| [1] |
玛丽娅, 李豫东, 郭旗, 艾尔肯, 王海娇, 曾骏哲. In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究.
,
2015, 64(15): 154217.
doi: 10.7498/aps.64.154217
|
| [2] |
杨双波. 掺杂浓度及掺杂层厚度对Si均匀掺杂的GaAs量子阱中电子态结构的影响.
,
2013, 62(15): 157301.
doi: 10.7498/aps.62.157301
|
| [3] |
刘丽想, 董丽娟, 刘艳红, 杨成全, 石云龙. 含特异材料的光量子阱频率特性研究.
,
2012, 61(13): 134210.
doi: 10.7498/aps.61.134210
|
| [4] |
宿世臣, 吕有明, 梅霆. m面蓝宝石上ZnO/ZnMgO多量子阱的制备及发光特性研究.
,
2011, 60(9): 096801.
doi: 10.7498/aps.60.096801
|
| [5] |
马小凤, 王懿喆, 周呈悦. a-Si ∶H/SiO2多量子阱材料制备及其光学性能和微结构研究.
,
2011, 60(6): 068102.
doi: 10.7498/aps.60.068102
|
| [6] |
黄锐, 王旦清, 宋捷, 丁宏林, 王祥, 郭艳青, 陈坤基, 徐骏, 李伟, 马忠元. 基于Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜结构的量子点构筑及发光特性.
,
2010, 59(8): 5823-5827.
doi: 10.7498/aps.59.5823
|
| [7] |
黄锐, 董恒平, 王旦清, 陈坤基, 丁宏林, 徐骏, 李伟, 马忠元. 基于Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜结构电致发光特性研究.
,
2009, 58(3): 2072-2076.
doi: 10.7498/aps.58.2072
|
| [8] |
郑立仁, 黄柏标, 尉吉勇. SiO2纳米线簇、C-Si-O纳米球的制备及形貌、红外光谱和光致发光光谱研究.
,
2009, 58(12): 8612-8616.
doi: 10.7498/aps.58.8612
|
| [9] |
徐耿钊, 梁 琥, 白永强, 刘纪美, 朱 星. 低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究.
,
2005, 54(11): 5344-5349.
doi: 10.7498/aps.54.5344
|
| [10] |
徐晓华, 牛智川, 倪海桥, 徐应强, 张 纬, 贺正宏, 韩 勤, 吴荣汉, 江德生. 分子束外延生长的(GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究.
,
2005, 54(6): 2950-2954.
doi: 10.7498/aps.54.2950
|
| [11] |
邵嘉平, 胡 卉, 郭文平, 汪 莱, 罗 毅, 孙长征, 郝智彪. 高In组分InxGa1－xN/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究.
,
2005, 54(8): 3905-3909.
doi: 10.7498/aps.54.3905
|
| [12] |
王华. Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究.
,
2004, 53(4): 1265-1270.
doi: 10.7498/aps.53.1265
|
| [13] |
纪爱玲, 马利波, 刘 澂, 王永谦. 纳米Si-SiOx和Si-SiNx复合薄膜的低温制备及其发光特性.
,
2004, 53(11): 3818-3822.
doi: 10.7498/aps.53.3818
|
| [14] |
王少伟, 陆卫, 王弘, 王栋, 王民, 沈学础. Bi2Ti2O7/Si薄膜的制备及C-V特性研究.
,
2001, 50(12): 2461-2465.
doi: 10.7498/aps.50.2461
|
| [15] |
林 峰, 盛 篪, 柯 炼, 朱建红, 龚大卫, 张胜坤, 俞敏峰, 樊永良, 王 迅. 导纳谱研究两类Si基量子阱基态子能级的性质.
,
1998, 47(7): 1171-1179.
doi: 10.7498/aps.47.1171
|
| [16] |
杨 宇, 夏冠群, 赵国庆, 王 迅. Si离子注入对分子束外延Si1-xGex/Si量子阱发光特性的影响.
,
1998, 47(6): 978-984.
doi: 10.7498/aps.47.978
|
| [17] |
俞敏峰, 杨宇, 沈文忠, 朱海军, 龚大卫, 盛篪, 王迅. p型GexSi1-x/Si多量子阱的红外吸收及其分析.
,
1997, 46(4): 740-746.
doi: 10.7498/aps.46.740
|
| [18] |
王晓平, 赵特秀, 刘宏图, 施一生, 翁惠民, 郭学哲. 多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究.
,
1994, 43(5): 823-828.
doi: 10.7498/aps.43.823
|
| [19] |
王善忠, 李道火. a-Si3N4纳米粒子的激光法制备及能级结构研究.
,
1994, 43(4): 627-631.
doi: 10.7498/aps.43.627
|
| [20] |
李先皇, 陆昉, 孙恒慧. 用深能级瞬态谱方法研究赝晶Si/Ge0.25Si0.75/Si单量子阱的价带偏移.
,
1993, 42(7): 1153-1159.
doi: 10.7498/aps.42.1153
|
下载:
