| [1] |
罗长维, 仇猛淋, 王广甫, 王庭顺, 赵国强, 华青松. 利用离子激发发光研究ZnO离子注入和退火处理的缺陷变化.
,
2020, 69(10): 102901.
doi: 10.7498/aps.69.20200029
|
| [2] |
臧航, 王志光, 庞立龙, 魏孔芳, 姚存峰, 申铁龙, 孙建荣, 马艺准, 缑洁, 盛彦斌, 朱亚滨. 离子注入ZnO薄膜的拉曼光谱研究.
,
2010, 59(7): 4831-4836.
doi: 10.7498/aps.59.4831
|
| [3] |
张大成, 申艳艳, 黄元杰, 王卓, 刘昌龙. 绝缘体中金属离子注入合成纳米颗粒的理论研究.
,
2010, 59(11): 7974-7978.
doi: 10.7498/aps.59.7974
|
| [4] |
杨义涛, 张崇宏, 周丽宏, 李炳生. 铝镁尖晶石中He离子注入引起损伤的退火行为研究.
,
2008, 57(8): 5165-5169.
doi: 10.7498/aps.57.5165
|
| [5] |
郝小鹏, 王宝义, 于润升, 魏 龙. 锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究.
,
2007, 56(11): 6543-6546.
doi: 10.7498/aps.56.6543
|
| [6] |
张小东, 林德旭, 李公平, 尤 伟, 张利民, 张 宇, 刘正民. 离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究.
,
2006, 55(10): 5487-5493.
doi: 10.7498/aps.55.5487
|
| [7] |
陈志权, 河裾厚男. He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究.
,
2006, 55(8): 4353-4357.
doi: 10.7498/aps.55.4353
|
| [8] |
张晓丹, 赵 颖, 朱 锋, 魏长春, 麦耀华, 高艳涛, 孙 建, 耿新华, 熊绍珍. 二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染.
,
2005, 54(4): 1895-1898.
doi: 10.7498/aps.54.1895
|
| [9] |
张纪才, 戴伦, 秦国刚, 应丽贞, 赵新生. 离子注入GaN的拉曼散射研究.
,
2002, 51(3): 629-634.
doi: 10.7498/aps.51.629
|
| [10] |
邹云娟, 严 辉, 陈光华, 金运范, 杨 茹. C60薄膜的离子注入损伤研究.
,
1998, 47(11): 1923-1927.
doi: 10.7498/aps.47.1923
|
| [11] |
田人和, 张孝吉, 吴瑜光, 张荟星. 自离子辐照对兆伏注P+硅中二次缺陷的影响.
,
1998, 47(6): 952-959.
doi: 10.7498/aps.47.952
|
| [12] |
刘家璐, 张廷庆, 李建军, 赵元富. BF2+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析.
,
1997, 46(8): 1580-1584.
doi: 10.7498/aps.46.1580
|
| [13] |
卢武星, R.J.Schreatelkamp, J.R.Liefting, F.W.Saris. 高能重离子注入Si中缺陷的抑制.
,
1995, 44(7): 1101-1107.
doi: 10.7498/aps.44.1101
|
| [14] |
张建华, 刘增山, 秦永志. Zn离子注入多晶Al的扩散研究.
,
1992, 41(9): 1474-1481.
doi: 10.7498/aps.41.1474
|
| [15] |
李晓雷, 陆昉, 孙恒慧, 黄庆红. 低剂量磷离子注入快速退火硅中的缺陷研究.
,
1992, 41(6): 985-991.
doi: 10.7498/aps.41.985
|
| [16] |
沈鸿烈, 杨根庆, 周祖尧, 邹世昌. 磷化铟中离子注入硅的双性行为研究.
,
1991, 40(3): 476-482.
doi: 10.7498/aps.40.476
|
| [17] |
卢武星, 钱亚宏, 田人和, 王忠烈. MeV高能B+离子注入Si中二次缺陷的抑制与消除.
,
1990, 39(2): 254-260.
doi: 10.7498/aps.39.254
|
| [18] |
高愈尊, 大贯惣明, 高桥平七郎, 佐藤義一, 竹山太郎. 氢离子注入对硅单晶电子辐照缺陷和氢泡形成的影响.
,
1988, 37(1): 152-156.
doi: 10.7498/aps.37.152
|
| [19] |
王渭源, 夏冠群, 卢建国, 邵永富, 乔墉. 掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究.
,
1985, 34(3): 402-407.
doi: 10.7498/aps.34.402
|
| [20] |
莫党, 卢因诚, 李旦晖, 刘尚合, 卢武星. 用椭圆偏光法研究硅中砷离子注入的损伤和退火效应.
,
1980, 29(9): 1214-1216.
doi: 10.7498/aps.29.1214
|
下载:
