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Au-Si-Au结点电子输运性质的第一性原理计算

柳福提 程艳 羊富彬 程晓洪 陈向荣

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Au-Si-Au结点电子输运性质的第一性原理计算

柳福提, 程艳, 羊富彬, 程晓洪, 陈向荣

First-principles calculations of the electronic transport in Au-Si-Au junctions

Liu Fu-Ti, Cheng Yan, Yang Fu-Bin, Cheng Xiao-Hong, Chen Xiang-Rong
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  • 采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法对Au(100)-Si-Au(100) 系统左侧对顶位、右侧对空位的纳米结点的电子输运性质进行了理论模拟计算, 结果得到纳米结点的电导随电极距离(dz)增大而减小. 在dz =9.72 Å时, 结点的结合能最低, 结构最稳定, 此时电导为1.227G0 (G0=2e2/h), 其电子输运通道主要是Si原子的px, py和 pz轨道电子形成的最高占居轨道共振峰; 在外偏压下, 电流-电压曲线表现出线性特征; 随着外加正负电压的增大, 电导略有减小, 且表现出不对称性的变化.
    The transport property of silicon sandwiched between Au (100) and Au (100) is investigated with a combination of density functional theory and non-equilibrium Green's function method. It is found that the conductance decreases with distance increasing. When dz =9.72 Å, the structure of junctions is the most stable and the conductance is 1.227G0 (G0=2e2/h) , which is contributed by the px, py and pz electron orbits of silicon atom. The I-V curve of junctions in stable station show linear characteristics under external bias vottage. With the increase of an external positive and negative voltage, the conductance decreases slightly, and the asymmetry change appears.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 11174214, 11204192)资助的课题.
    • Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 11174214, 11204192).
    [1]

    Venkataraman L, Klare J E, Nuckolls, Hybertsen M S, Steigerwald M L 2006 Nature 24 442

    [2]

    Heath J R, Ratner M A 2003 Phys. Today 56 43

    [3]

    Chen J, Reed M A, Rawlett A M, Tour J M 1999 Science 286 1550

    [4]

    Collier C P, Wong E W, Belohradsky M, Raymo F M, Stoddart J F, Kuekes P J, Williams R S, Heath J R 1999 Science 285 391

    [5]

    Gittins D I, Bethell D, Schiffrin D J, Nichols R J 2000 Nature 408 67

    [6]

    Roschier L, Penttila J, Martin M, Hakonen P, Paalanen M 2001 Appl. Phys. Lett. 75 728

    [7]

    Chen X C, Xu Y, Zeng Z Y 2008 Physica B 403 3185

    [8]

    Taylor J, Guo H, Wang J 2001 Phys. Rev. B 63 121104

    [9]

    Chen X C, Yang J, Zhou Y H, Xu Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 3064 (in Chinese) [陈小春, 杨君, 周艳红, 许英 2009 58 3064]

    [10]

    Di Ventra M, Pantelides S T, Lang N D 2000 Phys. Rev. Lett. 84 979

    [11]

    Smit R H M, Noat Y, Untiedt C, Lang N D, van Hemert M C, van Ruitenbeek J M 2002 Nature 419 906

    [12]

    Thijssen W H A, Marjenburgh D, Bremmer R H, van Ruitenbeek J M 2006 Phys. Rev. Lett. 96 026808

    [13]

    Stange M, Thygesen K S, Jacobsen K W 2006 Phys. Rev. B 73 125424

    [14]

    Yu J X, Chen X R, Sanvito S, Cheng Y 2012 Appl. Phys. Lett. 100 013113

    [15]

    Yin Y Q, Li H, Ma J N, He Z L, Wang X Z 2009 Acta Phys. Sin. 58 4162 (in Chinese) [尹永琦, 李华, 马佳宁, 贺泽龙, 王选章 2009 58 4162]

    [16]

    Zheng X L, Zhang J M, Ren Z Y, Guo P, Tian J S, Bai J T 2009 Acta Phys. Sin. 58 5709 (in Chinese) [郑新亮, 郑继明, 任兆玉, 郭平, 田进寿, 白晋涛 2009 58 5709]

    [17]

    An Y P, Yang C L, Wang M S, Ma X G, Wang D H 2010 Acta Phys. Sin. 59 2010 (in Chinese) [安义鹏, 杨传路, 王美山, 马晓光, 王德华 2010 59 2010]

    [18]

    Cheng X, Yang C L, Tong X F, Wang M S, Ma X G 2011 Acta Phys. Sin. 60 017302 (in Chinese) [程霞, 杨传路, 童小菲, 王美山, 马晓光 2011 60 017302]

    [19]

    Roland C, Meunier V, Larade B, Guo H 2002 Phys. Rev. B 66 035332

    [20]

    Dai Z X, Zheng X H, Shi X Q, Zeng Z 2005 Phys. Rev. B 72 205408

    [21]

    Mozos J L, Wan C C, Taraschi G, Wang J, Guo H 1997 Phys. Rev. B 56 R4351

    [22]

