[1] |
刘钟磊, 曹津铭, 王智, 赵宇宏. 相场法探究铁电体涡旋拓扑结构与准同型相界.
,
2023, 72(3): 037702.
doi: 10.7498/aps.72.20221898
|
[2] |
安霞, 黄如, 李志强, 云全新, 林猛, 郭岳, 刘朋强, 黎明, 张兴. 高迁移率Ge沟道器件研究进展.
,
2015, 64(20): 208501.
doi: 10.7498/aps.64.208501
|
[3] |
谷文萍, 张林, 李清华, 邱彦章, 郝跃, 全思, 刘盼枝. 中子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电特性的影响.
,
2014, 63(4): 047202.
doi: 10.7498/aps.63.047202
|
[4] |
尚勋忠, 陈威, 曹万强. 弛豫铁电体介电可调性的研究.
,
2012, 61(21): 217701.
doi: 10.7498/aps.61.217701
|
[5] |
刘玉荣, 王智欣, 虞佳乐, 徐海红. 高迁移率聚合物薄膜晶体管.
,
2009, 58(12): 8566-8570.
doi: 10.7498/aps.58.8566
|
[6] |
林若兵, 王欣娟, 冯 倩, 王 冲, 张进城, 郝 跃. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管肖特基高温退火机理研究.
,
2008, 57(7): 4487-4491.
doi: 10.7498/aps.57.4487
|
[7] |
李 潇, 张海英, 尹军舰, 刘 亮, 徐静波, 黎 明, 叶甜春, 龚 敏. 磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究.
,
2007, 56(7): 4117-4121.
doi: 10.7498/aps.56.4117
|
[8] |
代月花, 陈军宁, 柯导明, 孙家讹, 胡 媛. 纳米MOSFET迁移率解析模型.
,
2006, 55(11): 6090-6094.
doi: 10.7498/aps.55.6090
|
[9] |
施 展, 南策文. 铁电/铁磁三相颗粒复合材料的磁电性能计算.
,
2004, 53(8): 2766-2770.
doi: 10.7498/aps.53.2766
|
[10] |
唐春红, 蔡孟秋, 尹 真, 张明生. 铁电体SrBi2Nb2O2电子能带结构的第一性原理研究.
,
2004, 53(9): 2931-2936.
doi: 10.7498/aps.53.2931
|
[11] |
袁德荣, 乔灵芝. 带有非对称双阱势的氢键链中的扭结孤子激发.
,
2001, 50(3): 394-397.
doi: 10.7498/aps.50.394
|
[12] |
刘平, 徐文兰, 李志锋, 缪中林, 陆卫. PbTiO3铁电相及顺电相的声子色散理论计算.
,
2001, 50(2): 239-243.
doi: 10.7498/aps.50.239
|
[13] |
成元发, 曹万强. 氢键分子系统中外场与阻尼作用下扭结孤子对的特性研究.
,
2000, 49(1): 1-4.
doi: 10.7498/aps.49.1
|
[14] |
李志锋, 陆 卫, 叶红娟, 袁先璋, 沈学础, G.Li, S.J.Chua. GaN载流子浓度和迁移率的光谱研究.
,
2000, 49(8): 1614-1619.
doi: 10.7498/aps.49.1614
|
[15] |
王春雷, 秦自楷, 林多樑. 氢键铁电体相变的格林函数理论(Ⅱ).
,
1990, 39(4): 547-554.
doi: 10.7498/aps.39.547
|
[16] |
李武;许煌寰;李仲荣;王虹. 钨青铜型结构铁电体的低温扩散相转变.
,
1989, 38(8): 1280-1289.
doi: 10.7498/aps.38.1280
|
[17] |
王春雷, 张晶波, 秦自楷, 林多樑. 氢键铁电体相变的格林函数理论(Ⅰ).
,
1989, 38(11): 1740-1747.
doi: 10.7498/aps.38.1740
|
[18] |
王虹, 许煜寰. 铁电-顺电扩散相转变的实验和统计模型.
,
1986, 35(5): 605-614.
doi: 10.7498/aps.35.605
|
[19] |
周炳林, 陈正秀. 关于GaAs的低迁移率问题.
,
1985, 34(4): 537-541.
doi: 10.7498/aps.34.537
|
[20] |
王永令, 袁万宗, 何国荣, 林盛卫, 凌荣华, 瞿翠凤. 铁电体爆-电换能的实验研究.
,
1983, 32(6): 780-785.
doi: 10.7498/aps.32.780
|