| [1] |
张林, 马林东, 杜林, 李艳波, 徐先峰, 黄鑫蓉. 不同栅压下Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性仿真.
,
2023, 72(13): 138501.
doi: 10.7498/aps.72.20230207
|
| [2] |
樊济宇, 冯瑜, 陆地, 张卫纯, 胡大治, 杨玉娥, 汤如俊, 洪波, 凌浪生, 王彩霞, 马春兰, 朱岩. N型稀磁半导体Ge0.96–xBixFe0.04Te薄膜的磁电性质研究.
,
2019, 68(10): 107501.
doi: 10.7498/aps.68.20190019
|
| [3] |
王早, 张国峰, 李斌, 陈瑞云, 秦成兵, 肖连团, 贾锁堂. 利用N型半导体纳米材料抑制单量子点的荧光闪烁特性.
,
2015, 64(24): 247803.
doi: 10.7498/aps.64.247803
|
| [4] |
周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 吕懿, 王斌, 王冠宇. 应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型.
,
2014, 63(1): 017101.
doi: 10.7498/aps.63.017101
|
| [5] |
聂朦, 赵艳, 曾勇, 蒋毅坚. 不同退火温度下氧化锌薄膜可见发光与n型导电研究.
,
2013, 62(17): 176801.
doi: 10.7498/aps.62.176801
|
| [6] |
杨天勇, 孔春阳, 阮海波, 秦国平, 李万俊, 梁薇薇, 孟祥丹, 赵永红, 方亮, 崔玉亭. N离子注入富氧ZnO薄膜的p型导电及拉曼特性研究.
,
2013, 62(3): 037703.
doi: 10.7498/aps.62.037703
|
| [7] |
游海龙, 蓝建春, 范菊平, 贾新章, 查薇. 高功率微波作用下热载流子引起n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性退化研究.
,
2012, 61(10): 108501.
doi: 10.7498/aps.61.108501
|
| [8] |
李斌, 刘红侠, 袁博, 李劲, 卢凤铭. 应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型.
,
2011, 60(1): 017202.
doi: 10.7498/aps.60.017202
|
| [9] |
侯清玉, 赵春旺, 金永军. Al-2N高共掺浓度对ZnO半导体导电性能影响的第一性原理研究.
,
2009, 58(10): 7136-7140.
doi: 10.7498/aps.58.7136
|
| [10] |
李伟华, 庄奕琪, 杜磊, 包军林. n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究.
,
2009, 58(10): 7183-7188.
doi: 10.7498/aps.58.7183
|
| [11] |
朱 博, 桂永胜, 周文政, 商丽燕, 仇志军, 郭少令, 张福甲, 褚君浩. 窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究.
,
2006, 55(6): 2955-2960.
doi: 10.7498/aps.55.2955
|
| [12] |
徐慧, 宋祎璞, 李新梅. 一维无序体系电子跳跃导电研究.
,
2002, 51(1): 143-147.
doi: 10.7498/aps.51.143
|
| [13] |
徐慧, 宋袆璞. 一维无序体系的交流跳跃导电.
,
2002, 51(8): 1798-1803.
doi: 10.7498/aps.51.1798
|
| [14] |
孔春阳, 王万录, 廖克俊, 马勇, 王蜀霞, 方亮. p型半导体金刚石膜的磁阻效应.
,
2001, 50(8): 1616-1622.
doi: 10.7498/aps.50.1616
|
| [15] |
任红霞, 郝 跃, 许冬岗. N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究.
,
2000, 49(7): 1241-1248.
doi: 10.7498/aps.49.1241
|
| [16] |
顾春明, 沈 柯. 全光学型延时反馈法控制外腔式半导体激光器的混沌.
,
1998, 47(5): 732-737.
doi: 10.7498/aps.47.732
|
| [17] |
茅德强, 任尚元, 李名复. 立方半导体中双空位态的电子结构(Ⅱ)——能级和简单的物理模型.
,
1986, 35(6): 808-811.
doi: 10.7498/aps.35.808
|
| [18] |
王启明. 正弦式注入下半导体中过剩载流子的相移寿命.
,
1966, 22(3): 318-324.
doi: 10.7498/aps.22.318
|
| [19] |
栾心芙. 强磁场中n型锗的横向磁阻.
,
1965, 21(5): 1015-1037.
doi: 10.7498/aps.21.1015
|
| [20] |
霍裕平. 跳跃机构与低渗杂半导体杂质电导.
,
1963, 19(12): 791-806.
doi: 10.7498/aps.19.791
|
下载:
