1995年 44卷 第1期
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1995, 44(1): 1-8.
doi: 10.7498/aps.44.1
摘要:
通过五个解交换,四组非退化基本解和七组退化解,给出了精确可解统计模型理论中六顶角带谱参数杨-Baxter方程的全部解.并讨论了解的幺正条件.
通过五个解交换,四组非退化基本解和七组退化解,给出了精确可解统计模型理论中六顶角带谱参数杨-Baxter方程的全部解.并讨论了解的幺正条件.
1995, 44(1): 9-15.
doi: 10.7498/aps.44.9
摘要:
将修正Pschl-Teller势的Scbrdinger方程作自变量双曲函数变换,使其转化为普遍的associated-Legendre方程.用级数法解此方程,得到了用普遍的associated-Legendre多项式表示的修正Pschl-Teller势的束缚态的归一化波函数.文献[1—5]中的有关结果都作为特例包含在本文的一般结论之中.
将修正Pschl-Teller势的Scbrdinger方程作自变量双曲函数变换,使其转化为普遍的associated-Legendre方程.用级数法解此方程,得到了用普遍的associated-Legendre多项式表示的修正Pschl-Teller势的束缚态的归一化波函数.文献[1—5]中的有关结果都作为特例包含在本文的一般结论之中.
1995, 44(1): 16-23.
doi: 10.7498/aps.44.16
摘要:
用Hamiltouian随时间的变化率来定量地界定量子系统的“缓慢变化”,从而对绝热定理的表述做了改进,使它更精确其证明过程变得更简单,绝热近似的误差估计也被做得更直捷,并得到了(?)/(?)(?)相对于能量本征函数的非对角元的估计式.据此,对Berry相位和Wilczek-Zee算符的导出做了简化.而Berry相因于作为wilczek-Zee算符的特例这一点,也被表述得更加严格和清楚.
用Hamiltouian随时间的变化率来定量地界定量子系统的“缓慢变化”,从而对绝热定理的表述做了改进,使它更精确其证明过程变得更简单,绝热近似的误差估计也被做得更直捷,并得到了(?)/(?)(?)相对于能量本征函数的非对角元的估计式.据此,对Berry相位和Wilczek-Zee算符的导出做了简化.而Berry相因于作为wilczek-Zee算符的特例这一点,也被表述得更加严格和清楚.
1995, 44(1): 24-28.
doi: 10.7498/aps.44.24
摘要:
应用Schwinger变分原理,发展了计算量子散射跃迁矩阵元的双线性变分法.取最简单的试探函数得到的跃迁矩阵元的表示式相当于二级以上的Born近似,它的高能与低能极限分别包含了对Sudden近似与绝热近似的高级修正.
应用Schwinger变分原理,发展了计算量子散射跃迁矩阵元的双线性变分法.取最简单的试探函数得到的跃迁矩阵元的表示式相当于二级以上的Born近似,它的高能与低能极限分别包含了对Sudden近似与绝热近似的高级修正.
1995, 44(1): 29-34.
doi: 10.7498/aps.44.29
摘要:
结合验证Berry几何相因子的Tycko旋转样品核四极共振实验,针对简并情况进一步发展并完善了作者之一最近提出的量子绝热微扰理论.应用这个理论,详细分析了任意自旋情况下具有核四极矩的旋转样品在射频场中的共振吸收,指出了可能的新的实验现象.
结合验证Berry几何相因子的Tycko旋转样品核四极共振实验,针对简并情况进一步发展并完善了作者之一最近提出的量子绝热微扰理论.应用这个理论,详细分析了任意自旋情况下具有核四极矩的旋转样品在射频场中的共振吸收,指出了可能的新的实验现象.
1995, 44(1): 35-42.
doi: 10.7498/aps.44.35
摘要:
应用周期轨道确定技术找出了强迫布鲁塞尔振子的混沌吸引子中的不稳定周期轨道.应用Ott,Grebogi和Yorke的参数微调方法,使系统的运动状态由混沌变成所希望的周期运动.并且研究了这种控制的稳定性.最后提出了改进的控制方案,得到了更稳定、更好的结果.
应用周期轨道确定技术找出了强迫布鲁塞尔振子的混沌吸引子中的不稳定周期轨道.应用Ott,Grebogi和Yorke的参数微调方法,使系统的运动状态由混沌变成所希望的周期运动.并且研究了这种控制的稳定性.最后提出了改进的控制方案,得到了更稳定、更好的结果.
1995, 44(1): 43-49.
doi: 10.7498/aps.44.43
摘要:
在射频肼中,观察到两个相隔很近的射频共振吸收峰.适当改变囚禁电压、检测频率等条件时,两峰相对移动或演变为单峰,其特征可由两异荷离子云的耦合运动加以描述.
在射频肼中,观察到两个相隔很近的射频共振吸收峰.适当改变囚禁电压、检测频率等条件时,两峰相对移动或演变为单峰,其特征可由两异荷离子云的耦合运动加以描述.
1995, 44(1): 50-56.
doi: 10.7498/aps.44.50
摘要:
我们提出的相对论性多通道理论可以看作是传统的组态相互作用理论的发展.在我们现在的理论中不仅考虑束缚组态之间的相互作用,而且考虑束缚-连续及连续-连续组态之间的相互作用.根据这一理论可以直接计算多通道量子亏损理论的物理参数(μ-(?),U-(?)).理论计算的Ne原子的量子亏损μ-a与根据光谱实验数据拟合值完全符合.
我们提出的相对论性多通道理论可以看作是传统的组态相互作用理论的发展.在我们现在的理论中不仅考虑束缚组态之间的相互作用,而且考虑束缚-连续及连续-连续组态之间的相互作用.根据这一理论可以直接计算多通道量子亏损理论的物理参数(μ-(?),U-(?)).理论计算的Ne原子的量子亏损μ-a与根据光谱实验数据拟合值完全符合.
1995, 44(1): 57-63.
doi: 10.7498/aps.44.57
摘要:
用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移.
用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移.
1995, 44(1): 64-71.
doi: 10.7498/aps.44.64
摘要:
通过一个四路点高分子链的严格解,研究了高分子体系中的激发态性质,进而探讨了光学非线性的基本态问题.我们发现:1)电子相互作用改变激发态次序.在U-V2t则变为2~(1)A-(g)态2)并不存在一个总是在1~(1)B-(?)和2~(1)B-(?)之间的m~(1)A-(G)态,即所谓的基本态,它与1~(1)-(?)的偶极耦合决定了整个的非线性吸收谱.
通过一个四路点高分子链的严格解,研究了高分子体系中的激发态性质,进而探讨了光学非线性的基本态问题.我们发现:1)电子相互作用改变激发态次序.在U-V2t则变为2~(1)A-(g)态2)并不存在一个总是在1~(1)B-(?)和2~(1)B-(?)之间的m~(1)A-(G)态,即所谓的基本态,它与1~(1)-(?)的偶极耦合决定了整个的非线性吸收谱.
1995, 44(1): 72-79.
doi: 10.7498/aps.44.72
摘要:
根据光场相干性的量子理论,导出了双模激光场的二阶相干度g~(2)(z)和时谱公式,给出了三种特例情形下的结果.文章分析讨论了双模激光场的二阶量子相干性及其时谱特性,揭示了双模激光场g~(1)(z)的周期性和光子反相关效应,并探讨了B~(2)(z)时谱特性的可能应用.
根据光场相干性的量子理论,导出了双模激光场的二阶相干度g~(2)(z)和时谱公式,给出了三种特例情形下的结果.文章分析讨论了双模激光场的二阶量子相干性及其时谱特性,揭示了双模激光场g~(1)(z)的周期性和光子反相关效应,并探讨了B~(2)(z)时谱特性的可能应用.
1995, 44(1): 80-86.
doi: 10.7498/aps.44.80
摘要:
导出了超荧光辐射方程和热能转化方程,并分析了它的暂态过程通过对热力学Maxwell-Bloch方程的线性稳定性分析从理论上证实了超荧光产生的可能性,并用得出的辐射场时间相关函数分析了它的相干过程应用统计热力学涨落公式,导出了有效的初始tipping角θ.和延迟时间因子τ-D.本文结果与过去公认结果符合较好.
导出了超荧光辐射方程和热能转化方程,并分析了它的暂态过程通过对热力学Maxwell-Bloch方程的线性稳定性分析从理论上证实了超荧光产生的可能性,并用得出的辐射场时间相关函数分析了它的相干过程应用统计热力学涨落公式,导出了有效的初始tipping角θ.和延迟时间因子τ-D.本文结果与过去公认结果符合较好.
1995, 44(1): 87-91.
doi: 10.7498/aps.44.87
摘要:
实验发现,掺Ce离子的光折变晶体KNSBN中二波耦合光强依赖现象和各向异性热透镜效应有共生关系.光吸收引起晶体温升乃至引起.光折射率的增加是产生这种现象的主要原因.
实验发现,掺Ce离子的光折变晶体KNSBN中二波耦合光强依赖现象和各向异性热透镜效应有共生关系.光吸收引起晶体温升乃至引起.光折射率的增加是产生这种现象的主要原因.
1995, 44(1): 92-97.
doi: 10.7498/aps.44.92
摘要:
通过数值求解含时、二维(速度空间)、非线性的Fokker-Planck方程,计算了HT-6M托克马克在中性束注入加热条件下的离子温度、分布函数随时间的演化.随着中性束的注入,离子温度稳步增加,分布函数出现高能平台和非同向分布,计算结果和现有的实验符合较好.
通过数值求解含时、二维(速度空间)、非线性的Fokker-Planck方程,计算了HT-6M托克马克在中性束注入加热条件下的离子温度、分布函数随时间的演化.随着中性束的注入,离子温度稳步增加,分布函数出现高能平台和非同向分布,计算结果和现有的实验符合较好.
1995, 44(1): 152-156.
doi: 10.7498/aps.44.152
摘要:
介绍了用电荷交换分析器测量了HT-6M托卡马克离子回旋共振频率加热时的氢离子能谱,观察到离子温度的增加.根据Fokker-Planck方程计算的电荷交换能谱和离子温度与实验结果比较,两者符合得很好.
介绍了用电荷交换分析器测量了HT-6M托卡马克离子回旋共振频率加热时的氢离子能谱,观察到离子温度的增加.根据Fokker-Planck方程计算的电荷交换能谱和离子温度与实验结果比较,两者符合得很好.
1995, 44(1): 98-104.
doi: 10.7498/aps.44.98
摘要:
采用Bunge法对Cu-Zn-AI形状记忆合金α相的定量分析进行织构校正.几种方法的比较结果表明Bunge法具有一系列优点.此外利用织构校正获得的c系数可用于三维取向分布函数(ODF)计算,回算极图与反极图,从而有可能在普通X射线衍射仪上由测量少数倾角的粉末强度数据估算ODF和进行低分辨织构分析如弹性和塑性计算等.
采用Bunge法对Cu-Zn-AI形状记忆合金α相的定量分析进行织构校正.几种方法的比较结果表明Bunge法具有一系列优点.此外利用织构校正获得的c系数可用于三维取向分布函数(ODF)计算,回算极图与反极图,从而有可能在普通X射线衍射仪上由测量少数倾角的粉末强度数据估算ODF和进行低分辨织构分析如弹性和塑性计算等.
1995, 44(1): 105-108.
doi: 10.7498/aps.44.105
摘要:
介绍通过液态合金的高压淬火直接形成Pd-Si块状纳米晶合金的方法及其研究结果.X射线衍射及高分辨电子显微镜分析表明,Pd-(?)Si-(?)合金在低于5.0GPa的压力下以100K/s的冷却速率淬火时形成普通晶粒组织.而当在5.0至6.5GPa的压力下以同样的冷却速率淬火时,得到了晶垃尺寸为30—40nm的块状纳米晶合金.采用这种方法制备的Pd-Si块状纳米晶合金具有高密度、无微孔及晶界间无杂质的特点.
介绍通过液态合金的高压淬火直接形成Pd-Si块状纳米晶合金的方法及其研究结果.X射线衍射及高分辨电子显微镜分析表明,Pd-(?)Si-(?)合金在低于5.0GPa的压力下以100K/s的冷却速率淬火时形成普通晶粒组织.而当在5.0至6.5GPa的压力下以同样的冷却速率淬火时,得到了晶垃尺寸为30—40nm的块状纳米晶合金.采用这种方法制备的Pd-Si块状纳米晶合金具有高密度、无微孔及晶界间无杂质的特点.
1995, 44(1): 109-114.
doi: 10.7498/aps.44.109
摘要:
采用水淬法制备出块状非晶态硒,通过非晶晶化法获得了六方晶型结构的、晶粒尺寸为6—45nm的块状纳米晶硒,X射线衍射及热分析研究表明非晶态硒向纳米晶硒的转变是由一步晶化完成的,激活能为54—60kJ/mol.并证实了非晶硒的短程序与六方晶型硒相同以及非晶硒的无规线团结构.根据不同方向的晶粒尺寸与晶化温度的关系,发现沿c轴的生长速率大于沿a轴的生长速率.采用无规线团形的分子链在晶界处折叠或延伸到相邻晶粒中的晶化机制解释了晶化过程中激活能低和生长速率沿c轴方向较大的实验结果.
采用水淬法制备出块状非晶态硒,通过非晶晶化法获得了六方晶型结构的、晶粒尺寸为6—45nm的块状纳米晶硒,X射线衍射及热分析研究表明非晶态硒向纳米晶硒的转变是由一步晶化完成的,激活能为54—60kJ/mol.并证实了非晶硒的短程序与六方晶型硒相同以及非晶硒的无规线团结构.根据不同方向的晶粒尺寸与晶化温度的关系,发现沿c轴的生长速率大于沿a轴的生长速率.采用无规线团形的分子链在晶界处折叠或延伸到相邻晶粒中的晶化机制解释了晶化过程中激活能低和生长速率沿c轴方向较大的实验结果.
1995, 44(1): 115-121.
doi: 10.7498/aps.44.115
摘要:
利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的模型对上述过程进行了理论计算,得到的结果与实验基本吻合.这对于进一步理解亚稳态γ-Mn的形成机理具有重要意义.
利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的模型对上述过程进行了理论计算,得到的结果与实验基本吻合.这对于进一步理解亚稳态γ-Mn的形成机理具有重要意义.
1995, 44(1): 157-163.
doi: 10.7498/aps.44.157
摘要:
利用程序升温脱水——色谱检测(TPD-GC),并配合使用热重分析(TGA),差热分析(DTA)和X射线衍射(XRD)研究手段,系统地考察了一组金属离子交换蒙脱石中水的吸附与脱除.实验结果表明,蒙脱石中吸附水的存在状态和数量均明显地依赖于蒙脱石层间可交换金属离子的数目和水合能力.但是,与通常的理解不同,在任何一种离子交换蒙脱石中,这种吸附水都不可能有与蒙脱石间结合力明显不同的两种存在状态.
利用程序升温脱水——色谱检测(TPD-GC),并配合使用热重分析(TGA),差热分析(DTA)和X射线衍射(XRD)研究手段,系统地考察了一组金属离子交换蒙脱石中水的吸附与脱除.实验结果表明,蒙脱石中吸附水的存在状态和数量均明显地依赖于蒙脱石层间可交换金属离子的数目和水合能力.但是,与通常的理解不同,在任何一种离子交换蒙脱石中,这种吸附水都不可能有与蒙脱石间结合力明显不同的两种存在状态.
1995, 44(1): 122-127.
doi: 10.7498/aps.44.122
摘要:
用对角化哈密顿矩阵的方法研究了自旋三重态对3d~4和3d~6离子在四角对称的晶体中电子顺磁共振(EPR)零场分裂(ZFS)参量的影响,涉及了该离子在四角对称晶体场中所有可能的轨道单态作基态的情形,指出了自旋三重态对ZFS参量有不可忽略的重要贡献.
用对角化哈密顿矩阵的方法研究了自旋三重态对3d~4和3d~6离子在四角对称的晶体中电子顺磁共振(EPR)零场分裂(ZFS)参量的影响,涉及了该离子在四角对称晶体场中所有可能的轨道单态作基态的情形,指出了自旋三重态对ZFS参量有不可忽略的重要贡献.
1995, 44(1): 128-132.
doi: 10.7498/aps.44.128
摘要:
测量了不同Bi-(2)Sr-(2)CuO-(7)单晶样品ab平面内电阻ρ-(ab)随温度的变化关系.对于处在掺杂不足区域的样品,没有观察到类似于YBa-2Cu-4O-8,YBa-2Cu-3O-(r-y)体系由于自旋能隙的出现而引起的电阻率的突然加快减小现象.我们对实验结果进行了讨论.
测量了不同Bi-(2)Sr-(2)CuO-(7)单晶样品ab平面内电阻ρ-(ab)随温度的变化关系.对于处在掺杂不足区域的样品,没有观察到类似于YBa-2Cu-4O-8,YBa-2Cu-3O-(r-y)体系由于自旋能隙的出现而引起的电阻率的突然加快减小现象.我们对实验结果进行了讨论.
1995, 44(1): 133-136.
doi: 10.7498/aps.44.133
摘要:
用弹道电子发射显微镜对Au/n-Si(100)界面势垒测试,直接得出定点的势垒特性和纳米尺度的界面图象.通过所测的I-(c)-V曲线,可得所测点的肖特基势垒高度及电荷传输特性.界面图象可以显示界面极小范围内势垒的特性.
用弹道电子发射显微镜对Au/n-Si(100)界面势垒测试,直接得出定点的势垒特性和纳米尺度的界面图象.通过所测的I-(c)-V曲线,可得所测点的肖特基势垒高度及电荷传输特性.界面图象可以显示界面极小范围内势垒的特性.
1995, 44(1): 137-141.
doi: 10.7498/aps.44.137
摘要:
根据热平衡方程、热释电晶体的极化电流及输出回路方程,建立了具有普遍意义的热电探测器吸收功率-输出电压表达式.
根据热平衡方程、热释电晶体的极化电流及输出回路方程,建立了具有普遍意义的热电探测器吸收功率-输出电压表达式.
1995, 44(1): 142-144.
doi: 10.7498/aps.44.142
摘要:
利用分子束外延材料的化学选择腐蚀和再生长制备出了GaAs/AIGaAs量子线并且测量了77K的光致荧光谱.也得到透射电子显微镜的照片.
利用分子束外延材料的化学选择腐蚀和再生长制备出了GaAs/AIGaAs量子线并且测量了77K的光致荧光谱.也得到透射电子显微镜的照片.
1995, 44(1): 145-151.
doi: 10.7498/aps.44.145
摘要:
利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<2ML时,在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜具有磁有序结构
利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<2ML时,在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜具有磁有序结构
1995, 44(1): 164-172.
doi: 10.7498/aps.44.164
摘要:
报道了岩盐型氧化锌纳米微粒的X射线光电子发射结构,发现其中3d电子的强烈成键作用,还存在着3d-4sp杂化和离域电子弛豫态的贡献,表现出与纤锌矿型明显的差异.
报道了岩盐型氧化锌纳米微粒的X射线光电子发射结构,发现其中3d电子的强烈成键作用,还存在着3d-4sp杂化和离域电子弛豫态的贡献,表现出与纤锌矿型明显的差异.
