N掺杂SnO2材料光电性质的第一性原理研究

于峰; 王培吉; 张昌文

doi:10.7498/aps.59.7285

摘要

采用全电势线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,简记为FP-LAPW)方法,基于密度泛函理论第一性原理计算分析N掺杂SnO2材料,研究了在N替代O原子和N替代Sn原子情况下的电子态密度、电荷密度分布以及光学性质.研究表明N掺杂替代Sn较之N掺杂替代O原子的带隙要宽,都宽于SnO2的本征带隙,且两种情况下N分别处于负氧化态和正氧化态,其介电函数谱也与带隙对应发生蓝移,从理论上指出

关键词:

Abstract

Using first-principles full potential linearized augmented plane wave method (FP-LAPW), we present the isosurface of spin density, total density of states and optical properties of undoped SnO2, substitutional N for O and substitutional N for Sn in SnO2. The results show that the band gap in two kinds of N-doped SnO2 is wider than that of SnO2 eigenstate, and the imaginary part of the dielectric function makes a blue shift corresponding to the increasing band gaps. It points out the relationship between electronic structure and optical properties in theory.

Keywords:

作者及机构信息

1.
济南大学理学院,济南 250022

基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60471042)和山东省自然科学基金(批准号:Y2005A05)资助的课题.

Authors and contacts

1.
School of Science, University of Jinan, Jinan 250022, China

参考文献

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施引文献

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