| [1] |
刘俊岭, 柏于杰, 徐宁, 张勤芳. GaS/Mg(OH)2异质结电子结构的第一性原理研究.
,
2024, 73(13): 137103.
doi: 10.7498/aps.73.20231979
|
| [2] |
李铭杰, 高红, 李江禄, 温静, 李凯, 张伟光. 低温下单根ZnO纳米带电学性质的研究.
,
2013, 62(18): 187302.
doi: 10.7498/aps.62.187302
|
| [3] |
吴宝嘉, 韩永昊, 彭刚, 刘才龙, 王月, 高春晓. 原位高压微米氧化锌电学性质的研究.
,
2010, 59(6): 4235-4239.
doi: 10.7498/aps.59.4235
|
| [4] |
申陈海, 卢景霄, 陈永生. 微晶硅薄膜高速沉积及电学性质的研究.
,
2009, 58(10): 7288-7293.
doi: 10.7498/aps.58.7288
|
| [5] |
劳燕锋, 吴惠桢. 直接键合InP-GaAs结构界面的特性研究.
,
2005, 54(9): 4334-4339.
doi: 10.7498/aps.54.4334
|
| [6] |
袁先漳, 缪中林. Al/GaAs表面量子阱界面层的原位光调制反射光谱研究.
,
2004, 53(10): 3521-3524.
doi: 10.7498/aps.53.3521
|
| [7] |
曹 琦, 李相银. 温度对纳米ZnO膜电学光学性质影响的研究.
,
2004, 53(5): 1572-1576.
doi: 10.7498/aps.53.1572
|
| [8] |
赵继刚, 邵彬, 王太宏. InAs自组装量子点GaAs肖特基二级管的电学特性研究.
,
2002, 51(6): 1355-1359.
doi: 10.7498/aps.51.1355
|
| [9] |
张发培, 郭红志, 徐彭寿, 祝传刚, 陆尔东, 张新夷, 梁任又. Co/S钝化GaAs(100)界面形成的SRPES研究.
,
2000, 49(1): 142-145.
doi: 10.7498/aps.49.142
|
| [10] |
张发培, 徐彭寿, 徐发强, 陆尔东, 孙玉明, 张新夷, 朱警生, 梁任又. Co/GaAs(100)界面形成以及Co超薄膜磁性质的研究.
,
1998, 47(4): 692-698.
doi: 10.7498/aps.47.692
|
| [11] |
陈光华, 姚江宏, 王永谦, 邹云娟. 硫掺杂C60薄膜电学性质研究.
,
1997, 46(6): 1183-1187.
doi: 10.7498/aps.46.1183
|
| [12] |
陈溪滢, 曹先安, 丁训民, 侯晓远, 陈良尧, 赵国庆. 微波放电法生长GaS薄膜的性质.
,
1997, 46(4): 826-832.
doi: 10.7498/aps.46.826
|
| [13] |
陈艳, 董国胜, 张明, 金晓峰, 陆尔东, 潘海斌, 徐彭寿, 张新夷, 范朝阳. Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究.
,
1995, 44(1): 145-151.
doi: 10.7498/aps.44.145
|
| [14] |
张明, 董国胜, 李喆深, 徐敏, 金晓峰, 王迅, 朱兴国. Mn/GaAs(100)界面的形成和化学反应的研究.
,
1993, 42(8): 1333-1339.
doi: 10.7498/aps.42.1333
|
| [15] |
卢学坤, 侯晓远, 董国胜, 丁训民. α-P/GaAs(100)界面的光电子能谱研究.
,
1992, 41(4): 689-696.
doi: 10.7498/aps.41.689
|
| [16] |
周洁, 卢励吾, 韩志勇, 梁基本. 分子束外延生长GaAs/Si异质结电学特性的研究.
,
1991, 40(11): 1827-1832.
doi: 10.7498/aps.40.1827
|
| [17] |
卢学坤. 用HREELS,XPS,LEED研究Al-GaAs(100)(4×1)界面反应.
,
1988, 37(11): 1882-1887.
doi: 10.7498/aps.37.1882
|
| [18] |
丁训民, 董国胜, 杨曙, 陈平, 王迅. In/GaAs(111)界面形成过程的电子能谱研究.
,
1985, 34(5): 634-639.
doi: 10.7498/aps.34.634
|
| [19] |
戴道宣, 唐厚舜, 倪宇红, 余夕同. Al/GaAs界面反应的XPS研究.
,
1983, 32(10): 1328-1332.
doi: 10.7498/aps.32.1328
|
| [20] |
周洁, 王占国, 刘志刚, 王万年, 尤兴凯. 硅的低温电学性质.
,
1966, 22(4): 404-411.
doi: 10.7498/aps.22.404
|
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