1995年 44卷 第2期
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1995, 44(2): 169-176.
doi: 10.7498/aps.44.169
摘要:
提出了控制二维动力学系统中分岔和混沌的自适应方法,给出了控制强度的选取方法.并且对两个动力学系统——Henon映射和强迫布鲁塞尔振于的分岔和混沌进行了控制,取得了很好的结果.最后,将此方法与(OGY)Ott,Grebogi,Yorke缩写为控制方法进行了比较,讨论了将此方法推广到高维系统以及方程未知的动力学系统的可能性.
提出了控制二维动力学系统中分岔和混沌的自适应方法,给出了控制强度的选取方法.并且对两个动力学系统——Henon映射和强迫布鲁塞尔振于的分岔和混沌进行了控制,取得了很好的结果.最后,将此方法与(OGY)Ott,Grebogi,Yorke缩写为控制方法进行了比较,讨论了将此方法推广到高维系统以及方程未知的动力学系统的可能性.
1995, 44(2): 177-183.
doi: 10.7498/aps.44.177
摘要:
报道了在小信号激励下文献[1]电路系统出现的准周期、加周期序列和周期与混沌交替现象的实验结果.并用数值方法对实验电路的状态方程进行求解,通过绘制分岔图全面展示方程的解随参数变化的分布,计算结果完全验证了实验现象.
报道了在小信号激励下文献[1]电路系统出现的准周期、加周期序列和周期与混沌交替现象的实验结果.并用数值方法对实验电路的状态方程进行求解,通过绘制分岔图全面展示方程的解随参数变化的分布,计算结果完全验证了实验现象.
1995, 44(2): 184-188.
doi: 10.7498/aps.44.184
摘要:
简要叙述软x射线多层膜位相光栅的理论设计、实验制备,详细给出了在北京同步辐射装置3B1束线上对多层膜位相光栅衍射效率的测试,以及对测试结果的分析,并与理论值进行了比较.
简要叙述软x射线多层膜位相光栅的理论设计、实验制备,详细给出了在北京同步辐射装置3B1束线上对多层膜位相光栅衍射效率的测试,以及对测试结果的分析,并与理论值进行了比较.
1995, 44(2): 210-215.
doi: 10.7498/aps.44.210
摘要:
通过严格求解广义协变的电子运动方程,讨论了强激光等离子体中自由电子的经典行为.利用数值模拟,得到了自洽激光等离子体电磁场中自由电子运动的轨迹,并与平面波电磁场中自由电子的运动进行了比级.
通过严格求解广义协变的电子运动方程,讨论了强激光等离子体中自由电子的经典行为.利用数值模拟,得到了自洽激光等离子体电磁场中自由电子运动的轨迹,并与平面波电磁场中自由电子的运动进行了比级.
1995, 44(2): 189-195.
doi: 10.7498/aps.44.189
摘要:
讨论二维欧氏空间的sine-Gordon相图.应用泛函积分标准方法,引入各种不同的截断因子,得到不同的相图,进行了比较和讨论.
讨论二维欧氏空间的sine-Gordon相图.应用泛函积分标准方法,引入各种不同的截断因子,得到不同的相图,进行了比较和讨论.
1995, 44(2): 196-203.
doi: 10.7498/aps.44.196
摘要:
使用组态相互作用理论详细分析He的双重激发自电离态,以及第一电离阈植附近非谐振区e-He~+散射的位相移动,这种位相移动反映了非谐振区内电子——电子短程相互作用.获得了单重态和三重态的S,P,D分波的高精度位相移动,与现有理论计算结果相比,符合得很好.
使用组态相互作用理论详细分析He的双重激发自电离态,以及第一电离阈植附近非谐振区e-He~+散射的位相移动,这种位相移动反映了非谐振区内电子——电子短程相互作用.获得了单重态和三重态的S,P,D分波的高精度位相移动,与现有理论计算结果相比,符合得很好.
1995, 44(2): 204-209.
doi: 10.7498/aps.44.204
摘要:
用耦合波理论分析考虑了亚波长刻槽结构有限刻槽光栅对光波场的衍射作用,给出了TE偏振以及TM偏振入射下的耦合波方程,并通过数值计算给出了单槽及多槽在TE偏振正入射下的衍射场分布.
用耦合波理论分析考虑了亚波长刻槽结构有限刻槽光栅对光波场的衍射作用,给出了TE偏振以及TM偏振入射下的耦合波方程,并通过数值计算给出了单槽及多槽在TE偏振正入射下的衍射场分布.
1995, 44(2): 216-224.
doi: 10.7498/aps.44.216
摘要:
利用演化算符方法研究了最一般的二次型含时间的谐振子系统的时间演化和压缩态问题,进一步讨论了脉动质量的受迫谐振子系统的压缩态和高n压缩态.最后,构造了在时间演化过程中保持最小测不准关系的压缩相干态和高n压缩相干态.
利用演化算符方法研究了最一般的二次型含时间的谐振子系统的时间演化和压缩态问题,进一步讨论了脉动质量的受迫谐振子系统的压缩态和高n压缩态.最后,构造了在时间演化过程中保持最小测不准关系的压缩相干态和高n压缩相干态.
1995, 44(2): 225-232.
doi: 10.7498/aps.44.225
摘要:
采用MonteCarlo模拟方法研究了磁场对直流辉光放电阴极鞘层中电子输运过程的影响.磁场垂直于阴极鞘层中电场的方问.模型中,电子与中性粒子的碰撞过程有三种(弹性碰撞;激发碰撞和电离碰撞).电子的自由飞行步长由电子与中性粒子的碰撞频率来决定.计算了电子的密度分布,电子与中性粒子的非弹性碰撞速率,以及电子能量和电子通量分布等.结果表明,横向磁场能在一定程度上改变直流放电中电子的输运过程.磁场中电子与中性粒于的非弹性碰撞速率被增强,这一结果与实验结果符合较好.
采用MonteCarlo模拟方法研究了磁场对直流辉光放电阴极鞘层中电子输运过程的影响.磁场垂直于阴极鞘层中电场的方问.模型中,电子与中性粒子的碰撞过程有三种(弹性碰撞;激发碰撞和电离碰撞).电子的自由飞行步长由电子与中性粒子的碰撞频率来决定.计算了电子的密度分布,电子与中性粒子的非弹性碰撞速率,以及电子能量和电子通量分布等.结果表明,横向磁场能在一定程度上改变直流放电中电子的输运过程.磁场中电子与中性粒于的非弹性碰撞速率被增强,这一结果与实验结果符合较好.
1995, 44(2): 233-237.
doi: 10.7498/aps.44.233
摘要:
利用光学及扫描电子显微技术、X射线择优取向分析等手段对Al-Si合金的形貌、取向等特点进行了研究.结果表明:在自由凝固下,作为生核与领先相的硅晶体形态与凝固速度密切相关.在较低凝固速度下((几-几十)厘米/小时)硅晶核呈{111}面围成的八面体形态,择优生长方向为;而在较高凝固速度下((几十-几百)厘米/小时)硅晶核呈{100}面围成的六面体形态,择优生长方向为;中等凝固速度下的硅晶核具有由{100}和{111}面共同围成的复杂形态.共晶团生长过程中,硅相的分枝机制主要表现为择优生长方
利用光学及扫描电子显微技术、X射线择优取向分析等手段对Al-Si合金的形貌、取向等特点进行了研究.结果表明:在自由凝固下,作为生核与领先相的硅晶体形态与凝固速度密切相关.在较低凝固速度下((几-几十)厘米/小时)硅晶核呈{111}面围成的八面体形态,择优生长方向为;而在较高凝固速度下((几十-几百)厘米/小时)硅晶核呈{100}面围成的六面体形态,择优生长方向为;中等凝固速度下的硅晶核具有由{100}和{111}面共同围成的复杂形态.共晶团生长过程中,硅相的分枝机制主要表现为择优生长方
1995, 44(2): 238-243.
doi: 10.7498/aps.44.238
摘要:
用X射线粉末衍射测定C_6.单晶在室温下的晶体结构为面心立方(fcc).用差示扫描量热法仔细研究了汽相法生长的C_6.单晶的低温热力学性质,发现引起相变吸热峰异常的原因可能是溶剂化效应,并估算了溶剂化效应的影响为1.13J·B~(-1).通过改进单晶生长过程生长出的C_6.单晶的取向相变温度为261K,相变潜热为8·39J·g~(-1).估算了取向相变激活能为190kJ·mol~(-1).
用X射线粉末衍射测定C_6.单晶在室温下的晶体结构为面心立方(fcc).用差示扫描量热法仔细研究了汽相法生长的C_6.单晶的低温热力学性质,发现引起相变吸热峰异常的原因可能是溶剂化效应,并估算了溶剂化效应的影响为1.13J·B~(-1).通过改进单晶生长过程生长出的C_6.单晶的取向相变温度为261K,相变潜热为8·39J·g~(-1).估算了取向相变激活能为190kJ·mol~(-1).
1995, 44(2): 244-250.
doi: 10.7498/aps.44.244
摘要:
在室温至217℃的温度范围内对纳米固体Ag的热膨胀行为进行了实验研究.结果表明:制备态的纳米Ag(平均粒度25nm)的膨胀在温度低于100℃时主要是真实热(由原子的非简诣热振动引起的)膨胀,高于100℃时,出现与热焓释放过程相关的不可逆膨胀,随温度的升高此不可逆膨胀的贡献逐渐增大.经(以5K·min~(-1)升温至217℃)退大处理后的纳米Ag(平均粒度28nm)在实验温度范围(50
在室温至217℃的温度范围内对纳米固体Ag的热膨胀行为进行了实验研究.结果表明:制备态的纳米Ag(平均粒度25nm)的膨胀在温度低于100℃时主要是真实热(由原子的非简诣热振动引起的)膨胀,高于100℃时,出现与热焓释放过程相关的不可逆膨胀,随温度的升高此不可逆膨胀的贡献逐渐增大.经(以5K·min~(-1)升温至217℃)退大处理后的纳米Ag(平均粒度28nm)在实验温度范围(50
1995, 44(2): 251-258.
doi: 10.7498/aps.44.251
摘要:
用高分辨率电子能量损失谱研究了O_2和CO在有序合金表面Pd{θ01}c(2×2)-Ma上的共吸附.室温下,当CO的暴露量为1.0L(朗缪尔Langmuir)时,能量损失谱中位于253mcV的峰是由吸附于第一层中Pd原子顶位的CO的C—O伸缩振动引起的.继续暴露θ.1L的O_1之后,上述253meV峰的强度大大减弱.低温140K时,O_2和CO在Pd{001}C(2×2)-Mn上共吸附后测得的能量损失谱中出现了一个损失能量为285meV的新峰.在相同的CO的暴露量下,该峰的强度随预吸附的氧量的增加而增加.
用高分辨率电子能量损失谱研究了O_2和CO在有序合金表面Pd{θ01}c(2×2)-Ma上的共吸附.室温下,当CO的暴露量为1.0L(朗缪尔Langmuir)时,能量损失谱中位于253mcV的峰是由吸附于第一层中Pd原子顶位的CO的C—O伸缩振动引起的.继续暴露θ.1L的O_1之后,上述253meV峰的强度大大减弱.低温140K时,O_2和CO在Pd{001}C(2×2)-Mn上共吸附后测得的能量损失谱中出现了一个损失能量为285meV的新峰.在相同的CO的暴露量下,该峰的强度随预吸附的氧量的增加而增加.
1995, 44(2): 259-265.
doi: 10.7498/aps.44.259
摘要:
用X射线光电子能谱(XPS)研究了在室温和超高真空条件下金属Ti淀积在AlN陶瓷表面上的化学反应过程.在金属Ti淀积之前,从AlN陶瓷的能谱中的Ols和Al2P的结合能可以看到因是样品的主要杂质,而且样品表面部分的Al被氧化.当样品淀积了金属Ti以后,发现刚淀积上去的Ti是氧化状态,还发现在Ti淀积的同时则Nls在高结合能处(402和406eV)出现新峰.随着Ti淀积厚度的增加,Ti低结合能的成份在增加而Al的氧化成份逐渐增加,Nls高结合能处的峰(402和406eV)也逐渐增高,更进一步成为主导地.N在
用X射线光电子能谱(XPS)研究了在室温和超高真空条件下金属Ti淀积在AlN陶瓷表面上的化学反应过程.在金属Ti淀积之前,从AlN陶瓷的能谱中的Ols和Al2P的结合能可以看到因是样品的主要杂质,而且样品表面部分的Al被氧化.当样品淀积了金属Ti以后,发现刚淀积上去的Ti是氧化状态,还发现在Ti淀积的同时则Nls在高结合能处(402和406eV)出现新峰.随着Ti淀积厚度的增加,Ti低结合能的成份在增加而Al的氧化成份逐渐增加,Nls高结合能处的峰(402和406eV)也逐渐增高,更进一步成为主导地.N在
1995, 44(2): 266-272.
doi: 10.7498/aps.44.266
摘要:
分析了两种Cd(S,Se)薄膜的结构特征.讨论了薄膜在不同退火环境中的电导率、迁移率和载流子浓度随退火温度的变化规律.结果表明,空气中退火的掺杂烧结膜电导率随退火温度升高而减小,主要由迁移率减小所致;氮气中退火的烧结膜电导率随退火温度升高而增大,主要是由载流子浓度增大引起的.蒸发膜在不同气氛下退火,电导都随温度升高而增大,同时迁移率和载流于浓度都有增加.在光激发下,氮气和空气中退火的掺杂烧结膜表现出相反的温度依赖关系.利用Seto模型计算的结果与实验值基本符合.
