| [1] |
肖嘉星, 鲁军, 朱礼军, 赵建华. 垂直磁各向异性L10-Mn1.67Ga超薄膜分子束外延生长与磁性研究.
,
2016, 65(11): 118105.
doi: 10.7498/aps.65.118105
|
| [2] |
张马淋, 葛剑峰, 段明超, 姚钢, 刘志龙, 管丹丹, 李耀义, 钱冬, 刘灿华, 贾金锋. SrTiO3(001)衬底上多层FeSe薄膜的分子束外延生长.
,
2016, 65(12): 127401.
doi: 10.7498/aps.65.127401
|
| [3] |
李文涛, 梁艳, 王炜华, 杨芳, 郭建东. LaTiO3(110)薄膜分子束外延生长的精确控制和表面截止层的研究.
,
2015, 64(7): 078103.
doi: 10.7498/aps.64.078103
|
| [4] |
祝梦遥, 鲁军, 马佳淋, 李利霞, 王海龙, 潘东, 赵建华. 高质量稀磁半导体(Ga, Mn)Sb单晶薄膜分子束外延生长.
,
2015, 64(7): 077501.
doi: 10.7498/aps.64.077501
|
| [5] |
王萌, 欧云波, 李坊森, 张文号, 汤辰佳, 王立莉, 薛其坤, 马旭村. SrTiO3(001)衬底上单层FeSe超导薄膜的分子束外延生长.
,
2014, 63(2): 027401.
doi: 10.7498/aps.63.027401
|
| [6] |
胡懿彬, 郝智彪, 胡健楠, 钮浪, 汪莱, 罗毅. 分子束外延生长InGaN/AlN量子点的组分研究.
,
2012, 61(23): 237804.
doi: 10.7498/aps.61.237804
|
| [7] |
苏少坚, 汪巍, 张广泽, 胡炜玄, 白安琪, 薛春来, 左玉华, 成步文, 王启明. Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜.
,
2011, 60(2): 028101.
doi: 10.7498/aps.60.028101
|
| [8] |
周志东, 张春祖, 张颖. 外延铁电薄膜相变温度的尺寸效应.
,
2010, 59(9): 6620-6625.
doi: 10.7498/aps.59.6620
|
| [9] |
张燕辉, 陈平平, 李天信, 殷豪. GaAs(001)衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜.
,
2010, 59(11): 8026-8030.
doi: 10.7498/aps.59.8026
|
| [10] |
张营堂, 何萌, 陈子瑜, 吕惠宾. 用激光分子束外延在玻璃衬底上生长La0.67Sr0.33MnO3薄膜.
,
2009, 58(3): 2002-2004.
doi: 10.7498/aps.58.2002
|
| [11] |
何 萌, 刘国珍, 仇 杰, 邢 杰, 吕惠宾. 用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜.
,
2008, 57(2): 1236-1240.
doi: 10.7498/aps.57.1236
|
| [12] |
延凤平, 郑 凯, 王 琳, 李一凡, 龚桃荣, 简水生, 尾形健一, 小池一步, 佐佐诚彦, 井上正崇, 矢野满明. 分子束外延法在Sapphire衬底上生长的Zn1－xMgxO薄膜折射率及厚度的测试.
,
2007, 56(7): 4127-4131.
doi: 10.7498/aps.56.4127
|
| [13] |
卢励吾, 王占国, C.L.Yang, J.Wang, Z.H.Ma, I.K.Sou, WeikunGe. 分子束外延生长ZnSe自组织量子点光、电行为研究.
,
2002, 51(2): 310-314.
doi: 10.7498/aps.51.310
|
| [14] |
崔大复, 陈 凡, 赵 彤, 师文生, 陈正豪, 周岳亮, 吕惠宾, 杨国桢, 黄惠忠, 张宏霞. 激光分子束外延BaTiO3薄膜最顶层表面原子平面与薄膜生长机理.
,
2000, 49(9): 1878-1882.
doi: 10.7498/aps.49.1878
|
| [15] |
刘洪飞, 陈 弘, 李志强, 万 里, 黄 绮, 周均铭, 罗 毅, 韩英军. GaAs(001)衬底上分子束外延生长立方和六方GaN薄膜.
,
2000, 49(6): 1132-1135.
doi: 10.7498/aps.49.1132
|
| [16] |
王绍青, 刘全补, 叶恒强. 分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构.
,
1998, 47(11): 1858-1861.
doi: 10.7498/aps.47.1858
|
| [17] |
牛智川, 周增圻, 林耀望, 李新峰, 张益, 胡雄伟, 吕振东, 袁之良, 徐仲英. InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究.
,
1997, 46(5): 969-974.
doi: 10.7498/aps.46.969
|
| [18] |
周国良, 盛篪, 樊永良, 蒋维栋, 俞鸣人. GexSi1-x/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究.
,
1993, 42(7): 1121-1128.
doi: 10.7498/aps.42.1121-2
|
| [19] |
周国良；盛篪；樊永良；蒋维栋；俞鸣人. Ge_xSi_1-x_/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究.
,
1991, 40(7): 1121-1128.
doi: 10.7498/aps.40.1121
|
| [20] |
周国良, 陈可明, 田亮光. 在Si衬底上用分子束外延低温生长Ge薄膜.
,
1988, 37(10): 1607-1612.
doi: 10.7498/aps.37.1607
|
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