退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响

李晓静; 赵德刚; 何晓光; 吴亮亮; 李亮; 杨静; 乐伶聪; 陈平; 刘宗顺; 江德生

doi:10.7498/aps.62.206801

摘要

研究了不同退火温度和气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响. 采用圆形传输线模型方法得到不同退火温度和不同退火气氛下的比接触电阻率. 结果表明, 较适宜的退火温度为500 ℃左右, 退火温度太高或太低都会导致比接触电阻率的增大; 较适宜的退火气氛为适量含氧的氮气气氛, 且氧气含量对比接触电阻率大小的影响并不显著. 经过对退火条件的优化, 得到的比接触电阻率可达7.65×10-4 Ω·cm2.

关键词:

Abstract

In this paper, we investigate the effect of annealing conditions on the characteristic of Ni/Au Ohmic contact to p-GaN. The specific contact resistivities under different annealing temperature and different annealing atmosphere are tested using the circular transmission line model. It is found that the best annealing temperature is about 500 ℃. The annealing atmosphere of nitrogen-oxygen gas mixture can lead to lower specific contact resistivity than that of pure nitrogen, and the specific contact resistivity has no relationship with the content of oxygen. Finally, we obtain the lowest specific contact resistivity to be 7.65×10-4 Ω·cm2 at the best annealing temperature and atmosphere.

Keywords:

作者及机构信息

1.
中国科学院半导体所, 集成光电子学国家重点实验室, 北京 100083

基金项目: 国家杰出青年科学基金(批准号: 60925017)、国家自然科学基金(批准号: 10990100, 61176126) 和清华大学信息科学与技术国家实验室(筹)学科交叉基金资助的课题.

Authors and contacts

1.
State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China

Funds: Project supported by the National Science Fund for Distinguished Young Scholars of China (Grant No. 60925017), the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 10990100, 61176126), and the Cross-Discipline Foundation of Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology (TNList) Cross-Discipline Foundation, China.

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施引文献

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