分析了两种Cd(S,Se)薄膜的结构特征.讨论了薄膜在不同退火环境中的电导率、迁移率和载流子浓度随退火温度的变化规律.结果表明,空气中退火的掺杂烧结膜电导率随退火温度升高而减小,主要由迁移率减小所致;氮气中退火的烧结膜电导率随退火温度升高而增大,主要是由载流子浓度增大引起的.蒸发膜在不同气氛下退火,电导都随温度升高而增大,同时迁移率和载流于浓度都有增加.在光激发下,氮气和空气中退火的掺杂烧结膜表现出相反的温度依赖关系.利用Seto模型计算的结果与实验值基本符合.
1995, 44(2): 273-279.
doi: 10.7498/aps.44.273
摘要:
采用局域自旋密度近似(LSDA)下的线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)能带方法,通过计入在位库仑作用U的方法来考虑电子间的多体关联作用(简写成LSDA+U方法),同时还进一步使用了平均占有数近似.用这种方法对过渡金属氧化物NiO和MnO进行了计算,结果表明如果仅着眼于考虑磁性则可以采用本文中的近似方法,但当涉及能隙问题时,则必须考虑不同m态的不同占有情况.
采用局域自旋密度近似(LSDA)下的线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)能带方法,通过计入在位库仑作用U的方法来考虑电子间的多体关联作用(简写成LSDA+U方法),同时还进一步使用了平均占有数近似.用这种方法对过渡金属氧化物NiO和MnO进行了计算,结果表明如果仅着眼于考虑磁性则可以采用本文中的近似方法,但当涉及能隙问题时,则必须考虑不同m态的不同占有情况.
1995, 44(2): 280-286.
doi: 10.7498/aps.44.280
摘要:
利用Muffin-Tin轨道线性组合法(LMTO),采用Slab模型,计算了CdTe(111)表面的电子结构,给出总体、局域及分波态密度,该结果与同步辐射光电子谱实验结果符合.
利用Muffin-Tin轨道线性组合法(LMTO),采用Slab模型,计算了CdTe(111)表面的电子结构,给出总体、局域及分波态密度,该结果与同步辐射光电子谱实验结果符合.
1995, 44(2): 287-291.
doi: 10.7498/aps.44.287
摘要:
以机械抛光粗糙的铜表面为吸附衬底,在固/液系统中对Cl~-及其不同的存在方式对表面增强喇曼散射(SERS)效应和衬底表面的影响进行了较为系统的分析研究.结果表明,只有当适量的Cl~-以适当的方式存在时才对SERS产生影响;SERS衬底的表面形貌也随Cl~-作用方式的变化而变化.
以机械抛光粗糙的铜表面为吸附衬底,在固/液系统中对Cl~-及其不同的存在方式对表面增强喇曼散射(SERS)效应和衬底表面的影响进行了较为系统的分析研究.结果表明,只有当适量的Cl~-以适当的方式存在时才对SERS产生影响;SERS衬底的表面形貌也随Cl~-作用方式的变化而变化.
1995, 44(2): 292-298.
doi: 10.7498/aps.44.292
摘要:
报道了采用真空蒸镀的方法制备的MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性.Mn:Bi:Dy(Sm)的投料比为2:1:0.10.薄膜经过退出处理(350—425℃,保温4h)后,具有NiAs型hcp结构,C轴垂直膜面,剩余磁感应强度B=3.4-6.5kG,内禀矫顽力_MH_c≈3-8kOe,最大磁能积(BH)_(max)=13.39MG·Oe.实验发现,薄膜厚度对MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性具有很大的影响.
报道了采用真空蒸镀的方法制备的MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性.Mn:Bi:Dy(Sm)的投料比为2:1:0.10.薄膜经过退出处理(350—425℃,保温4h)后,具有NiAs型hcp结构,C轴垂直膜面,剩余磁感应强度B=3.4-6.5kG,内禀矫顽力_MH_c≈3-8kOe,最大磁能积(BH)_(max)=13.39MG·Oe.实验发现,薄膜厚度对MnBiDy(Sm)永磁膜的结构和磁性具有很大的影响.
1995, 44(2): 299-304.
doi: 10.7498/aps.44.299
摘要:
提出在量子阱中,由于连续态电子与LO声子相互作用,通过对量子阱进行某种设计,并以特定的激光频率入射,可以导致Raman谱中很强的Fano现象.以GaAs-Al_2Ga_(1-x)As为例计算了几种量子阱结构下的不对称参量q,并给出了相应的Fano线形
提出在量子阱中,由于连续态电子与LO声子相互作用,通过对量子阱进行某种设计,并以特定的激光频率入射,可以导致Raman谱中很强的Fano现象.以GaAs-Al_2Ga_(1-x)As为例计算了几种量子阱结构下的不对称参量q,并给出了相应的Fano线形
1995, 44(2): 305-311.
doi: 10.7498/aps.44.305
摘要:
利用多层溅射技术制备了不同组分的MoSi_x薄膜,然后研究其平面电阻的退火行为,发现平面电阻随薄膜成分呈现不同的变化趋势;对典型的MoSi_2和MoSi(?)两种成分的薄膜进行了系统的电阻率温度特性研究,发现多层薄膜在晶化之前和处于小晶粒时电阻率温度系数(TCR)为负值,并认为它和无序体系中电子的弱局域性有关.
利用多层溅射技术制备了不同组分的MoSi_x薄膜,然后研究其平面电阻的退火行为,发现平面电阻随薄膜成分呈现不同的变化趋势;对典型的MoSi_2和MoSi(?)两种成分的薄膜进行了系统的电阻率温度特性研究,发现多层薄膜在晶化之前和处于小晶粒时电阻率温度系数(TCR)为负值,并认为它和无序体系中电子的弱局域性有关.
1995, 44(2): 312-318.
doi: 10.7498/aps.44.312
摘要:
用光电子能谱研究了(Bi.Cd)Sr_2(Ln,Ce)_(?)Cu_2O_y的电子结构,以及其与铝之间的反应.芯能级结果表明:(Bi,Cd)Sr_2(Ln,Ce)_(?)Cu_2O_y系列中n=1,2和3三种材料的结果基本一致,并且类似其它超导材料中相同元素的芯能级结果.在(Bi,Cd)Sr_2(Ln,Ce)_(?)Cu_2O_y与铝的界面处,铝与(Bi,Cd)Sr_2(Ln,Ce)_(?)Cu_2O_y中的元素发生强烈反应,Bi—O,Sr—O和Cu—O键受到破坏,铜的价态从+2变为+1,并且同时伴随着超
用光电子能谱研究了(Bi.Cd)Sr_2(Ln,Ce)_(?)Cu_2O_y的电子结构,以及其与铝之间的反应.芯能级结果表明:(Bi,Cd)Sr_2(Ln,Ce)_(?)Cu_2O_y系列中n=1,2和3三种材料的结果基本一致,并且类似其它超导材料中相同元素的芯能级结果.在(Bi,Cd)Sr_2(Ln,Ce)_(?)Cu_2O_y与铝的界面处,铝与(Bi,Cd)Sr_2(Ln,Ce)_(?)Cu_2O_y中的元素发生强烈反应,Bi—O,Sr—O和Cu—O键受到破坏,铜的价态从+2变为+1,并且同时伴随着超
1995, 44(2): 328-336.
doi: 10.7498/aps.44.328
摘要:
考虑到有效钉扎势U(J)与临界电流密度的非线性关系,将U(J)展开为三级泰勒级数,最后推导出一个普遍适用于描述高温超导体磁弛豫的等温衰减方程,并用这一方程研究了具有高J_c,强钉扎的区域熔炼法制备YBa_2Cu_3O_(6+x)的磁弛豫,而且对目前被普遍采用的几个钉扎模型进行了讨论.
考虑到有效钉扎势U(J)与临界电流密度的非线性关系,将U(J)展开为三级泰勒级数,最后推导出一个普遍适用于描述高温超导体磁弛豫的等温衰减方程,并用这一方程研究了具有高J_c,强钉扎的区域熔炼法制备YBa_2Cu_3O_(6+x)的磁弛豫,而且对目前被普遍采用的几个钉扎模型进行了讨论.
1995, 44(2): 319-327.
doi: 10.7498/aps.44.319
摘要:
导出了CuCo合金自由能的多项式表达并考虑了Co的磁性对自由能的贡献,利用傅立叶变换计算机模拟详细研究了CuCo合金失稳分解过程.模拟结果表明,合金失稳分解过程可以分为三个阶段:最初的波长调制,中期的成分波增幅和后期的波包规则化和波长回复.分解温度对合金调制波长影响不大,但对分解动力学的影响显著.
导出了CuCo合金自由能的多项式表达并考虑了Co的磁性对自由能的贡献,利用傅立叶变换计算机模拟详细研究了CuCo合金失稳分解过程.模拟结果表明,合金失稳分解过程可以分为三个阶段:最初的波长调制,中期的成分波增幅和后期的波包规则化和波长回复.分解温度对合金调制波长影响不大,但对分解动力学的影响显著.
