| [1] |
时凯居, 李睿, 李长富, 王成新, 徐现刚, 冀子武. 荧光法测定半导体禁带宽度.
,
2022, 71(6): 067803.
doi: 10.7498/aps.71.20211894
|
| [2] |
王仲锐, 姜宇航. 转角二维量子材料中平带相关的新奇电子态物性.
,
2022, 71(12): 127202.
doi: 10.7498/aps.71.20220064
|
| [3] |
胡倩颖, 许杨. 二维半导体材料中激子对介电屏蔽效应的探测及其应用.
,
2022, 71(12): 127102.
doi: 10.7498/aps.71.20220054
|
| [4] |
郭道友, 李培刚, 陈政委, 吴真平, 唐为华. 超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展.
,
2019, 68(7): 078501.
doi: 10.7498/aps.68.20181845
|
| [5] |
谢修华, 李炳辉, 张振中, 刘雷, 刘可为, 单崇新, 申德振. 点缺陷调控: 宽禁带II族氧化物半导体的机遇与挑战.
,
2019, 68(16): 167802.
doi: 10.7498/aps.68.20191043
|
| [6] |
武执政, 余坤, 郭志伟, 李云辉, 江海涛. 类特异材料半导体复合结构中的电子Tamm态.
,
2015, 64(10): 107302.
doi: 10.7498/aps.64.107302
|
| [7] |
刘海云, 刘湘涟, 田定琪, 杜正良, 崔教林. 含硫宽禁带Ga2Te3基热电半导体的声电输运特性.
,
2015, 64(19): 197201.
doi: 10.7498/aps.64.197201
|
| [8] |
袁振坤, 许鹏, 陈时友. 多元半导体光伏材料中晶格缺陷的计算预测.
,
2015, 64(18): 186102.
doi: 10.7498/aps.64.186102
|
| [9] |
朱 博, 桂永胜, 周文政, 商丽燕, 仇志军, 郭少令, 张福甲, 褚君浩. 窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究.
,
2006, 55(6): 2955-2960.
doi: 10.7498/aps.55.2955
|
| [10] |
朱 博, 桂永胜, 仇志军, 周文政, 姚 炜, 郭少令, 褚君浩, 张福甲. 窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡.
,
2006, 55(2): 786-790.
doi: 10.7498/aps.55.786
|
| [11] |
康 雷, 赵 乾, 赵晓鹏. 二维负磁导率材料中的缺陷效应.
,
2004, 53(10): 3379-3383.
doi: 10.7498/aps.53.3379
|
| [12] |
赵 乾, 赵晓鹏, 康 雷, 张富利, 刘亚红, 罗春荣. 一维负磁导率材料中的缺陷效应.
,
2004, 53(7): 2206-2211.
doi: 10.7498/aps.53.2206
|
| [13] |
王杰, 俞根才, 诸长生, 王迅. 宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究.
,
1995, 44(9): 1471-1479.
doi: 10.7498/aps.44.1471
|
| [14] |
吴文豪, 韩大星. 用红外光激励电流法研究非晶半导体带隙态分布.
,
1988, 37(6): 916-923.
doi: 10.7498/aps.37.916
|
| [15] |
李名復. 半导体缺陷能级的应力效应.
,
1985, 34(12): 1549-1558.
doi: 10.7498/aps.34.1549
|
| [16] |
陈存礼. 测量半导体材料电阻率的四探针公式的普遍形式.
,
1985, 34(11): 1509-1515.
doi: 10.7498/aps.34.1509
|
| [17] |
彭周人, 杜奇石, 李丙瑞. 非晶态半导体的缺陷态化学键的量子化学研究.
,
1985, 34(4): 542-546.
doi: 10.7498/aps.34.542
|
| [18] |
陈光华, 刘惠春. 非晶半导体中杂质和缺陷态的电子统计理论.
,
1984, 33(1): 93-98.
doi: 10.7498/aps.33.93
|
| [19] |
柳树政. 磁场中窄禁带半导体的高阶光学性质(Ⅱ).
,
1984, 33(12): 1640-1649.
doi: 10.7498/aps.33.1640
|
| [20] |
柳树政. 磁场中窄禁带半导体的高阶光学性质(Ⅰ).
,
1984, 33(12): 1629-1639.
doi: 10.7498/aps.33.1629
|
下载:
