| [1] |
樊金泽, 方展伯, 罗超杰, 张汇. 低维材料中的电荷密度波.
,
2022, 71(12): 127103.
doi: 10.7498/aps.71.20220052
|
| [2] |
罗晓东, 狄国庆. 溅射制备Ge,Nb共掺杂窄光学带隙和低电阻率的TiO2薄膜.
,
2012, 61(20): 206803.
doi: 10.7498/aps.61.206803
|
| [3] |
雷洁梅, 吕柳, 刘玲, 许小亮. 多孔SiO2包裹磁性纳米颗粒Fe3O4的制备与表征.
,
2011, 60(1): 017501.
doi: 10.7498/aps.60.017501
|
| [4] |
周鸿娟, 甄聪棉, 张永进, 赵翠莲, 马丽, 侯登录. N掺杂SiO2纳米薄膜的制备及其磁性.
,
2010, 59(5): 3499-3503.
doi: 10.7498/aps.59.3499
|
| [5] |
张岩, 陈雪风, 齐凯天, 李兵, 杨传路, 盛勇. (SiO2)n-(n≤7)团簇的密度泛函研究.
,
2010, 59(7): 4598-4601.
doi: 10.7498/aps.59.4598
|
| [6] |
马保宏, 李 燕, 王成伟, 王 建, 陈建彪, 刘维民. 多孔TiO2/Al/SiO2纳米复合结构的紫外光吸收特性研究.
,
2008, 57(1): 586-591.
doi: 10.7498/aps.57.586
|
| [7] |
赵文济, 孔 明, 黄碧龙, 李戈扬. SiO2的赝晶化及AlN/SiO2纳米多层膜的超硬效应.
,
2007, 56(3): 1574-1580.
doi: 10.7498/aps.56.1574
|
| [8] |
卫永霞, 钱晓梅, 俞笑竹, 叶 超, 宁兆元, 梁荣庆. O2掺杂对SiCOH低k薄膜结构与电学性能的影响.
,
2007, 56(2): 1172-1176.
doi: 10.7498/aps.56.1172
|
| [9] |
何志巍, 甄聪棉, 兰 伟, 王印月. 溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO2薄膜.
,
2003, 52(12): 3130-3134.
doi: 10.7498/aps.52.3130
|
| [10] |
王继锁, 冯健, 刘堂昆, 詹明生. 算符(f(“非汉字符号”))k正交归一本征态的非经典特性.
,
2002, 51(9): 1983-1988.
doi: 10.7498/aps.51.1983
|
| [11] |
吴广明, 王珏, 沈军, 杨天河, 张勤远, 周斌, 邓忠生, 范滨, 周东平, 张凤山. 实验条件对纳米多孔SiO2薄膜结构及特性的影响.
,
2001, 50(1): 175-181.
doi: 10.7498/aps.50.175
|
| [12] |
陈开茅, 金泗轩, 武兰青, 曾树荣, 刘鸿飞. 在p型硅MOS结构Si/SiO2界面区中与金有关的界面态和深能级.
,
1993, 42(8): 1324-1332.
doi: 10.7498/aps.42.1324
|
| [13] |
陈开茅, 武兰青, 彭清智, 刘鸿飞. p型硅MOS结构Si/SiO2界面及其附近的深能级与界面态.
,
1992, 41(11): 1870-1879.
doi: 10.7498/aps.41.1870
|
| [14] |
刘志宏, 陈蒲生, 刘百勇, 郑耀宗. 150?快速热氮化SiO2膜的击穿特性.
,
1991, 40(1): 154-160.
doi: 10.7498/aps.40.154
|
| [15] |
朱美芳, 许政一. 用热激电导谱确定非晶态半导体能隙态密度的研究.
,
1989, 38(12): 1988-1995.
doi: 10.7498/aps.38.1988
|
| [16] |
苏子敏, 彭少麒. 用内光发射瞬态电流温度谱测定a-Si:H的隙态密度分布.
,
1986, 35(6): 731-740.
doi: 10.7498/aps.35.731
|
| [17] |
武尚賢, 黄五羣, 许伯威. 关于Kπ共振态.
,
1966, 22(8): 961-966.
doi: 10.7498/aps.22.961
|
| [18] |
许伯威. K-π共振态.
,
1965, 21(1): 221-222.
doi: 10.7498/aps.21.221
|
| [19] |
沈世纲, 黄敞, 于凤树. 关于热生长SiO2薄膜厚度的测量.
,
1964, 20(7): 654-661.
doi: 10.7498/aps.20.654
|
| [20] |
许伯威, 孔凡梅, 宫学惠. K—K共振态.
,
1964, 20(11): 1129-1134.
doi: 10.7498/aps.20.1129
|
下载:
