| [1] |
招瑜, 魏爱香, 刘俊. 利用温变电容特性测量发光二极管结温的研究.
,
2015, 64(11): 118501.
doi: 10.7498/aps.64.118501
|
| [2] |
毛清华, 刘军林, 全知觉, 吴小明, 张萌, 江风益. p型层结构与掺杂对GaInN发光二极管正向电压温度特性的影响.
,
2015, 64(10): 107801.
doi: 10.7498/aps.64.107801
|
| [3] |
王天舒, 张瑞德, 关哲, 巴柯, 俎云霄. 忆阻元件与RLC以及二极管串并联电路的特性研究.
,
2014, 63(17): 178101.
doi: 10.7498/aps.63.178101
|
| [4] |
翟东媛, 赵毅, 蔡银飞, 施毅, 郑有炓. 沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管电学特性的影响.
,
2014, 63(12): 127201.
doi: 10.7498/aps.63.127201
|
| [5] |
陈依新, 沈光地, 高志远, 郭伟玲, 张光沉, 韩军, 朱彦旭. AlGaInP大功率发光二极管发光效率与结温的关系.
,
2011, 60(8): 087206.
doi: 10.7498/aps.60.087206
|
| [6] |
刘景旺, 杜振辉, 李金义, 齐汝宾, 徐可欣. DFB激光二极管电流-温度调谐特性的解析模型.
,
2011, 60(7): 074213.
doi: 10.7498/aps.60.074213
|
| [7] |
樊国丽, 江月松, 刘丽, 黎芳. 太赫兹GaAs肖特基混频二极管高频特性分析.
,
2010, 59(8): 5374-5381.
doi: 10.7498/aps.59.5374
|
| [8] |
邢艳辉, 韩军, 邓军, 李建军, 徐晨, 沈光地. p型GaN低温粗化提高发光二极管特性.
,
2010, 59(2): 1233-1236.
doi: 10.7498/aps.59.1233
|
| [9] |
李炳乾, 郑同场, 夏正浩. GaN基蓝光发光二极管正向电压温度特性研究.
,
2009, 58(10): 7189-7193.
doi: 10.7498/aps.58.7189
|
| [10] |
王艳新, 张琦锋, 孙 晖, 常艳玲, 吴锦雷. ZnO纳米线二极管发光器件制备及特性研究.
,
2008, 57(2): 1141-1144.
doi: 10.7498/aps.57.1141
|
| [11] |
顾晓玲, 郭 霞, 吴 迪, 李一博, 沈光地. 表面InGaN厚度对GaN基发光二极管特性的影响.
,
2008, 57(2): 1220-1223.
doi: 10.7498/aps.57.1220
|
| [12] |
孙可煦, 江少恩, 易荣清, 崔延莉, 丁永坤, 刘慎业. X射线二极管时间特性研究.
,
2006, 55(1): 68-75.
doi: 10.7498/aps.55.68
|
| [13] |
刘 明, 刘 宏, 何宇亮. 纳米硅/单晶硅异质结二极管的I-V特性.
,
2003, 52(11): 2875-2878.
doi: 10.7498/aps.52.2875
|
| [14] |
李宏伟, 王太宏. InAs量子点在肖特基势垒二极管输运特性中的影响.
,
2001, 50(12): 2501-2505.
doi: 10.7498/aps.50.2501
|
| [15] |
李宏伟, 王太宏. InAs自组装量子点GaAs肖特基二极管中的电流输运特性.
,
2001, 50(2): 262-267.
doi: 10.7498/aps.50.262
|
| [16] |
易明銧. 非线性偏置条件下隧道二极管中的触发振荡.
,
1974, 23(5): 23-42.
doi: 10.7498/aps.23.23
|
| [17] |
邵式平. 某些锗隧道二极管的老化现象.
,
1965, 21(9): 1697-1699.
doi: 10.7498/aps.21.1697
|
| [18] |
吴锡九. 非线性系统的一种图解分析方法及其在隧道二极管线路分析中的应用.
,
1964, 20(8): 731-752.
doi: 10.7498/aps.20.731
|
| [19] |
徐元华. 隧道二极管伏安曲线二次微商与直流偏压关系的测量.
,
1964, 20(9): 919-927.
doi: 10.7498/aps.20.919
|
| [20] |
沈学礎, 陈宁锵. 流体静压力对锗隧道二极管伏安特性的影响.
,
1964, 20(10): 1019-1026.
doi: 10.7498/aps.20.1019
|
下载:
