| [1] |
曹宇, 张建军, 严干贵, 倪牮, 李天微, 黄振华, 赵颖. 电极间距对μc-Si1-xGex：H薄膜结构特性的影响.
,
2014, 63(7): 076801.
doi: 10.7498/aps.63.076801
|
| [2] |
韩亮, 刘德连, 陈仙, 赵玉清. 氮化铬过渡层对四面体非晶碳薄膜在高速钢基底上附着特性影响的研究.
,
2013, 62(9): 096802.
doi: 10.7498/aps.62.096802
|
| [3] |
王丽师, 徐建萍, 石少波, 张晓松, 任志瑞, 葛林, 李岚. ZnS修饰对ZnO纳米棒：P3HT复合薄膜I-V性质的影响.
,
2013, 62(19): 196103.
doi: 10.7498/aps.62.196103
|
| [4] |
刘玉栋, 杜磊, 孙鹏, 陈文豪. 静电放电对功率肖特基二极管I-V及低频噪声特性的影响.
,
2012, 61(13): 137203.
doi: 10.7498/aps.61.137203
|
| [5] |
韩亮, 杨立, 杨拉毛草, 王炎武, 赵玉清. 磁过滤器电流对非晶碳薄膜摩擦学特性影响的研究.
,
2011, 60(4): 046802.
doi: 10.7498/aps.60.046802
|
| [6] |
马松山, 朱佳, 徐慧, 郭锐. 碱基对组分、电极位能及界面耦合对DNA分子I-V特性的影响.
,
2010, 59(10): 7458-7462.
doi: 10.7498/aps.59.7458
|
| [7] |
张 威, 李梦轲, 魏 强, 曹 璐, 杨 志, 乔双双. ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究.
,
2008, 57(9): 5887-5892.
doi: 10.7498/aps.57.5887
|
| [8] |
刘 杰, 郝 跃, 冯 倩, 王 冲, 张进城, 郭亮良. 基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究.
,
2007, 56(6): 3483-3487.
doi: 10.7498/aps.56.3483
|
| [9] |
杨学文, 郑家贵, 张静全, 冯良桓, 蔡 伟, 蔡亚平, 李 卫, 黎 兵, 雷 智, 武莉莉. CdTe/CdS太阳电池I-V，C-V特性研究.
,
2006, 55(5): 2504-2507.
doi: 10.7498/aps.55.2504
|
| [10] |
刘彦欣, 王永昌, 杜少毅. 单电子三势垒隧穿结I-V特性研究.
,
2004, 53(8): 2734-2740.
doi: 10.7498/aps.53.2734
|
| [11] |
郑毅, 沈静琴, 陈学枝, 王洪涛, 许祝安, 张宣嘉. 横向交、直流电流对蓝青铜K0.3MoO3的I-V特性的调制效应.
,
2004, 53(4): 1182-1185.
doi: 10.7498/aps.53.1182
|
| [12] |
刘 明, 刘 宏, 何宇亮. 纳米硅/单晶硅异质结二极管的I-V特性.
,
2003, 52(11): 2875-2878.
doi: 10.7498/aps.52.2875
|
| [13] |
叶超, 宁兆元, 程珊华, 王响英. 氟化非晶碳薄膜的光学带隙分析.
,
2002, 51(11): 2640-2643.
doi: 10.7498/aps.51.2640
|
| [14] |
黄峰, 程珊华, 宁兆元, 杨慎东, 叶超. 真空退火对氟化非晶碳薄膜结构的影响.
,
2002, 51(6): 1383-1387.
doi: 10.7498/aps.51.1383
|
| [15] |
王少伟, 陆卫, 王弘, 王栋, 王民, 沈学础. Bi2Ti2O7/Si薄膜的制备及C-V特性研究.
,
2001, 50(12): 2461-2465.
doi: 10.7498/aps.50.2461
|
| [16] |
叶超, 宁兆元, 程珊华. 电子回旋共振等离子体增强沉积氟化非晶碳薄膜的光学性质.
,
2001, 50(10): 2017-2022.
doi: 10.7498/aps.50.2017
|
| [17] |
王芳卫, 严启伟, 袁 鹏, 沈保根, 张泮霖. 碳含量对Y-Ni-B-C超导相的形成与临界温度的影响.
,
1999, 48(13): 56-61.
doi: 10.7498/aps.48.56
|
| [18] |
王劲松, 叶高翔, 许宇庆, 张其瑞. 无规分形衬底上银薄膜的I-V特性.
,
1994, 43(10): 1688-1692.
doi: 10.7498/aps.43.1688
|
| [19] |
赵光林, 郑家祺, 王祖崙, 陈熙琛, 管惟炎. 急冷Al-Si-Ge超导合金的I-V特性.
,
1983, 32(8): 1079-1081.
doi: 10.7498/aps.32.1079
|
| [20] |
徐云辉, 周立, 尹道乐. Nb对C-15结构V2(HfZr)系列的超导转变温度的影响.
,
1982, 31(9): 1183-1190.
doi: 10.7498/aps.31.1183
|
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