[1] |
盖云冉, 郑康, 丁春玲, 郝向英, 金锐博. 基于半导体量子阱中四波混频效应的高效光学非互易.
,
2024, 73(1): 014201.
doi: 10.7498/aps.73.20231212
|
[2] |
时凯居, 李睿, 李长富, 王成新, 徐现刚, 冀子武. 荧光法测定半导体禁带宽度.
,
2022, 71(6): 067803.
doi: 10.7498/aps.71.20211894
|
[3] |
张艳艳, 陈家麟, 查国桥, 周世平. 多带超导体中的自发磁场和奇频配对态.
,
2019, 68(16): 167401.
doi: 10.7498/aps.68.20190445
|
[4] |
郭道友, 李培刚, 陈政委, 吴真平, 唐为华. 超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展.
,
2019, 68(7): 078501.
doi: 10.7498/aps.68.20181845
|
[5] |
谢修华, 李炳辉, 张振中, 刘雷, 刘可为, 单崇新, 申德振. 点缺陷调控: 宽禁带II族氧化物半导体的机遇与挑战.
,
2019, 68(16): 167802.
doi: 10.7498/aps.68.20191043
|
[6] |
黄蕾, 刘文亮, 邓超生. 磷、铋掺杂半导体锗光学性质的第一性原理研究.
,
2018, 67(13): 136101.
doi: 10.7498/aps.67.20172680
|
[7] |
侯磊, 韩海年, 张龙, 张金伟, 李德华, 魏志义. 243 nm稳频窄线宽半导体激光器.
,
2015, 64(13): 134205.
doi: 10.7498/aps.64.134205
|
[8] |
刘海云, 刘湘涟, 田定琪, 杜正良, 崔教林. 含硫宽禁带Ga2Te3基热电半导体的声电输运特性.
,
2015, 64(19): 197201.
doi: 10.7498/aps.64.197201
|
[9] |
杨伟, 梁继然, 刘剑, 姬扬. 在半导体-金属相变温度附近氧化钒薄膜光学性质的异常变动.
,
2014, 63(10): 107104.
doi: 10.7498/aps.63.107104
|
[10] |
陈懂, 肖河阳, 加伟, 陈虹, 周和根, 李奕, 丁开宁, 章永凡. 半导体材料AAl2C4(A=Zn, Cd, Hg; C=S, Se)的电子结构和光学性质.
,
2012, 61(12): 127103.
doi: 10.7498/aps.61.127103
|
[11] |
李春早, 刘少斌, 孔祥鲲, 卞博锐, 张学勇. 外磁场与温度对低温超导光子晶体低频禁带特性的影响.
,
2012, 61(7): 075203.
doi: 10.7498/aps.61.075203
|
[12] |
高国钦, 马守林, 金峰, 金东范, 卢天健. 声波在二维固/流声子晶体中的禁带特性研究.
,
2010, 59(1): 393-400.
doi: 10.7498/aps.59.393
|
[13] |
朱 博, 桂永胜, 周文政, 商丽燕, 仇志军, 郭少令, 张福甲, 褚君浩. 窄禁带稀磁半导体二维电子气的磁阻振荡研究.
,
2006, 55(6): 2955-2960.
doi: 10.7498/aps.55.2955
|
[14] |
朱 博, 桂永胜, 仇志军, 周文政, 姚 炜, 郭少令, 褚君浩, 张福甲. 窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡.
,
2006, 55(2): 786-790.
doi: 10.7498/aps.55.786
|
[15] |
吴良津, 刘坤, 褚君浩. 窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量.
,
1997, 46(5): 964-968.
doi: 10.7498/aps.46.964
|
[16] |
赵国忠, 潘少华. 半导体超晶格子带间跃迁的光学双稳.
,
1996, 45(6): 929-939.
doi: 10.7498/aps.45.929
|
[17] |
王杰, 俞根才, 诸长生, 王迅. 宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体薄膜及超晶格的外延生长及特性研究.
,
1995, 44(9): 1471-1479.
doi: 10.7498/aps.44.1471
|
[18] |
柳树政. 磁场中窄禁带半导体的高阶光学性质(Ⅰ).
,
1984, 33(12): 1629-1639.
doi: 10.7498/aps.33.1629
|
[19] |
张绮香, 霍裕平. 半导体中的杂质能级.
,
1966, 22(1): 29-46.
doi: 10.7498/aps.22.29
|
[20] |
霍裕平. 半导体中的杂质能级.
,
1963, 19(5): 273-284.
doi: 10.7498/aps.19.273
|