| [1] |
郝蕊静, 郭红霞, 潘霄宇, 吕玲, 雷志锋, 李波, 钟向丽, 欧阳晓平, 董世剑. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件中子位移损伤效应及机理.
,
2020, 69(20): 207301.
doi: 10.7498/aps.69.20200714
|
| [2] |
刘燕丽, 王伟, 董燕, 陈敦军, 张荣, 郑有炓. 结构参数对N极性面GaN/InAlN高电子迁移率晶体管性能的影响.
,
2019, 68(24): 247203.
doi: 10.7498/aps.68.20191153
|
| [3] |
王凯, 邢艳辉, 韩军, 赵康康, 郭立建, 于保宁, 邓旭光, 范亚明, 张宝顺. 掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究.
,
2016, 65(1): 016802.
doi: 10.7498/aps.65.016802
|
| [4] |
安霞, 黄如, 李志强, 云全新, 林猛, 郭岳, 刘朋强, 黎明, 张兴. 高迁移率Ge沟道器件研究进展.
,
2015, 64(20): 208501.
doi: 10.7498/aps.64.208501
|
| [5] |
谷文萍, 张林, 李清华, 邱彦章, 郝跃, 全思, 刘盼枝. 中子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电特性的影响.
,
2014, 63(4): 047202.
doi: 10.7498/aps.63.047202
|
| [6] |
董海明. 低温下二硫化钼电子迁移率研究.
,
2013, 62(20): 206101.
doi: 10.7498/aps.62.206101
|
| [7] |
任舰, 闫大为, 顾晓峰. AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究.
,
2013, 62(15): 157202.
doi: 10.7498/aps.62.157202
|
| [8] |
余晨辉, 罗向东, 周文政, 罗庆洲, 刘培生. 新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究.
,
2012, 61(20): 207301.
doi: 10.7498/aps.61.207301
|
| [9] |
石巍巍, 李雯, 仪明东, 解令海, 韦玮, 黄维. 基于栅绝缘层表面修饰的有机场效应晶体管迁移率的研究进展.
,
2012, 61(22): 228502.
doi: 10.7498/aps.61.228502
|
| [10] |
李斌, 刘红侠, 袁博, 李劲, 卢凤铭. 应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型.
,
2011, 60(1): 017202.
doi: 10.7498/aps.60.017202
|
| [11] |
毛维, 杨翠, 郝跃, 张进成, 刘红侠, 马晓华, 王冲, 张金风, 杨林安, 许晟瑞, 毕志伟, 周洲, 杨凌, 王昊. 场板抑制GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究.
,
2011, 60(1): 017205.
doi: 10.7498/aps.60.017205
|
| [12] |
张金风, 王平亚, 薛军帅, 周勇波, 张进成, 郝跃. 高电子迁移率晶格匹配InAlN/GaN材料研究.
,
2011, 60(11): 117305.
doi: 10.7498/aps.60.117305
|
| [13] |
王冲, 全思, 马晓华, 郝跃, 张进城, 毛维. 增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管高温退火研究.
,
2010, 59(10): 7333-7337.
doi: 10.7498/aps.59.7333
|
| [14] |
林若兵, 王欣娟, 冯 倩, 王 冲, 张进城, 郝 跃. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究.
,
2008, 57(7): 4487-4491.
doi: 10.7498/aps.57.4487
|
| [15] |
李 潇, 张海英, 尹军舰, 刘 亮, 徐静波, 黎 明, 叶甜春, 龚 敏. 磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究.
,
2007, 56(7): 4117-4121.
doi: 10.7498/aps.56.4117
|
| [16] |
周文政, 林 铁, 商丽燕, 黄志明, 朱 博, 崔利杰, 高宏玲, 李东临, 郭少令, 桂永胜, 褚君浩. 双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究.
,
2007, 56(7): 4143-4147.
doi: 10.7498/aps.56.4143
|
| [17] |
李志锋, 陆 卫, 叶红娟, 袁先璋, 沈学础, G.Li, S.J.Chua. GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究.
,
2000, 49(8): 1614-1619.
doi: 10.7498/aps.49.1614
|
| [18] |
蒋春萍, 桂永胜, 郑国珍, 马智训, 李 标, 郭少令, 褚君浩. n-Hg0.80Mg0.20Te界面积累层中二维电子气的输运特性研究.
,
2000, 49(9): 1804-1808.
doi: 10.7498/aps.49.1804
|
| [19] |
娄志东, 徐 征, 徐春祥, 于 磊, 滕 枫, 徐叙. 电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率.
,
1998, 47(1): 139-145.
doi: 10.7498/aps.47.139
|
| [20] |
刘坤, 褚君浩, 李标, 汤定元. p-HgCdTe反型层中子能带电子的基态能量.
,
1994, 43(2): 267-273.
doi: 10.7498/aps.43.267
|
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