[1] |
李勇, 王应, 李尚升, 李宗宝, 罗开武, 冉茂武, 宋谋胜. 硼硫协同掺杂金刚石的高压合成与电学性能研究.
,
2019, 68(9): 098101.
doi: 10.7498/aps.68.20190133
|
[2] |
李勇, 李宗宝, 宋谋胜, 王应, 贾晓鹏, 马红安. 硼氢协同掺杂Ib型金刚石大单晶的高温高压合成与电学性能研究.
,
2016, 65(11): 118103.
doi: 10.7498/aps.65.118103
|
[3] |
苏青峰, 刘长柱, 王林军, 夏义本. 不同织构CVD金刚石膜的Hall效应特性.
,
2015, 64(11): 117301.
doi: 10.7498/aps.64.117301
|
[4] |
肖宏宇, 李尚升, 秦玉琨, 梁中翥, 张永胜, 张东梅, 张义顺. 高温高压下掺硼宝石级金刚石单晶生长特性的研究.
,
2014, 63(19): 198101.
doi: 10.7498/aps.63.198101
|
[5] |
顾珊珊, 胡晓君, 黄凯. 退火温度对硼掺杂纳米金刚石薄膜微结构和p型导电性能的影响.
,
2013, 62(11): 118101.
doi: 10.7498/aps.62.118101
|
[6] |
林雪玲, 潘凤春. 氮掺杂的金刚石磁性研究.
,
2013, 62(16): 166102.
doi: 10.7498/aps.62.166102
|
[7] |
胡衡, 胡晓君, 白博文, 陈小虎. 退火时间对硼掺杂纳米金刚石薄膜微结构和电化学性能的影响.
,
2012, 61(14): 148101.
doi: 10.7498/aps.61.148101
|
[8] |
周海洋, 朱晓东, 詹如娟. CVD金刚石辐射探测器研制及性能测试.
,
2010, 59(3): 1620-1624.
doi: 10.7498/aps.59.1620
|
[9] |
李荣斌. 同质与异质外延掺杂CVD金刚石薄膜的结构与性能.
,
2009, 58(2): 1287-1292.
doi: 10.7498/aps.58.1287
|
[10] |
朱宏喜, 毛卫民, 冯惠平, 吕反修, I. I. Vlasov, V. G. Ralchenko, A. V. Khomich. CVD金刚石薄膜孪晶形成的原子机理分析.
,
2007, 56(7): 4049-4055.
doi: 10.7498/aps.56.4049
|
[11] |
李荣斌. 硼/氮原子共注入金刚石的原子级研究.
,
2007, 56(1): 395-399.
doi: 10.7498/aps.56.395
|
[12] |
元 光, 郭大勃, 顾长志, 窦 艳, 宋 航. 单颗粒CVD金刚石的场发射.
,
2007, 56(1): 143-146.
doi: 10.7498/aps.56.143
|
[13] |
李荣斌. 掺杂CVD金刚石薄膜的应力分析.
,
2007, 56(6): 3428-3434.
doi: 10.7498/aps.56.3428
|
[14] |
牛燕雄, 黄 峰, 段晓峰, 汪岳峰, 张 鹏, 何琛娟, 禹 晔, 姚建铨. 脉冲激光对类金刚石(DLC)薄膜的热冲击效应研究.
,
2005, 54(10): 4816-4821.
doi: 10.7498/aps.54.4816
|
[15] |
胡晓君, 李荣斌, 沈荷生, 何贤昶, 邓 文, 罗里熊. 掺杂金刚石薄膜的缺陷研究.
,
2004, 53(6): 2014-2018.
doi: 10.7498/aps.53.2014
|
[16] |
刘存业, 刘 畅. CVD金刚石膜的结构分析.
,
2003, 52(6): 1479-1483.
doi: 10.7498/aps.52.1479
|
[17] |
孔春阳, 王万录, 廖克俊, 马勇, 王蜀霞, 方亮. p型半导体金刚石膜的磁阻效应.
,
2001, 50(8): 1616-1622.
doi: 10.7498/aps.50.1616
|
[18] |
廖克俊, 王万录, 冯 斌. 负偏压热灯丝CVD金刚石膜核化和早期生长的研究.
,
1998, 47(3): 514-519.
doi: 10.7498/aps.47.514
|
[19] |
廖克俊, 王万录. 直流等离子体CVD法合成的金刚石膜的断裂强度研究.
,
1994, 43(9): 1559-1563.
doi: 10.7498/aps.43.1559
|
[20] |
彭少麒, 刘国洪. 类金刚石a-C:H膜的热释氢和红外吸收研究.
,
1988, 37(7): 1209-1212.
doi: 10.7498/aps.37.1209
|