| [1] |
田金朋, 王硕培, 时东霞, 张广宇. 垂直短沟道二硫化钼场效应晶体管.
,
2022, 71(21): 218502.
doi: 10.7498/aps.71.20220738
|
| [2] |
张梦, 姚若河, 刘玉荣. 纳米尺度金属-氧化物半导体场效应晶体管沟道热噪声模型.
,
2020, 69(5): 057101.
doi: 10.7498/aps.69.20191512
|
| [3] |
张梦, 姚若河, 刘玉荣, 耿魁伟. 短沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管的散粒噪声模型.
,
2020, 69(17): 177102.
doi: 10.7498/aps.69.20200497
|
| [4] |
陈航宇, 宋建军, 张洁, 胡辉勇, 张鹤鸣. 小尺寸单轴应变Si PMOS沟道晶面/晶向选择实验新发现.
,
2018, 67(6): 068501.
doi: 10.7498/aps.67.20172138
|
| [5] |
宁冰旭, 胡志远, 张正选, 毕大炜, 黄辉祥, 戴若凡, 张彦伟, 邹世昌. 总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响.
,
2013, 62(7): 076104.
doi: 10.7498/aps.62.076104
|
| [6] |
张文涛, 朱保华, 汪杰君, 熊显名, 黄雅琴. 沟道效应作用下中性原子在激光驻波场中的沉积特性研究.
,
2013, 62(24): 243201.
doi: 10.7498/aps.62.243201
|
| [7] |
李立, 刘红侠, 杨兆年. 量子阱Si/SiGe/Sip型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型.
,
2012, 61(16): 166101.
doi: 10.7498/aps.61.166101
|
| [8] |
胡志远, 刘张李, 邵华, 张正选, 宁冰旭, 毕大炜, 陈明, 邹世昌. 深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.
,
2012, 61(5): 050702.
doi: 10.7498/aps.61.050702
|
| [9] |
强蕾, 姚若河. 非晶硅薄膜晶体管沟道中阈值电压及温度的分布.
,
2012, 61(8): 087303.
doi: 10.7498/aps.61.087303
|
| [10] |
陈灿, 佟亚军, 谢红兰, 肖体乔. Laue弯晶聚焦特性的光线追迹研究.
,
2012, 61(10): 104102.
doi: 10.7498/aps.61.104102
|
| [11] |
彭海波, 王铁山, 韩运成, 丁大杰, 徐 鹤, 程 锐, 赵永涛, 王瑜玉. 高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究.
,
2008, 57(4): 2161-2164.
doi: 10.7498/aps.57.2161
|
| [12] |
邵明珠, 罗诗裕. 正弦平方势与带电粒子沟道效应的能带结构.
,
2007, 56(6): 3407-3410.
doi: 10.7498/aps.56.3407
|
| [13] |
李艳萍, 徐静平, 陈卫兵, 许胜国, 季 峰. 考虑量子效应的短沟道MOSFET二维阈值电压模型.
,
2006, 55(7): 3670-3676.
doi: 10.7498/aps.55.3670
|
| [14] |
罗诗裕, 谭永明, 邵明珠, 韦洛霞, 邓立虎. 沟道效应的运动阻尼与系统走向混沌的临界特征.
,
2004, 53(4): 1157-1161.
doi: 10.7498/aps.53.1157
|
| [15] |
邵明珠. 变曲率弯晶的粒子退道行为.
,
1992, 41(11): 1825-1829.
doi: 10.7498/aps.41.1825
|
| [16] |
吴春武, 殷士端, 张敬平, 肖光明, 刘家瑞, 朱沛然. InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应.
,
1989, 38(1): 83-90.
doi: 10.7498/aps.38.83
|
| [17] |
罗诗裕, 邵明珠, 唐建宁, 刘曾荣. 弯晶沟道的混沌行为.
,
1988, 37(8): 1394-1400.
doi: 10.7498/aps.37.1394
|
| [18] |
刘家瑞, 章其初. 质子在α-LiIO3单晶中的沟道效应研究.
,
1987, 36(1): 54-59.
doi: 10.7498/aps.36.54
|
| [19] |
汤家镛, 葛启云, 陆福全, 孙昌年, 翁台蒙, 杨建军, 叶慧, 杨福家. 用沟道效应研究束箔离子的极化机制.
,
1984, 33(12): 1740-1744.
doi: 10.7498/aps.33.1740
|
| [20] |
葛庭燧, 张进修. 铝-0.5%铜合金中反常振幅效应内耗峰的进一步实验和位错弯结气团模型.
,
1966, 22(1): 71-82.
doi: 10.7498/aps.22.71
|
下载:
