[1] |
马璐瑶, 张兴雨, 舒志运, 肖游, 张天柱, 李浩, 尤立星. 自差分交流偏置超导纳米线单光子探测器.
,
2022, 71(15): 158501.
doi: 10.7498/aps.71.20220373
|
[2] |
宋文刚, 张立军, 张晶, 王冠鹰. 硅漂移探测器数字脉冲处理技术.
,
2022, 71(1): 012903.
doi: 10.7498/aps.71.20211062
|
[3] |
王顺利, 王亚超, 郭道友, 李超荣, 刘爱萍. NiO/GaN p-n结紫外探测器及自供电技术.
,
2021, 70(12): 128502.
doi: 10.7498/aps.70.20210154
|
[4] |
宋文刚, 张立军, 张晶, 王冠鹰. 硅漂移探测器数字脉冲处理技术研究.
,
2021, (): .
doi: 10.7498/aps.70.20211062
|
[5] |
韩冬, 孙飞阳, 鲁继远, 宋福明, 徐跃. 采用多晶硅场板降低单光子雪崩二极管探测器暗计数.
,
2020, 69(14): 148501.
doi: 10.7498/aps.69.20200523
|
[6] |
魏钟鸣, 夏建白. 低维半导体偏振光探测器研究进展.
,
2019, 68(16): 163201.
doi: 10.7498/aps.68.20191002
|
[7] |
吕懿, 张鹤鸣, 胡辉勇, 杨晋勇, 殷树娟, 周春宇. 单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型.
,
2015, 64(6): 067305.
doi: 10.7498/aps.64.067305
|
[8] |
洪霞, 郭雄彬, 方旭, 李衎, 叶辉. 基于表面等离子体共振增强的硅基锗金属-半导体-金属光电探测器的设计研究.
,
2013, 62(17): 178502.
doi: 10.7498/aps.62.178502
|
[9] |
安颖, 杜振辉, 刘景旺, 徐可欣. 激光自外差相干测量中分布反馈半导体激光器电流调谐非线性的补偿方法.
,
2012, 61(3): 034207.
doi: 10.7498/aps.61.034207
|
[10] |
王光强, 王建国, 童长江, 李小泽, 王雪锋. 高功率太赫兹脉冲半导体探测器的分析与设计.
,
2011, 60(3): 030702.
doi: 10.7498/aps.60.030702
|
[11] |
高勇, 马丽, 张如亮, 王冬芳. n,p柱宽度对超结SiGe功率二极管电学特性的影响.
,
2011, 60(4): 047303.
doi: 10.7498/aps.60.047303
|
[12] |
张爽, 赵德刚, 刘宗顺, 朱建军, 张书明, 王玉田, 段俐宏, 刘文宝, 江德生, 杨辉. 穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响.
,
2009, 58(11): 7952-7957.
doi: 10.7498/aps.58.7952
|
[13] |
周梅, 赵德刚. 以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器.
,
2009, 58(10): 7255-7260.
doi: 10.7498/aps.58.7255
|
[14] |
杨盛谊, 杜文树, 齐洁茹, 娄志东. 基于NPB的垂直构型有机发光晶体管的光电特性研究.
,
2009, 58(5): 3427-3432.
doi: 10.7498/aps.58.3427
|
[15] |
周 梅, 赵德刚. p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响.
,
2008, 57(7): 4570-4574.
doi: 10.7498/aps.57.4570
|
[16] |
司福祺, 刘建国, 谢品华, 张玉钧, 李 昂, 秦 敏, 李玉金, 窦 科, 李素文, 刘文清. 光纤模式混合器在差分吸收光谱系统中的应用研究.
,
2007, 56(3): 1825-1830.
doi: 10.7498/aps.56.1825
|
[17] |
雷家荣, 袁永刚, 赵 林, 赵敏智, 崔高显. 快中子堆n,γ混合场中γ光子注量的测量研究.
,
2003, 52(1): 53-57.
doi: 10.7498/aps.52.53
|
[18] |
杨金刚, 李卫江, 郭清江, 朱光华, 姜承烈. 带有磁分析器的半导体探测器带电粒子谱仪.
,
1974, 23(1): 52-62.
doi: 10.7498/aps.23.52
|
[19] |
陈玉连, 霍裕平. n型简单半导体跳跃式导电的磁阻.
,
1964, 20(12): 1286-1288.
doi: 10.7498/aps.20.1286
|
[20] |
唐璞山, 贺明霞, 陈佐禹, 王楚. 用面垒探测器测定n型硅中少数载流子的扩散长度.
,
1963, 19(7): 448-455.
doi: 10.7498/aps.19.448
|