Tm2O3相对于Si的能带偏移研究

汪建军; 方泽波; 冀婷; 朱燕艳; 任维义; 张志娇

doi:10.7498/aps.61.017702

摘要

利用分子束外延系统在Si (001) 衬底上制备了单晶Tm2O3薄膜, 利用X射线光电子能谱研究了Tm2O3相对于Si的能带偏移. 得出Tm2O3相对于Si的价带和导带偏移分别为3.1 eV 0.2 eV和1.9 eV 0.3 eV, 并得出了Tm2O3的禁带宽度为6.1 eV 0.2 eV. 研究结果表明Tm2O3是一种很有前途的高k栅介质候选材料.

关键词:

The single crystalline Tm2O3 films are deposited on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy, by using x-ray photoelectron spectroscopy, the valence and the conduction-band shifts of Tm2O3 to Si are obtained to be 3.1 0.2 eV and 1.9 0.3 eV, respectively. The energy gap of Er2O3 is determined to be 6.1 0.2 eV. The results of the study show that the Tm2O3 could be a promising candidate for high-k gate dielectrics.

Keywords:

作者及机构信息

1.
西华师范大学物理与电子信息学院, 南充 637002;

2.
绍兴文理学院物理系, 绍兴 312000;

3.
复旦大学应用表面物理国家重点实验室, 上海 200433

基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 60806031, 11004130)、浙江省自然科学基金(批准号: Y6100596)和上海市重点基础研究项目(批准号: 10JC1405900)资助的课题.

Authors and contacts

1.
College of Physics and Electronic Information, China West Normal University, Nanchong 637002, China;

2.
Department of Physics, Shaoxing University, Shaoxing 312000, China;

3.
Surface Physics Laboratory (National Key Laboratory), Fudan University, Shanghai 200433, China

Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 60806031, 11004130), the Natural Science Foundation of Zhejiang Province, China (Grant No.Y6100596), and the Key Fundamental Project of Shanghai (Grant No. 10JC1405900).

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