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In掺杂ZnO超晶格光学性质的研究

冯现徉 逯瑶 蒋雷 张国莲 张昌文 王培吉

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In掺杂ZnO超晶格光学性质的研究

冯现徉, 逯瑶, 蒋雷, 张国莲, 张昌文, 王培吉

Study of the optical properties of superlattices ZnO doped with indium

Feng Xian-Yang, Lu Yao, Jiang Lei, Zhang Guo-Lian, Zhang Chang-Wen, Wang Pei-Ji
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  • 采用基于第一性原理的线性缀加平面波方法, 计算了超晶格ZnO掺In的光学性质. 计算结果表明, 掺入In元素后Fermi能级进入导带, 介电函数、吸收系数、折射率、反射率都在Fermi面附近产生新的跃迁峰. 随着掺杂层数的增多, 跃迁峰发生红移, 当掺杂两层In时跃迁峰峰值最大, 同时吸收系数的吸收边随掺杂层数的增多而逐渐减小. 与In掺杂ZnO超晶胞相比, ZnO超晶格在可见光范围内具有高透过率的特点.
    According to the full-potential linearized augmented plane wave method, we calculate the optical properties of In-doped superlattices ZnO. The results reveal that the Fermi energy level enters into the conduction band after doping In. Dielectric function, absorption, refractive index, reflectivity are found to each have a new transition peak near the Fermi energy level. With the increase of the concentration, this transition peak shifts toward the low energy and the spectrum of the peak is the biggest for the two-layer doping case. The optical absorption edge decreases with the increase of doping concentration. Compared with In-doped ZnO supercell, ZnO superlattice has a high transmissivity in the visible light range.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61172028)、山东省自然科学基金(批准号: ZR2010EL017)、山东省科学技术计划发展项目(批准号: 2009GG2003028)和济南大学博士基金(批准号: xbs01043)资助的课题.
    • Funds: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 61172028), the Natural Science Foundation of Shandong Province, China (Grant No. ZR2010EL017), the Plan Development Project of Shandong Science and Technology, China (Grant No. 2009GG2003028) and the Doctor Foundation of University of Jinan, China (Grant No. xbs1043).
    [1]

    Lee E C, Chang K J 2006 Physica B 376-377 707

    [2]

    Xiong Z H, Jiang F Y 2007 J. Phys. Chem. Solids 68 1500

    [3]

    Guo M T, Li L, Zhang X F 2007 Laser Journal 28 32 (in Chinese) [郭茂田, 李丽, 张晓芳 2007 激光杂志 28 32]

    [4]

    Guan L, Li Q, Zhao Q X, Guo J X, Zhou Y, Jin L T, Geng B, LiuB T 2009 Acta Phys. Sin. 58 5624 (in Chinese) [关丽, 李强,赵庆勋, 郭建新, 周阳, 金利涛, 耿波, 刘保亭 2009 58 5624]

    [5]

    Liu X C, Ji Y J, Zhao J Q, Liu L Q, Zhang Z P, Dong H L 2010Acta Phys. Sin. 59 4925 (in Chinese) [刘小村,季艳菊, 赵俊卿, 刘立强, 张兆鹏, 董和磊 2010 59 4925]

    [6]

    Fujita S, Tanaka H, Fujita S 2005 J. Crystal Growth 278 264

    [7]

    Ohtomo A, Kawasaki M, Ohkubo I, Koinuma H, Yasuda T, SegawaY 2009 Appl. Phys. Lett. 75 980

    [8]

    Karzel H, Potzel W, Kofferlein M, Schiessl W, Steiner M, HillerU, Kalvius G M, Mitchell D W, Das T P, Blaha P, Schwarz K,Pasternak M P 1996 Phys. Rev. B 53 11425

    [9]

    Duan M Y, Xu M , Zhou H P, Chen Q Y, Hu Z G, Dong C J 2008Acta Phys. Sin. 57 6520 (in Chinese) [段满益,徐明, 周海平, 陈青云, 胡志刚, 董成军 2008 57 6520]

    [10]

    Schleife A, Rodl C, Fuchs F, Furthmuller J, Bechstedt F 2007Appl. Phys. Lett. 91 24195

    [11]

    Ying X J, Zhang X D, Hao Z W 2007 J. Synthetic Crystals 36 784(in Chinese) [应杏娟, 张兴德, 郝志武 2007人工晶体学报 36 784]

    [12]

    Wen X, Shu S L 2009 Physica E 41 506

    [13]

    Liu X C, Shi E W, Song L X, Zhang W H, Chen Z Z 2006 ActaPhys. Sin. 55 2557 (in Chinese) [刘学超,施尔畏, 宋力昕, 张伟华, 陈之战 2006 55 2557]

    [14]

    Shi L B, Yuan H K 2011 J. Magn. Magn. Mater. 323 857

    [15]

    Tang X, Lü H F, Ma C Y, Zhao J J, Zhang Q Y 2008 Acta Phys.Sin. 57 1066 (in Chinese) [唐鑫,吕海峰, 马春雨, 赵纪军, 张庆瑜 2008 57 1066]

    [16]

    Zhang X D, Guo M L, Li W X, Liu C L 2008 J. Appl. Phys. 103063721

    [17]

    Feng X Y, Wang P J, Zhang C W, Lu Y, Jiang L, Zhang G L 2011 J. Synthetic Crystals 40 517 (in Chinese) [冯现徉,王培吉, 张昌文, 逯瑶, 蒋雷, 张国莲 2011 人工晶体学报 40 517]

    [18]

    Wang Y B, Xu Y, Zhang Y, Yu X, Song G F, Chen L H 2011 Chin.Phys. B 20 067302

    [19]

    Wang JW, Bian J M, Sun J C, Liang HW, Zhao J Z, Du G T 2008Acta Phys. Sin. 57 5212 (in Chinese) [王经纬,边继明, 孙景昌, 梁红伟, 赵涧泽, 杜国同 2008 57 5212]

  • [1]

    Lee E C, Chang K J 2006 Physica B 376-377 707

    [2]

    Xiong Z H, Jiang F Y 2007 J. Phys. Chem. Solids 68 1500

    [3]

    Guo M T, Li L, Zhang X F 2007 Laser Journal 28 32 (in Chinese) [郭茂田, 李丽, 张晓芳 2007 激光杂志 28 32]

    [4]

    Guan L, Li Q, Zhao Q X, Guo J X, Zhou Y, Jin L T, Geng B, LiuB T 2009 Acta Phys. Sin. 58 5624 (in Chinese) [关丽, 李强,赵庆勋, 郭建新, 周阳, 金利涛, 耿波, 刘保亭 2009 58 5624]

    [5]

    Liu X C, Ji Y J, Zhao J Q, Liu L Q, Zhang Z P, Dong H L 2010Acta Phys. Sin. 59 4925 (in Chinese) [刘小村,季艳菊, 赵俊卿, 刘立强, 张兆鹏, 董和磊 2010 59 4925]

    [6]

    Fujita S, Tanaka H, Fujita S 2005 J. Crystal Growth 278 264

    [7]

    Ohtomo A, Kawasaki M, Ohkubo I, Koinuma H, Yasuda T, SegawaY 2009 Appl. Phys. Lett. 75 980

    [8]

    Karzel H, Potzel W, Kofferlein M, Schiessl W, Steiner M, HillerU, Kalvius G M, Mitchell D W, Das T P, Blaha P, Schwarz K,Pasternak M P 1996 Phys. Rev. B 53 11425

    [9]

    Duan M Y, Xu M , Zhou H P, Chen Q Y, Hu Z G, Dong C J 2008Acta Phys. Sin. 57 6520 (in Chinese) [段满益,徐明, 周海平, 陈青云, 胡志刚, 董成军 2008 57 6520]

    [10]

    Schleife A, Rodl C, Fuchs F, Furthmuller J, Bechstedt F 2007Appl. Phys. Lett. 91 24195

    [11]

    Ying X J, Zhang X D, Hao Z W 2007 J. Synthetic Crystals 36 784(in Chinese) [应杏娟, 张兴德, 郝志武 2007人工晶体学报 36 784]

    [12]

    Wen X, Shu S L 2009 Physica E 41 506

    [13]

    Liu X C, Shi E W, Song L X, Zhang W H, Chen Z Z 2006 ActaPhys. Sin. 55 2557 (in Chinese) [刘学超,施尔畏, 宋力昕, 张伟华, 陈之战 2006 55 2557]

    [14]

    Shi L B, Yuan H K 2011 J. Magn. Magn. Mater. 323 857

    [15]

    Tang X, Lü H F, Ma C Y, Zhao J J, Zhang Q Y 2008 Acta Phys.Sin. 57 1066 (in Chinese) [唐鑫,吕海峰, 马春雨, 赵纪军, 张庆瑜 2008 57 1066]

    [16]

    Zhang X D, Guo M L, Li W X, Liu C L 2008 J. Appl. Phys. 103063721

    [17]

    Feng X Y, Wang P J, Zhang C W, Lu Y, Jiang L, Zhang G L 2011 J. Synthetic Crystals 40 517 (in Chinese) [冯现徉,王培吉, 张昌文, 逯瑶, 蒋雷, 张国莲 2011 人工晶体学报 40 517]

    [18]

    Wang Y B, Xu Y, Zhang Y, Yu X, Song G F, Chen L H 2011 Chin.Phys. B 20 067302

    [19]

    Wang JW, Bian J M, Sun J C, Liang HW, Zhao J Z, Du G T 2008Acta Phys. Sin. 57 5212 (in Chinese) [王经纬,边继明, 孙景昌, 梁红伟, 赵涧泽, 杜国同 2008 57 5212]

  • [1] 范达志, 刘贵立, 卫琳. 扭转形变对石墨烯吸附O原子电学和光学性质影响的电子理论研究.  , 2017, 66(24): 246301. doi: 10.7498/aps.66.246301
    [2] 刘欢, 李公平, 许楠楠, 林俏露, 杨磊, 王苍龙. Cu离子注入单晶TiO2微结构及光学性质的模拟研究.  , 2016, 65(20): 206102. doi: 10.7498/aps.65.206102
    [3] 余本海, 陈东. 用密度泛函理论研究氮化硅新相的电子结构、光学性质和相变.  , 2014, 63(4): 047101. doi: 10.7498/aps.63.047101
    [4] 陈懂, 肖河阳, 加伟, 陈虹, 周和根, 李奕, 丁开宁, 章永凡. 半导体材料AAl2C4(A=Zn, Cd, Hg; C=S, Se)的电子结构和光学性质.  , 2012, 61(12): 127103. doi: 10.7498/aps.61.127103
    [5] 孙伟峰, 郑晓霞. 第一原理研究界面弛豫对InAs/GaSb超晶格界面结构、能带结构和光学性质的影响.  , 2012, 61(11): 117301. doi: 10.7498/aps.61.117301
    [6] 段永华, 孙勇. (α, β , γ)-Nb5Si3电子结构和光学性质研究.  , 2012, 61(21): 217101. doi: 10.7498/aps.61.217101
    [7] 逯瑶, 王培吉, 张昌文, 冯现徉, 蒋雷, 张国莲. Fe, S共掺杂SnO2材料第一性原理分析.  , 2012, 61(2): 023101. doi: 10.7498/aps.61.023101
    [8] 逯瑶, 王培吉, 张昌文, 蒋雷, 张国莲, 宋朋. 第一性原理研究In,N共掺杂SnO2材料的光电性质.  , 2011, 60(6): 063103. doi: 10.7498/aps.60.063103
    [9] 逯瑶, 王培吉, 张昌文, 冯现徉, 蒋雷, 张国莲. 第一性原理研究Fe掺杂SnO2材料的光电性质.  , 2011, 60(11): 113101. doi: 10.7498/aps.60.113101
    [10] 于峰, 王培吉, 张昌文. Al掺杂SnO2 材料电子结构和光学性质.  , 2011, 60(2): 023101. doi: 10.7498/aps.60.023101
    [11] 蒋雷, 王培吉, 张昌文, 冯现徉, 逯瑶, 张国莲. 超晶格SnO2掺Cr的电子结构和光学性质的研究.  , 2011, 60(9): 093101. doi: 10.7498/aps.60.093101
    [12] 于峰, 王培吉, 张昌文. N掺杂SnO2材料光电性质的第一性原理研究.  , 2010, 59(10): 7285-7290. doi: 10.7498/aps.59.7285
    [13] 谭兴毅, 金克新, 陈长乐, 周超超. YFe2B2电子结构的第一性原理计算.  , 2010, 59(5): 3414-3417. doi: 10.7498/aps.59.3414
    [14] 刘建军. 掺Ga对ZnO电子态密度和光学性质的影响.  , 2010, 59(9): 6466-6472. doi: 10.7498/aps.59.6466
    [15] 孔祥兰, 侯芹英, 苏希玉, 齐延华, 支晓芬. Ba0.5Sr0.5TiO3电子结构和光学性质的第一性原理研究.  , 2009, 58(6): 4128-4131. doi: 10.7498/aps.58.4128
    [16] 关 丽, 刘保亭, 李 旭, 赵庆勋, 王英龙, 郭建新, 王书彪. 萤石结构TiO2的电子结构和光学性质.  , 2008, 57(1): 482-487. doi: 10.7498/aps.57.482
    [17] 季正华, 曾祥华, 胡永金, 谭明秋. 高压下ZnSe的电子结构和光学性质.  , 2008, 57(6): 3753-3759. doi: 10.7498/aps.57.3753
    [18] 胡永金, 崔 磊, 赵 江, 滕玉永, 曾祥华, 谭明秋. 高压下ZnS的电子结构和性质.  , 2007, 56(7): 4079-4084. doi: 10.7498/aps.56.4079
    [19] 潘洪哲, 徐 明, 祝文军, 周海平. β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究.  , 2006, 55(7): 3585-3589. doi: 10.7498/aps.55.3585
    [20] 王新军, 王玲玲, 黄维清, 唐黎明, 陈克求. 磁场下含结构缺陷多组分超晶格中的局域电子态和电子输运.  , 2006, 55(7): 3649-3655. doi: 10.7498/aps.55.3649
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-06-16
  • 修回日期:  2011-07-13
  • 刊出日期:  2012-03-05

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