[1] |
蒋钊, 陈学康. 界面合金化控制柔性Al/PI薄膜应力的研究.
,
2015, 64(21): 216802.
doi: 10.7498/aps.64.216802
|
[2] |
潘宵, 鞠焕鑫, 冯雪飞, 范其瑭, 王嘉兴, 杨耀文, 朱俊发. F8BT薄膜表面形貌及与Al形成界面的电子结构和反应.
,
2015, 64(7): 077304.
doi: 10.7498/aps.64.077304
|
[3] |
唐翠明, 赵锋, 陈晓旭, 陈华君, 程新路. Al与α-Fe2O3纳米界面铝热反应的从头计算分子动力学研究.
,
2013, 62(24): 247101.
doi: 10.7498/aps.62.247101
|
[4] |
劳燕锋, 吴惠桢. 直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究.
,
2005, 54(9): 4334-4339.
doi: 10.7498/aps.54.4334
|
[5] |
王 茺, 陈平平, 周旭昌, 夏长生, 王少伟, 陈效双, 陆 卫. 压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71As单量子阱.
,
2005, 54(7): 3337-3341.
doi: 10.7498/aps.54.3337
|
[6] |
江美福, 宁兆元. 反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石薄膜的XPS结构研究.
,
2004, 53(9): 3220-3224.
doi: 10.7498/aps.53.3220
|
[7] |
袁先漳, 缪中林. Al/GaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究.
,
2004, 53(10): 3521-3524.
doi: 10.7498/aps.53.3521
|
[8] |
缪中林, 陈平平, 陆卫, 徐文兰, 李志锋, 蔡玮颖. GaAs/Al1-xAs表面单量子阱原位光调制反射光谱研究.
,
2001, 50(1): 111-115.
doi: 10.7498/aps.50.111
|
[9] |
张发培, 郭红志, 徐彭寿, 祝传刚, 陆尔东, 张新夷, 梁任又. Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究.
,
2000, 49(1): 142-145.
doi: 10.7498/aps.49.142
|
[10] |
杜新华, 刘振祥, 谢 侃, 王燕斌, 褚武扬. CeO2/Nb2O5界面效应对提高CeO2氧敏特性的XPS研究.
,
1998, 47(12): 2025-2030.
doi: 10.7498/aps.47.2025
|
[11] |
林秀华. Au/GaP接触体系界面特性的XPS分析.
,
1998, 47(12): 2018-2024.
doi: 10.7498/aps.47.2018
|
[12] |
陈溪滢, 丁训民, 张胜坤, 张博, 陆方, 曹先安, 朱炜, 侯晓远. GaS/GaAs界面电学性质研究.
,
1997, 46(3): 612-617.
doi: 10.7498/aps.46.612
|
[13] |
徐敏, 朱兴国, 张明, 董国胜, 金晓峰. GaAs(001)表面外延生长Mn薄膜的XPS研究.
,
1996, 45(7): 1178-1184.
doi: 10.7498/aps.45.1178
|
[14] |
张明, 董国胜, 徐敏, 陈艳, 金晓峰, 朱兴国. 亚稳态γ-Mn与GaAs(100)界面的形成:扩散和化学反应.
,
1995, 44(1): 115-121.
doi: 10.7498/aps.44.115
|
[15] |
张明, 董国胜, 李喆深, 徐敏, 金晓峰, 王迅, 朱兴国. Mn/GaAs(100)界面的形成和化学反应的研究.
,
1993, 42(8): 1333-1339.
doi: 10.7498/aps.42.1333
|
[16] |
卢学坤, 侯晓远, 董国胜, 丁训民. α-P/GaAs(100)界面的光电子能谱研究.
,
1992, 41(4): 689-696.
doi: 10.7498/aps.41.689
|
[17] |
卢学坤. 用HREELS,XPS,LEED研究Al-GaAs(100)(4×1)界面反应.
,
1988, 37(11): 1882-1887.
doi: 10.7498/aps.37.1882
|
[18] |
丁训民, 董国胜, 杨曙, 陈平, 王迅. In/GaAs(111)界面形成过程的电子能谱研究.
,
1985, 34(5): 634-639.
doi: 10.7498/aps.34.634
|
[19] |
陈正豪, 崔大复, 吕惠宾, 周岳亮. 在GaAs-Al界面上红外表面二次谐波的产生及其特性研究.
,
1984, 33(3): 428-433.
doi: 10.7498/aps.33.428
|
[20] |
林荣富, 戴道宣, 江绍酉尤, 张永福, 包伟国, 吕国樑. 硅—二氧化硅界面过渡区的XPS研究.
,
1981, 30(10): 1295-1306.
doi: 10.7498/aps.30.1295
|