| [1] |
陈璐, 李烨飞, 郑巧玲, 刘庆坤, 高义民, 李博, 周长猛. B2-和B19'-NiTi表面原子弛豫、表面能、电子结构及性能的理论研究.
,
2019, 68(5): 053101.
doi: 10.7498/aps.68.20181944
|
| [2] |
滕利华, 牟丽君. 掺杂对称性对(110)晶向生长GaAs/AlGaAs量子阱中电子自旋弛豫动力学的影响}.
,
2017, 66(4): 046802.
doi: 10.7498/aps.66.046802
|
| [3] |
韩元春, 包特木尔巴根. 水溶性TGA-CdTe量子点的超快弛豫动力学过程探究.
,
2015, 64(11): 113201.
doi: 10.7498/aps.64.113201
|
| [4] |
朱孟龙, 董玉兰, 钟海政, 何军. CdTe量子点的室温激子自旋弛豫动力学.
,
2014, 63(12): 127202.
doi: 10.7498/aps.63.127202
|
| [5] |
王瑜玉, 赵永涛, 肖国青, 房 燕, 张小安, 王铁山, 王释伟, 彭海波. 高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)与Si(110)固体表面作用的电子发射研究.
,
2006, 55(2): 673-676.
doi: 10.7498/aps.55.673
|
| [6] |
吴 羽, 焦中兴, 雷 亮, 文锦辉, 赖天树, 林位株. 半导体量子阱中电子自旋弛豫和动量弛豫.
,
2006, 55(6): 2961-2965.
doi: 10.7498/aps.55.2961
|
| [7] |
章永凡, 丁开宁, 林 伟, 李俊篯. VC(001)弛豫表面构型与电子结构第一性原理研究.
,
2005, 54(3): 1352-1360.
doi: 10.7498/aps.54.1352
|
| [8] |
刘 峰, 阎守胜. 非理想第二类超导体局域磁弛豫的计算模拟：非均匀钉扎势和表面势垒影响.
,
2000, 49(9): 1829-1837.
doi: 10.7498/aps.49.1829
|
| [9] |
申三国, 贾 瑜, 马丙现, 范希庆. ZnS(110)表面原子几何与电子特性的计算.
,
1998, 47(11): 1879-1884.
doi: 10.7498/aps.47.1879
|
| [10] |
马丙现, 贾 瑜, 范希庆. ZnTe(110)表面电子态及其弛豫对表面电子态的影响.
,
1998, 47(6): 970-977.
doi: 10.7498/aps.47.970
|
| [11] |
王恩哥. Zn/GaAs(110)系统的表面弛豫及其对费密能级钉扎的影响.
,
1997, 46(1): 117-122.
doi: 10.7498/aps.46.117
|
| [12] |
张海峰, 李永平, 方容川, 班大雁. CdTe(111)表面碱金属吸附的电子结构特性研究.
,
1996, 45(12): 2047-2053.
doi: 10.7498/aps.45.2047
|
| [13] |
张海峰, 李永平, 方容川, 杨凤源, 徐彭寿. CdTe(111)表面电子结构.
,
1995, 44(2): 280-286.
doi: 10.7498/aps.44.280
|
| [14] |
蓝田, 徐飞岳. 用低能电子衍射研究ⅢA-ⅤA和ⅡB-ⅥA化合物(110)和(1010)表面的弛豫.
,
1990, 39(7): 66-76.
doi: 10.7498/aps.39.66
|
| [15] |
蓝田, 徐飞岳. 用低能电子衍射研究GaAs(110)表面的弛豫.
,
1989, 38(3): 357-365.
doi: 10.7498/aps.38.357
|
| [16] |
杨洪宁, 林步镇, 方俊鑫. 准正电子偶素弛豫机制的研究.
,
1986, 35(6): 697-703.
doi: 10.7498/aps.35.697
|
| [17] |
夏建白. Si,GaAs(111)表面弛豫效应.
,
1984, 33(2): 143-153.
doi: 10.7498/aps.33.143
|
| [18] |
徐永年, 张开明. GaAs1-xPx(110)清洁表面结构和电子态的研究.
,
1983, 32(2): 247-250.
doi: 10.7498/aps.32.247
|
| [19] |
陈述春, 戴凤妹. 玻璃中Nd3+离子4F3/2态的多声子弛豫及电子-声子相互作用.
,
1981, 30(5): 624-632.
doi: 10.7498/aps.30.624
|
| [20] |
张开明, 叶令. Si(111)表面原子弛豫研究.
,
1980, 29(1): 122-126.
doi: 10.7498/aps.29.122
|
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