| [1] |
李裕, 罗江山, 王柱, 杨蒙生, 邢丕峰, 易勇, 雷海乐. 铝纳米晶的正电子湮没研究.
,
2014, 63(24): 247803.
doi: 10.7498/aps.63.247803
|
| [2] |
杨昆, 刘新新, 李晓苇. 数据插值对正电子发射断层成像设备的图像重建影响的研究.
,
2013, 62(14): 147802.
doi: 10.7498/aps.62.147802
|
| [3] |
朱正和, 付依备. 分子XH(X=O, S, Se和 Te)中的正电子能级与正电子原子.
,
2011, 60(4): 040302.
doi: 10.7498/aps.60.040302
|
| [4] |
张杰, 陈祥磊, 郝颖萍, 叶邦角, 杜淮江. 闪锌矿结构晶体的正电子体寿命计算.
,
2010, 59(8): 5828-5832.
doi: 10.7498/aps.59.5828
|
| [5] |
熊涛, 张杰, 陈祥磊, 叶邦角, 杜淮江, 翁惠民. 单晶固体中正电子波函数的计算.
,
2010, 59(10): 7374-7377.
doi: 10.7498/aps.59.7374
|
| [6] |
郝颖萍, 陈祥磊, 成斌, 孔伟, 许红霞, 杜淮江, 叶邦角. SmFeAsO材料的正电子寿命研究.
,
2010, 59(4): 2789-2794.
doi: 10.7498/aps.59.2789
|
| [7] |
王海云, 翁惠民, Ling C. C.. GaN/SiC异质结的慢正电子研究.
,
2008, 57(9): 5906-5910.
doi: 10.7498/aps.57.5906
|
| [8] |
陈祥磊, 郗传英, 叶邦角, 翁惠民. 碳纳米管束中的正电子理论.
,
2007, 56(11): 6695-6700.
doi: 10.7498/aps.56.6695
|
| [9] |
刘华锋. 利用作用深度信息提高正电子断层成像仪分辨率一致性.
,
2006, 55(10): 5186-5190.
doi: 10.7498/aps.55.5186
|
| [10] |
刘丽华, 董成, 邓冬梅, 陈镇平, 张金仓. Fe掺杂YBCO体系结构变化与团簇效应的正电子实验研究.
,
2001, 50(4): 769-774.
doi: 10.7498/aps.50.769
|
| [11] |
余超凡, 陈斌, 何国柱. 巡游电子系统中电子-声子相互作用对磁性激发的影响.
,
1994, 43(5): 839-845.
doi: 10.7498/aps.43.839
|
| [12] |
傅荣堂, 李列明, 孙鑫, 傅柔励. 高分子中的电子-声子相互作用与非线性光学极化率.
,
1993, 42(3): 422-430.
doi: 10.7498/aps.42.422
|
| [13] |
王小刚. 铝中单空位正电子态的完全自洽计算.
,
1993, 42(11): 1836-1844.
doi: 10.7498/aps.42.1836
|
| [14] |
王小刚, 张宏. 铝中氢-空位复合体的正电子湮没特性.
,
1992, 41(4): 633-639.
doi: 10.7498/aps.41.633
|
| [15] |
熊兴民. 氢和温度对质子辐照硅的正电子捕获的影响.
,
1992, 41(1): 162-169.
doi: 10.7498/aps.41.162
|
| [16] |
韩荣典, 郭学哲, 翁惠民, 谢力, 张少强. 慢正电子束产生实验.
,
1988, 37(9): 1517-1521.
doi: 10.7498/aps.37.1517
|
| [17] |
王蕴玉, 潘孝良, 雷振玺, 杨巨华. 用正电子湮没方法研究快离子导体.
,
1987, 36(4): 514-517.
doi: 10.7498/aps.36.514
|
| [18] |
杨洪宁, 林步镇, 方俊鑫. 准正电子偶素弛豫机制的研究.
,
1986, 35(6): 697-703.
doi: 10.7498/aps.35.697
|
| [19] |
王国文. 晶体的单电子能级对称性与声子对称性的决定方法.
,
1966, 22(2): 197-204.
doi: 10.7498/aps.22.197
|
| [20] |
金星南. 电子与正电子散射的辐射修正.
,
1955, 11(2): 149-162.
doi: 10.7498/aps.11.149
|
下载:
