Vol. 44, No. 6 (1995)
1995年03月20日
总论
1995, 44 (6): 841-852.
doi: 10.7498/aps.44.841
摘要 +
报道了既不连续又不可逆一维映象中出现的一种具有新特征的激发(crisis)模式。这一新型激发产生于不连续性与不可逆性相互作用所导致的“映孔”与混沌吸引子的碰撞。映孔的出现可使迭代过程逃逸原来吸引子所占据的相空间区域,从而发生吸引子的突然扩张。数值计算结果表明,激发的特征时间与外控参量距其临界值距离的依赖关系为∝exp(U_0—U_(0c))~(-1/2),τ的不变分布P(τ)随τ增长呈现指数衰减关系。这种产生机制及主要特征与三种常见的激发相比均有新的特点。
1995, 44 (6): 853-861.
doi: 10.7498/aps.44.853
摘要 +
Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的质量与生长过程中的汞压有关。根据缔合溶液模型及相图理论,计算了汞压不平衡时液相点温度移动及组份的变化,并就液相外延的生长条件进行了分析。
唯象论的经典领域
1995, 44 (6): 862-871.
doi: 10.7498/aps.44.862
摘要 +
用唯象理论模型讨论了储存环型自由电子激光器光场混沌的控制问题。提出了一种控制非自治常微分方程系统混沌的方法,即“拍方法”。理论分析和数值计算结果都表明:当在激光共振腔内引入一个弱周期控制光场时,随着控制光场振幅和周期的改变,激光强度随时间的变化可以由混沌的变为周期的。相应的最大Lyapunov特征指数由正数变为负数。进一步的研究还发现:只有当控制光场的周期是腔内原有增益调制周期的整数倍时,光场混沌才能被控制住。也就是说,这种加一个“拍函数”的控制混沌方法实际上是一种无反馈的共振方法。另外,通过引入“演化算
流体、等离子体和放电
1995, 44 (6): 872-876.
doi: 10.7498/aps.44.872
摘要 +
描述了利用光吸收研究C_(60)分子热力学性质的方法。通过对气态C_(60)分子的研究,得到了气态C_(60)分子从410至850℃的气压与温度的关系,同时给出在此温度范围内C_(60)分子的热力学升华热为175kJ·mol~(-1),并给出C_(60)分子笼型结构的破坏温度为850℃。
1995, 44 (6): 877-884.
doi: 10.7498/aps.44.877
摘要 +
建立了在球形靶鞘层中离子的蒙特-卡罗模拟模型,考虑了离子与中性粒子的电荷交换碰撞和弹性散射,以及精确依赖于入射离子能量的电荷交换碰撞截面和动量输运截面。模拟了不同气压下,在鞘层扩展过程中,氮离子N_2~+到达靶表面的能量分布和入射角分布,研究了它们的变化规律。
凝聚物质：结构、热学和力学性质
1995, 44 (6): 885-896.
doi: 10.7498/aps.44.885
摘要 +
采用第一性原理分子动力学方法研究了高温下正常密度和高密度液体镓的结构和性质。结果与有关实验事实相符合,发现液体镓中仍残留着共价键相结合的镓分子,随着密度的增加,结构因子主峰右边逐渐发展成为一肩膀。并从能量角度讨论了液体镓结构因子中出现肩膀的物理原因。
1995, 44 (6): 897-902.
doi: 10.7498/aps.44.897
摘要 +
研究了取向剂聚酰亚胺上摩擦强度与液晶的表面锚定强度的关系,分析了液晶的表面锚定强度与液晶分子表面预倾角的关系,并运用空间相互作用模型及表面沟槽理论进行了对比分析,认为液晶分子的表面排列机理主要是聚合物与液晶分子的空间相互作用力。
1995, 44 (6): 903-910.
doi: 10.7498/aps.44.903
摘要 +
选用分子量500万的聚氧化乙烯,通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物(PEO)_(?)-CuBr_2(n=4,8,12,16,24)薄膜,并在0.1—2443MPa范围不同的流体静压力下测量了它们的相对介电常数,分别探讨了高聚物薄膜在室温常压和高压下离子电导率与介电常数的关系。实验结果证实:添加介电常数较高及本体粘度较低的增塑剂C_4H_6O_3后,当其相对浓度npc/n_c=20％时,不仅该薄膜的室温常压离子电导率明显提高6.8倍,而且其压力下的离子电导率也提高1(0.1—100MPa)至2(350—800
1995, 44 (6): 911-916.
doi: 10.7498/aps.44.911
摘要 +
用卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光测试技术研究了室温下350keVYb~+以1×10~(15)Yb·cm~(-2)的剂量注入单晶硅后,在不同快速热退火温度下表面非晶层的固相外延结晶,结晶过程中Yb的迁移和其光致发光发射。在800,900和1000℃快速热退火温度下,表面非晶层的固相外延结晶都在掺杂区域发生中断,同时观察到Yb在晶体/非晶界面和表面的双偏析新现象,并且Yb的光致发光强度随退火温度的增加而增加。但在1200℃退火温度下,表面非晶层则完全结晶,伴随着结晶过程Yb几乎全部堆积到了表面附近,并导致了
1995, 44 (6): 977-986.
doi: 10.7498/aps.44.977
摘要 +
推导出利用embedded-atommethodEAM势表达的力学稳定性判据给出了相应的数值方法,并且提出了确定势函数的适用范围的理论判据。根据该理论肯定了A.Voter等给出的镍原子间的EAM势的可靠性,并计算了镍单晶体的力学性质。计算表明:单轴外力沿[100]方向加载在镍单晶体上,在压应力作用下,晶体结构发生转变,产生两个不稳定的新结构相bcc和bct相在张应力作用下,镍单晶发生均匀形变,当形变量达10.51％时材料断裂,相应的理论拉伸强度值为1.46×10~(11)dyn·cm~(-2)。由这些计算
1995, 44 (6): 987-994.
doi: 10.7498/aps.44.987
摘要 +
给出了正确描述最近邻相互作用下半无限平方晶格的哈密顿量,进而利用矩阵格林函数方法求出半无限平方晶格的晶格格林函数。
凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
1995, 44 (6): 917-921.
doi: 10.7498/aps.44.917
摘要 +
实验研究了R_(1-x)Pr_xBa_2Cu_3O_(7-δ)系列的超导T_c和正常态电阻率,其中R=Nd,Dy,Tm,Yb和Lu。实验结果表明,Pr的部分替代导致超导T_c的抑制,其T_c抑制速率、临界Pr浓度X_(cr)和正常态电阻率与R三价离子半径之间有着密切相关。这个离子尺寸效应的起因可能与PrBa_2Cu_3O(7-δ)晶胞团的形成有关。
1995, 44 (6): 922-928.
doi: 10.7498/aps.44.922
摘要 +
对名义组份为(Bi_(1-x),M_x)Sr_2YCu_2O_y(x=0.6—0.7)的样品,当M=Cd,Ni和Zn时合成了Bi-1212相材料,实验发现Cd占据Bi位,可以稳定单BiO层,高压氧下退火,在32K出现超导转变,而Zn和Ni进入CuO平面,占据Cu位,破坏了材料的超导电性。用Cd稳定单BiO层还能够合成Bi-1222相化合物,它的固溶范围比Bi-1212大,对这一现像进行了结构上的分析。在不同氧压退火处理下的Bi-1222相样品,电阻随氧压增大而变小,但在4.2K以上未观察到超导转变。
1995, 44 (6): 929-935.
doi: 10.7498/aps.44.929
摘要 +
系统研究了不同氧缺陷的YBa_2Cu_3O_(7-δ)(δ=0.06—0.68)超导体正常态(300K)和超导态(77K)下的正电子寿命谱,利用两态捕获模型对实验结果进行了分析,计算了相应的局域电子密度n_c和空位浓度C_v随氧缺陷δ的变化,给出了氧缺陷YBa_2Cu_3O_(7-δ)体系的正电子湮没特征,讨论了相应的正电子湮没机制以及与超导电性之间的关联。
1995, 44 (6): 936-942.
doi: 10.7498/aps.44.936
摘要 +
利用余瑞璜的经验电子理论及吕振家-王绍铿的结合能公式,分析了金属间化合物Co_3Ti和CoTi的晶格常数和结合能,晶格常数的计算结果与实验值相当符合,并对金属的脆性与金属中晶格电子和共价电子数量的关系进行了讨论。
1995, 44 (6): 943-948.
doi: 10.7498/aps.44.943
摘要 +
利用瓦特计技术,研究了YBa_2Cu_3O_(7-y)烧结样品和粉末熔化法(PMP)织构样品在77K和50Hz交变磁场下的交流(ac)损耗(?)实验结果表明,ac损耗(?)同外磁场振幅H_m之间遵从幂函数规律:(?)∝H_m~n对于YBa_2Cu_3O_(7-y)的烧结样品:(1)当H_m<40Oe时,这样低的磁场已穿透弱连接的晶粒边界网络,导至晶粒间的损耗,(?)∝H_m~(1.6)(2)当40Oe≤H_m<170Oe时,中等磁场破坏了晶粒间的耦合,并且磁通穿进了晶粒内,引起不完全穿透的晶粒内损耗,(?
1995, 44 (6): 949-957.
doi: 10.7498/aps.44.949
摘要 +
用化学动力学探讨了Bi系超导相形成的机理,提出反应活化能是控制超导相形成的关键因素。在纯Bi系2223名义成份下,2212相的形成满足“晶核形成生长”自催化动力学模型,其动力学方程为α_(2212)=1—exp(—k_(2212)t~(2.5))。2223相的形成较好地符合“收缩晶核界面”反应模型,动力学方程为1—(1—α_(2223))~(1/3)=k_(2223)t。以0.35molPb替代Bi后,2212相形成的动力学规律没有本质改变,但是2223相的形成表现出区域反应的自催化效应,其相应的动力学方
1995, 44 (6): 958-962.
doi: 10.7498/aps.44.958
摘要 +
利用计算机MonteCarlo模拟,研究自旋S=3/2和S=2Blume-Capel模型的相图。与最近刚发展起来的适用于研究S>1的关联有效场相比较,得出如下结论:对于S=3/2和S=2,关联有效场过高地估计了它们的相变温度对于S=3/2的相图,除了有二级相变线外,还发现了一级相变线对于S=2,关联有效场同样过高地估计了三临界点的值。
1995, 44 (6): 963-969.
doi: 10.7498/aps.44.963
摘要 +
利用透射电子显微镜和X射线衍射研究了溶胶法制备的分散在SiO_2母体内的纯Fe微粉(Fe-SiO_2)和化学共沉法制得的含Coγ-Fe_2O_3微粉的晶形和结构。用振动样品磁强计测量这些微粉的磁性。发现粒度为50—300(?)的Fe-SiO_2微粉,当温度由300K降至80K时,矫顽力变化很少,但1000(?)的含Coγ-Fe_2O_3微粉的矫顽力则上升了10倍以上。利用趋近饱和定律求出这些样品的各向异性常数随温度的变化,并讨论了它们的矫顽力随温度变化的原因。
1995, 44 (6): 970-976.
doi: 10.7498/aps.44.970
摘要 +
用虚拟自旋-1/2算符理论计算了核四极共振自旋系统在自旋锁定脉冲序列作用下的时间演化,获得了自旋锁定信号随锁定脉冲长度和射频频率偏置的变化关系。如果不考虑准备脉冲期间射频频率偏置的影响,那么可简单地用核磁共振中的矢量模型来解释自旋锁定这一现象。
1995, 44 (6): 995-1002.
doi: 10.7498/aps.44.995
摘要 +
在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对发光峰能和峰宽作了讨论。
1995, 44 (6): 1003-1008.
doi: 10.7498/aps.44.1003
摘要 +
用离子交换工艺对提拉法生长的N a + 节氧化铝进行处理得到的c u+ 掺杂p 氧化铝在紫外光激发下孤立C u+ 和IC u+一c u+ 1 二聚物的发射光谱. 在双掺情况下, 伴随C u+ 掺入的阳离子(K + , 人g +) 提高了孤立C u+ 对{C u+一C u+ } 发射强度的比率, 发射带峰位也略有偏移, 在C u+ / K 十掺杂样品中新发现一个很强的3 9 知m 的荧光峰. 文章提供了单掺和双掺C u+ 一p 氧化铝的吸收、发射和激发谱数据并对各荧光发射带的机制进行了讨论。
