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采用化学溶液分解法(CSD)在Si衬底上制备了Bi2Ti2O7薄膜.X射线双晶衍射和原子力显微镜检测表明,所制备的薄膜主要为Bi2Ti2O7相的多晶材料.同时还研究了AuBi2Ti2O7/n-Si(100)结构的电容电压(C-V)特性,结果表明,在Bi2Ti2O
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关键词:
- C-V特性 /
- Bi2Ti2O7薄膜 /
- 电荷迁移
We report the growth of Bi2Ti2O7 thin films on n type Si substrates by the chemical solution decomposition technique. Both the X-ray double-crystal diffraction and atomic force micro spectroscopy measurements are used to check the film properties. It is shown that the film is a multi crystal film dominated by the Bi2Ti2O7 phase. The C-V measurements are also performed on Au/Bi2Ti2O7/n-Si(100) MOS structure. It is revealed that both the fixed and mobile negative charges are contained in the film. The mobile negative charge results in the hysteresis loops on C-V curve.-
Keywords:
- C-V characteristics /
- Bi2Ti2O7 thin films /
- charge's move
[1] 刘丽, 刘杰, 曾健, 翟鹏飞, 张胜霞, 徐丽君, 胡培培, 李宗臻, 艾文思. 快重离子辐照对 $ {\rm YBa_2Cu_3O_{7–\delta}} $ 薄膜微观结构及载流特性的影响. , 2020, 69(7): 077401. doi: 10.7498/aps.69.20191914[2] 骆杨, 段羽, 陈平, 臧春亮, 谢月, 赵毅, 刘式墉. 利用空间电荷限制电流方法确定三(8-羟基喹啉)铝的电子迁移率特性初步研究. , 2012, 61(14): 147801. doi: 10.7498/aps.61.147801 [3] 周传仓, 刘发民, 丁芃, 钟文武, 蔡鲁刚, 曾乐贵. 钪钇石型β-Mn2V2O7的水热合成、结构表征与反铁磁性. , 2011, 60(7): 077504. doi: 10.7498/aps.60.077504 [4] 王鑫华, 赵妙, 刘新宇, 蒲颜, 郑英奎, 魏珂. AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合. , 2011, 60(4): 047101. doi: 10.7498/aps.60.047101 [5] 李建军, 于军, 李佳, 王梦, 李玉斌, 吴云翼, 高俊雄, 王耘波. La，V共掺杂的Bi4Ti3O12铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能测试. , 2010, 59(2): 1302-1307. doi: 10.7498/aps.59.1302 [6] 符史流, 柴 飞, 陈 洁, 张汉焱. Ce4+离子在Ca2SnO4一维结构基质中的电荷迁移光谱研究. , 2008, 57(5): 3254-3259. doi: 10.7498/aps.57.3254 [7] 王 华, 任明放. SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12复合铁电薄膜的制备与特性研究. , 2007, 56(12): 7315-7319. doi: 10.7498/aps.56.7315 [8] 王 华, 任鸣放. Si基Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究. , 2006, 55(6): 3152-3156. doi: 10.7498/aps.55.3152 [9] 郜锦侠, 张义门, 汤晓燕, 张玉明. C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度. , 2006, 55(6): 2992-2996. doi: 10.7498/aps.55.2992 [10] 杨学文, 郑家贵, 张静全, 冯良桓, 蔡 伟, 蔡亚平, 李 卫, 黎 兵, 雷 智, 武莉莉. CdTe/CdS太阳电池I-V，C-V特性研究. , 2006, 55(5): 2504-2507. doi: 10.7498/aps.55.2504 [11] 严成锋, 赵广军, 杭 寅, 张连翰, 徐 军. Ce:Lu2Si2O7闪烁晶体的结构和光谱特性. , 2005, 54(8): 3745-3748. doi: 10.7498/aps.54.3745 [12] 马建华, 孟祥建, 孙璟兰, 胡志高, 褚君浩. 化学溶液法制备的Bi3.25La0.75Ti3O12和 Bi3.25Nd0.75Ti3O12薄膜的光学特性. , 2005, 54(8): 3900-3904. doi: 10.7498/aps.54.3900 [13] 何 萌, 吕惠宾, 周岳亮, 程波林, 陈正豪, 金奎娟, 杨国桢. YBa2Cu3O7－δ/SrNb0.01Ti0.99O3 p-n结的制备及其特性. , 2005, 54(3): 1370-1372. doi: 10.7498/aps.54.1370 [14] 符史流, 戴 军, 丁球科, 赵韦人. Sr2CeO4电荷迁移发光的光谱结构规律研究. , 2005, 54(5): 2369-2373. doi: 10.7498/aps.54.2369 [15] 叶超, 宁兆元, 程珊华, 辛煜, 许圣华. C═C双键对氟化非晶碳薄膜I-V特性的影响. , 2004, 53(5): 1496-1500. doi: 10.7498/aps.53.1496 [16] 王华. Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究. , 2004, 53(4): 1265-1270. doi: 10.7498/aps.53.1265 [17] 赵勇, 诸葛向彬, 何业冶. 典型颗粒超导体YBa2Cu3O7/V2O5中临界电流随温度变化的特性. , 1994, 43(10): 1693-1703. doi: 10.7498/aps.43.1693 [18] 彭承, 盛篪, 孙恒慧. 单边分子束外延硅pn结C-V关系的新特点. , 1988, 37(6): 1025-1029. doi: 10.7498/aps.37.1025 [19] 王佩玲, 李德宇. Bi2Pb2V2O10的晶体结构. , 1985, 34(2): 235-240. doi: 10.7498/aps.34.235 [20] 杨达林, 万梅香, 张镜文, 钱人元. 聚N-乙烯基咔唑-2,4,7,三硝基-9-芴酮电荷转移复合物薄膜的载流子迁移率. , 1982, 31(12): 104-109. doi: 10.7498/aps.31.104-2 计量
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