高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为

吴渊渊; 郑新和; 王海啸; 甘兴源; 文瑜; 王乃明; 王建峰; 杨辉

doi:10.7498/aps.62.086101

摘要

采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1-xN (x ≤ 0.2) 外延薄膜. 生长温度为580 ℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2) 面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒, 背景电子浓度为3.96× 1018/cm3. 在富金属生长区域, Ga束流超过N的等效束流时, In组分不为零, 即Ga并没有全部并入外延层; 另外, 稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量.

关键词:

Abstract

Growth behaviors of InxGa1-xN (x ≤ 0.2) materials by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) are investigated in detail. A precise control of the incorporation of indium into InxGa1-xN at a growth temperature of 580 ℃ is realized. The In0.19Ga0.81N shows a very narrow width of 587 arcsec for the (10.2) asymmetrical reflection from high-resolution X-ray diffraction and the background electronic concentration is 3.96× 1018 cm3. In the region of metal-rich growth, no negligible indium incorporation is observed even if the Ga beam flux is much larger than the equivalent N flux. This growth behavior might be ascribed to an incomplete Ga incorporation during InGaN growth. In addition, a slight increase of In flux results in crystalline quality degradation of InGaN epilayers.

Keywords:

InGaN epilayer /
plasma-assisted molecular beam epitaxy /
indium incorporation /
crystalline quality

作者及机构信息

1.
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 纳米器件与应用重点实验室, 苏州 215123;

2.
中国科学院大学, 北京 100080

Authors and contacts

1.
Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China;

2.
University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China

参考文献

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施引文献

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