    Kohn W, Sham L 1965 Phys. Rev. B 140 A1133

    [23]

    Datta S 1995 Electronic Transport in Mesoscopic Systems (Canbridge: Cambridge University Press) p19

    [24]

    Soler J M, Artacho E, Gale J D, Garcia A, Junqueral J, Ordejon P, Sanchez-Portal D J 2002 Phys.: Condens. Matter 14 2745

    [25]

    Rocha A R, Garcia-Suarez V M, Bailey S, Lambert C, Ferrer J, Sanvito S 2006 Phys. Rev. B 73 085414

    [26]

    Fisher D S, Lee P A 1981 Phys. Rev. B 23 R6851

    [27]

    Perdew J P 1986 Phys. Rev. B 33 8822

    [28]

    Troullier N, Martins J L 1991 Phys. Rev. B 43 1993

    [29]

    Robinson I K, Bennett P A, Himpsel F J 2002 Phys. Rev. Lett. 88 096104

  • [1]

    Venkataraman L, Klare J E, Nuckolls, Hybertsen M S, Steigerwald M L 2006 Nature 24 442

    [2]

    Heath J R, Ratner M A 2003 Phys. Today 56 43

    [3]

    Chen J, Reed M A, Rawlett A M, Tour J M 1999 Science 286 1550

    [4]

    Collier C P, Wong E W, Belohradsky M, Raymo F M, Stoddart J F, Kuekes P J, Williams R S, Heath J R 1999 Science 285 391

    [5]

    Gittins D I, Bethell D, Schiffrin D J, Nichols R J 2000 Nature 408 67

    [6]

    Roschier L, Penttila J, Martin M, Hakonen P, Paalanen M 2001 Appl. Phys. Lett. 75 728

    [7]

    Chen X C, Xu Y, Zeng Z Y 2008 Physica B 403 3185

    [8]

    Taylor J, Guo H, Wang J 2001 Phys. Rev. B 63 121104

    [9]

    Chen X C, Yang J, Zhou Y H, Xu Y 2009 Acta Phys. Sin. 58 3064 (in Chinese) [陈小春, 杨君, 周艳红, 许英 2009 58 3064]

    [10]

    Di Ventra M, Pantelides S T, Lang N D 2000 Phys. Rev. Lett. 84 979

    [11]

    Smit R H M, Noat Y, Untiedt C, Lang N D, van Hemert M C, van Ruitenbeek J M 2002 Nature 419 906

    [12]

    Thijssen W H A, Marjenburgh D, Bremmer R H, van Ruitenbeek J M 2006 Phys. Rev. Lett. 96 026808

    [13]

    Stange M, Thygesen K S, Jacobsen K W 2006 Phys. Rev. B 73 125424

    [14]

    Yu J X, Chen X R, Sanvito S, Cheng Y 2012 Appl. Phys. Lett. 100 013113

    [15]

    Yin Y Q, Li H, Ma J N, He Z L, Wang X Z 2009 Acta Phys. Sin. 58 4162 (in Chinese) [尹永琦, 李华, 马佳宁, 贺泽龙, 王选章 2009 58 4162]

    [16]

    Zheng X L, Zhang J M, Ren Z Y, Guo P, Tian J S, Bai J T 2009 Acta Phys. Sin. 58 5709 (in Chinese) [郑新亮, 郑继明, 任兆玉, 郭平, 田进寿, 白晋涛 2009 58 5709]

    [17]

    An Y P, Yang C L, Wang M S, Ma X G, Wang D H 2010 Acta Phys. Sin. 59 2010 (in Chinese) [安义鹏, 杨传路, 王美山, 马晓光, 王德华 2010 59 2010]

    [18]

    Cheng X, Yang C L, Tong X F, Wang M S, Ma X G 2011 Acta Phys. Sin. 60 017302 (in Chinese) [程霞, 杨传路, 童小菲, 王美山, 马晓光 2011 60 017302]

    [19]

    Roland C, Meunier V, Larade B, Guo H 2002 Phys. Rev. B 66 035332

    [20]

    Dai Z X, Zheng X H, Shi X Q, Zeng Z 2005 Phys. Rev. B 72 205408

    [21]

    Mozos J L, Wan C C, Taraschi G, Wang J, Guo H 1997 Phys. Rev. B 56 R4351

    [22]

    Kohn W, Sham L 1965 Phys. Rev. B 140 A1133

    [23]

    Datta S 1995 Electronic Transport in Mesoscopic Systems (Canbridge: Cambridge University Press) p19

    [24]

    Soler J M, Artacho E, Gale J D, Garcia A, Junqueral J, Ordejon P, Sanchez-Portal D J 2002 Phys.: Condens. Matter 14 2745

    [25]

    Rocha A R, Garcia-Suarez V M, Bailey S, Lambert C, Ferrer J, Sanvito S 2006 Phys. Rev. B 73 085414

    [26]

    Fisher D S, Lee P A 1981 Phys. Rev. B 23 R6851

    [27]

    Perdew J P 1986 Phys. Rev. B 33 8822

    [28]

    Troullier N, Martins J L 1991 Phys. Rev. B 43 1993

    [29]

    Robinson I K, Bennett P A, Himpsel F J 2002 Phys. Rev. Lett. 88 096104

  • [1] 邢海英, 张子涵, 吴文静, 郭志英, 茹金豆. 石墨烯电极弯折对2-苯基吡啶分子器件负微分电阻特性的调控和机理.  , 2023, 72(3): 038502. doi: 10.7498/aps.72.20221212
    [2] 崔焱, 夏蔡娟, 苏耀恒, 张博群, 张婷婷, 刘洋, 胡振洋, 唐小洁. 基于石墨烯电极的蒽醌分子器件开关特性.  , 2021, 70(3): 038501. doi: 10.7498/aps.70.20201095
    [3] 贺艳斌, 白熙. 一维线性非共轭石墨烯基(CH2)n分子链的电子输运.  , 2021, 70(4): 046201. doi: 10.7498/aps.70.20200953
    [4] 罗强, 杨恒, 郭平, 赵建飞. N型甲烷水合物结构和电子性质的密度泛函理论计算.  , 2019, 68(16): 169101. doi: 10.7498/aps.68.20182230
    [5] 梁锦涛, 颜晓红, 张影, 肖杨. 硼或氮掺杂的锯齿型石墨烯纳米带的非共线磁序与电子输运性质.  , 2019, 68(2): 027101. doi: 10.7498/aps.68.20181754
    [6] 崔焱, 夏蔡娟, 苏耀恒, 张博群, 陈爱民, 杨爱云, 张婷婷, 刘洋. 基于石墨烯电极的齐聚苯乙炔分子器件的整流特性.  , 2018, 67(11): 118501. doi: 10.7498/aps.67.20180088
    [7] 柳福提, 张淑华, 程艳, 陈向荣, 程晓洪. (GaAs)n(n=1-4)原子链电子输运性质的理论计算.  , 2016, 65(10): 106201. doi: 10.7498/aps.65.106201
    [8] 陈晓彬, 段文晖. 低维纳米材料量子热输运与自旋热电性质 ——非平衡格林函数方法的应用.  , 2015, 64(18): 186302. doi: 10.7498/aps.64.186302
    [9] 柳福提, 程艳, 陈向荣, 程晓洪, 曾志强. Au-Si60-Au分子结电子输运性质的理论计算.  , 2014, 63(17): 177304. doi: 10.7498/aps.63.177304
    [10] 黄耀清, 郝成红, 郑继明, 任兆玉. 硅团簇自旋电子器件的理论研究.  , 2013, 62(8): 083601. doi: 10.7498/aps.62.083601
    [11] 柳福提, 程艳, 羊富彬, 程晓洪, 陈向荣. Si4团簇电子输运性质的第一性原理计算.  , 2013, 62(14): 140504. doi: 10.7498/aps.62.140504
    [12] 范志强, 谢芳. 硼氮原子取代掺杂对分子器件负微分电阻效应的影响.  , 2012, 61(7): 077303. doi: 10.7498/aps.61.077303
    [13] 潘金波, 张振华, 邱明, 郭超. 分子整流器整流特性的键桥调控效应.  , 2011, 60(3): 037302. doi: 10.7498/aps.60.037302
    [14] 郭超, 张振华, 潘金波, 张俊俊. D-B-A分子整流特性的端基效应.  , 2011, 60(11): 117303. doi: 10.7498/aps.60.117303
    [15] 赵佩, 郑继明, 陈有为, 郭平, 任兆玉. 单壁碳纳米管吸附氧分子的电子输运性质理论研究.  , 2011, 60(6): 068501. doi: 10.7498/aps.60.068501
    [16] 王利光, 张鸿宇, 王畅, Terence K. S. W.. 嵌入锂原子的zigzag型单壁碳纳米管的电子传导特性.  , 2010, 59(1): 536-540. doi: 10.7498/aps.59.536
    [17] 邱明, 张振华, 邓小清. 碳链输运对基团吸附的敏感性分析.  , 2010, 59(6): 4162-4169. doi: 10.7498/aps.59.4162
    [18] 李喜波, 王红艳, 罗江山, 吴卫东, 唐永建. 密度泛函理论研究ScnO(n=1—9)团簇的结构、稳定性与电子性质.  , 2009, 58(9): 6134-6140. doi: 10.7498/aps.58.6134
    [19] 郑新亮, 郑继明, 任兆玉, 郭平, 田进寿, 白晋涛. 钽硅团簇电子输运性质的第一性原理研究.  , 2009, 58(8): 5709-5715. doi: 10.7498/aps.58.5709
    [20] 牛秀明, 齐元华. 分子结点电子输运性质的理论研究.  , 2008, 57(11): 6926-6931. doi: 10.7498/aps.57.6926
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-10-20
  • 修回日期:  2013-01-16
  • 刊出日期:  2013-05-05

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