| [1] |
刘杨, 刘兆军, 丛振华, 徐晓东, 徐军, 门少杰, 夏金宝, 张飒飒. Nd:LuYAG混晶1123 nm被动调Q激光器.
,
2015, 64(17): 174203.
doi: 10.7498/aps.64.174203
|
| [2] |
包锦, 闫翠玲, 闫祖威. 三元混晶四层系统的表面和界面声子极化激元.
,
2014, 63(10): 107105.
doi: 10.7498/aps.63.107105
|
| [3] |
曲艳东, 孔祥清, 李晓杰, 闫鸿浩. 热处理对爆轰合成的纳米TiO2混晶的结构相变的影响.
,
2014, 63(3): 037301.
doi: 10.7498/aps.63.037301
|
| [4] |
谷卓, 班士良. 纤锌矿结构ZnO/MgxZn1-xO量子阱中带间光吸收的尺寸效应和三元混晶效应.
,
2014, 63(10): 107301.
doi: 10.7498/aps.63.107301
|
| [5] |
刘均海, 韩文娟, 张怀金, 王继扬, Xavier Mateos, Valentin Petrov. 不同组分的钒酸盐混晶Ybt:YxGd1-t-xVO4光谱与激光性质的比较研究.
,
2011, 60(1): 014211.
doi: 10.7498/aps.60.014211
|
| [6] |
熊飞, 潘红星, 张辉, 杨宇. 溅射沉积自诱导混晶界面与Ge量子点的生长研究.
,
2011, 60(8): 088102.
doi: 10.7498/aps.60.088102
|
| [7] |
罗召洋, 杨孝全, 孟远征, 邓勇. Micro CT中混叠伪影的消除.
,
2010, 59(11): 8237-8243.
doi: 10.7498/aps.59.8237
|
| [8] |
屈媛, 班士良. 纤锌矿氮化物量子阱中光学声子模的三元混晶效应.
,
2010, 59(7): 4863-4873.
doi: 10.7498/aps.59.4863
|
| [9] |
李维峰, 梁迎新, 金勇, 魏建华. AlxGa1-xAs:Si 中DX中心的双极化子机制及统计分析.
,
2010, 59(12): 8850-8855.
doi: 10.7498/aps.59.8850
|
| [10] |
彭瑞祥, 陈冲, 沈薇, 王命泰, 郭颖, 耿宏伟. 非晶/结晶共混对聚合物光伏电池性能的影响.
,
2009, 58(9): 6582-6589.
doi: 10.7498/aps.58.6582
|
| [11] |
杨旭东, 徐仲英, 罗向东, 方再历, 李国华, 苏荫强, 葛惟昆. ZnS中Te等电子中心的时间分辨光谱研究.
,
2005, 54(5): 2272-2276.
doi: 10.7498/aps.54.2272
|
| [12] |
卢励吾, 张砚华, 徐遵图, 徐仲英, 王占国, J.Wang, WeikunGe. 快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响.
,
2002, 51(2): 367-371.
doi: 10.7498/aps.51.367
|
| [13] |
肖细凤, 康俊勇. AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构.
,
2002, 51(1): 138-142.
doi: 10.7498/aps.51.138
|
| [14] |
. 高x值混晶Hg1-xCdxTe光吸收边的压力效应.
,
1989, 38(11): 1858-1863.
doi: 10.7498/aps.38.1858
|
| [15] |
傅英, 徐文兰. Ge1-xSix混晶声子谱.
,
1988, 37(1): 162-166.
doi: 10.7498/aps.37.162
|
| [16] |
熊诗杰. 具有调制分布复合中心的非晶半导体超晶格中载流子的弛豫过程.
,
1986, 35(12): 1624-1633.
doi: 10.7498/aps.35.1624
|
| [17] |
沈学础, 褚君浩. CdxHg1-xTe混晶的远红外反射光谱和多振子模型.
,
1985, 34(1): 56-64.
doi: 10.7498/aps.34.56
|
| [18] |
沈学础, 叶红娟, 康荔学, 陶凤翔. Cd1-xMnxTe混晶的远红外吸收光谱.
,
1985, 34(12): 1573-1581.
doi: 10.7498/aps.34.1573
|
| [19] |
沈学础, 褚君浩. CdxHg1-xTe混晶声子谱的远红外光谱研究.
,
1984, 33(6): 729-737.
doi: 10.7498/aps.33.729
|
| [20] |
鲍庆成, 王启明, 彭怀德, 朱龙德, 高季林. 用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心.
,
1983, 32(9): 1220-1226.
doi: 10.7498/aps.32.1220
|
下载:
