳, 陈伟伟, 郝跃. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型.
,
2012, 61(4): 047301.
doi: 10.7498/aps.61.047301
|
| [14] |
吕玲, 张进成, 李亮, 马晓华, 曹艳荣, 郝跃. 3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响.
,
2012, 61(5): 057202.
doi: 10.7498/aps.61.057202
|
| [15] |
毛维, 杨翠, 郝跃, 张进成, 刘红侠, 马晓华, 王冲, 张金风, 杨林安, 许晟瑞, 毕志伟, 周洲, 杨凌, 王昊. 场板抑制GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究.
,
2011, 60(1): 017205.
doi: 10.7498/aps.60.017205
|
| [16] |
王冲, 全思, 马晓华, 郝跃, 张进城, 毛维. 增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究.
,
2010, 59(10): 7333-7337.
doi: 10.7498/aps.59.7333
|
| [17] |
魏 巍, 郝 跃, 冯 倩, 张进城, 张金凤. AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析.
,
2008, 57(4): 2456-2461.
doi: 10.7498/aps.57.2456
|
| [18] |
林若兵, 王欣娟, 冯 倩, 王 冲, 张进城, 郝 跃. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究.
,
2008, 57(7): 4487-4491.
doi: 10.7498/aps.57.4487
|
| [19] |
李 潇, 张海英, 尹军舰, 刘 亮, 徐静波, 黎 明, 叶甜春, 龚 敏. 磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究.
,
2007, 56(7): 4117-4121.
doi: 10.7498/aps.56.4117
|
| [20] |
李 潇, 刘 亮, 张海英, 尹军舰, 李海鸥, 叶甜春, 龚 敏. 一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型.
,
2006, 55(7): 3617-3621.
doi: 10.7498/aps.55.3617
|
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