| [1] |
张冷, 沈宇皓, 汤朝阳, 吴孔平, 张鹏展, 刘飞, 侯纪伟. 单轴应变对Sb2Se3空穴迁移率的影响.
,
2024, 73(11): 117101.
doi: 10.7498/aps.73.20240175
|
| [2] |
张冷, 张鹏展, 刘飞, 李方政, 罗毅, 侯纪伟, 吴孔平. 基于形变势理论的掺杂计算Sb2Se3空穴迁移率.
,
2024, 73(4): 047101.
doi: 10.7498/aps.73.20231406
|
| [3] |
张磊, 陈起航, 曹硕, 钱萍. 基于第一性原理计算单层IrSCl和IrSI的载流子迁移率.
,
2024, 73(21): 217201.
doi: 10.7498/aps.73.20241044
|
| [4] |
底琳佳, 戴显英, 宋建军, 苗东铭, 赵天龙, 吴淑静, 郝跃. 基于锡组分和双轴张应力调控的临界带隙应变Ge1-xSnx能带特性与迁移率计算.
,
2018, 67(2): 027101.
doi: 10.7498/aps.67.20171969
|
| [5] |
李卫胜, 周健, 王瀚宸, 汪树贤, 于志浩, 黎松林, 施毅, 王欣然. 二维半导体过渡金属硫化物的逻辑集成器件.
,
2017, 66(21): 218503.
doi: 10.7498/aps.66.218503
|
| [6] |
张理勇, 方粮, 彭向阳. 单层二硫化钼多相性质及相变的第一性原理研究.
,
2016, 65(12): 127101.
doi: 10.7498/aps.65.127101
|
| [7] |
白敏, 宣荣喜, 宋建军, 张鹤鸣, 胡辉勇, 舒斌. 压应变Ge/(001)Si1-xGex空穴散射与迁移率模型.
,
2015, 64(3): 038501.
doi: 10.7498/aps.64.038501
|
| [8] |
高娅娜, 李喜峰, 张建华. 溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管.
,
2014, 63(11): 118502.
doi: 10.7498/aps.63.118502
|
| [9] |
唐欣月, 高红, 潘思明, 孙鉴波, 姚秀伟, 张喜田. 单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质.
,
2014, 63(19): 197302.
doi: 10.7498/aps.63.197302
|
| [10] |
刘瑞兰, 王徐亮, 唐超. 基于粒子群算法的有机半导体NPB传输特性辨识.
,
2014, 63(2): 028105.
doi: 10.7498/aps.63.028105
|
| [11] |
王红培, 王广龙, 喻颖, 徐应强, 倪海桥, 牛智川, 高凤岐. 内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气特性分析.
,
2013, 62(20): 207303.
doi: 10.7498/aps.62.207303
|
| [12] |
董海明. 低温下二硫化钼电子迁移率研究.
,
2013, 62(20): 206101.
doi: 10.7498/aps.62.206101
|
| [13] |
於黄忠. 空间电荷限制电流法测量共混体系中空穴的迁移率.
,
2012, 61(8): 087204.
doi: 10.7498/aps.61.087204
|
| [14] |
骆杨, 段羽, 陈平, 臧春亮, 谢月, 赵毅, 刘式墉. 利用空间电荷限制电流方法确定三(8-羟基喹啉)铝的电子迁移率特性初步研究.
,
2012, 61(14): 147801.
doi: 10.7498/aps.61.147801
|
| [15] |
王平亚, 张金风, 薛军帅, 周勇波, 张进成, 郝跃. 晶格匹配InAlN/GaN和InAlN/AlN/GaN材料二维电子气输运特性研究.
,
2011, 60(11): 117304.
doi: 10.7498/aps.60.117304
|
| [16] |
张金风, 王平亚, 薛军帅, 周勇波, 张进成, 郝跃. 高电子迁移率晶格匹配InAlN/GaN材料研究.
,
2011, 60(11): 117305.
doi: 10.7498/aps.60.117305
|
| [17] |
代月花, 陈军宁, 柯导明, 孙家讹, 胡 媛. 纳米MOSFET迁移率解析模型.
,
2006, 55(11): 6090-6094.
doi: 10.7498/aps.55.6090
|
| [18] |
许雪梅, 彭景翠, 李宏建, 瞿述, 赵楚军, 罗小华. 有机层界面对双层有机发光二极管复合效率的影响.
,
2004, 53(1): 286-290.
doi: 10.7498/aps.53.286
|
| [19] |
袁德荣, 乔灵芝. 带有非对称双阱势的氢键链中的扭结孤子激发.
,
2001, 50(3): 394-397.
doi: 10.7498/aps.50.394
|
| [20] |
李志锋, 陆 卫, 叶红娟, 袁先璋, 沈学础, G.Li, S.J.Chua. GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究.
,
2000, 49(8): 1614-1619.
doi: 10.7498/aps.49.1614
|
下载:
