| [1] |
任国梁, 申开波, 刘永佳, 刘英光. 类石墨烯氮化碳结构(C3N)热传导机理研究.
,
2023, 72(1): 013102.
doi: 10.7498/aps.72.20221441
|
| [2] |
刘晨曦, 庞国旺, 潘多桥, 史蕾倩, 张丽丽, 雷博程, 赵旭才, 黄以能. 电场对GaN/g-C3N4异质结电子结构和光学性质影响的第一性原理研究.
,
2022, 71(9): 097301.
doi: 10.7498/aps.71.20212261
|
| [3] |
- 翟顺成, 郭平, 郑继明, 赵普举, 索兵兵, 万云,
. 第一性原理研究O和S掺杂的石墨相氮化碳(g-C3N4)6量子点电子结构和光吸收性质.
,
2017, 66(18): 187102.
doi: 10.7498/aps.66.187102
|
| [4] |
彭方, 张庆礼, 王小飞, 张会丽, 丁守军, 刘文鹏, 罗建乔, 孙敦陆, 孙贵花. Nd3+:SrY2O4粉体的制备、结构与光谱性能研究.
,
2016, 65(1): 014211.
doi: 10.7498/aps.65.014211
|
| [5] |
魏强. 基于4A势能面研究C(3P)+NO(X2)CO(X1+)+N(4S)反应的立体动力学性质.
,
2015, 64(17): 173401.
doi: 10.7498/aps.64.173401
|
| [6] |
罗庆洪, 陆永浩, 娄艳芝. Ti-B-C-N纳米复合薄膜结构及力学性能研究.
,
2011, 60(8): 086802.
doi: 10.7498/aps.60.086802
|
| [7] |
李红凯, 林国强, 董闯. 脉冲偏压电弧离子镀C-N-V薄膜的成分、结构与性能.
,
2010, 59(6): 4296-4302.
doi: 10.7498/aps.59.4296
|
| [8] |
唐春梅, 陈宣, 邓开明, 胡凤兰, 黄德财, 夏海燕. 富勒烯衍生物C60（CF3）n（n=2，4，6，10）几何结构和电子性质变化规律的密度泛函研究.
,
2009, 58(4): 2675-2679.
doi: 10.7498/aps.58.2675
|
| [9] |
喻利花, 董松涛, 董师润, 许俊华. AlN/Si3N4纳米多层膜的外延生长与力学性能.
,
2008, 57(8): 5151-5158.
doi: 10.7498/aps.57.5151
|
| [10] |
陈玉红, 康 龙, 张材荣, 罗永春, 元丽华, 李延龙. (Ca3N2)n(n=1—4)团簇结构与性质的密度泛函理论研究.
,
2008, 57(10): 6265-6270.
doi: 10.7498/aps.57.6265
|
| [11] |
潘洪哲, 徐 明, 祝文军, 周海平. β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究.
,
2006, 55(7): 3585-3589.
doi: 10.7498/aps.55.3585
|
| [12] |
赵新新, 陶向明, 陈文斌, 陈 鑫, 尚学府, 谭明秋. Cu(100)表面c(2×2)-N原子结构与吸附行为研究.
,
2006, 55(11): 6001-6007.
doi: 10.7498/aps.55.6001
|
| [13] |
俞笑竹, 王婷婷, 叶 超, 宁兆元. 掺CH4的SiCOH低介电常数薄膜结构与介电性能研究.
,
2005, 54(11): 5417-5421.
doi: 10.7498/aps.54.5417
|
| [14] |
吴志国, 张伟伟, 白利峰, 王 君, 阎鹏勋. 纳米Cu3N薄膜的制备与性能.
,
2005, 54(4): 1687-1692.
doi: 10.7498/aps.54.1687
|
| [15] |
辛煜, 宁兆元, 甘肇强, 陆新华, 方亮, 程珊华. 不同CHF3/CH4流量比下沉积a-C∶F∶H薄膜键结构的红外分析.
,
2001, 50(12): 2492-2496.
doi: 10.7498/aps.50.2492
|
| [16] |
张永平, 顾有松, 高鸿钧, 张秀芳. 微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的结构研究.
,
2001, 50(7): 1396-1400.
doi: 10.7498/aps.50.1396
|
| [17] |
翟光杰, 杨建树, 陈显邦, 王学森. Si(111)表面在NH3气氛下形成Si3N4薄膜的STM研究.
,
2000, 49(2): 215-219.
doi: 10.7498/aps.49.215
|
| [18] |
陈俊芳, 吴先球, 王德秋, 丁振峰, 任兆杏. ECR-PECVD制备Si3N4薄膜沉积工艺的研究.
,
1999, 48(7): 1309-1314.
doi: 10.7498/aps.48.1309
|
| [19] |
吴大维, 付德君, 毛先唯, 叶明生, 彭友贵, 范湘军. C3N4/TiN交替复合膜的微结构研究.
,
1999, 48(5): 904-912.
doi: 10.7498/aps.48.904
|
| [20] |
段玉华, 张开明, 谢希德. β-C3N4,β-Si3N4和β-Ge3N4的能带结构.
,
1996, 45(3): 512-517.
doi: 10.7498/aps.45.512
|
下载:
