[1] |
田城, 蓝剑雄, 王苍龙, 翟鹏飞, 刘杰. BaF
2高压相变行为的第一性原理研究.
,
2022, 71(1): 017102.
doi: 10.7498/aps.71.20211163
|
[2] |
田城, 蓝剑雄, 王苍龙, 翟鹏飞, 刘杰. BaF2高压相变行为的第一性原理研究.
,
2021, (): .
doi: 10.7498/aps.70.20211163
|
[3] |
严顺涛, 姜振益. Cu掺杂对TiNi合金马氏体相变路径影响的第一性原理研究.
,
2017, 66(13): 130501.
doi: 10.7498/aps.66.130501
|
[4] |
杨彪, 王丽阁, 易勇, 王恩泽, 彭丽霞. C, N, O原子在金属V中扩散行为的第一性原理计算.
,
2015, 64(2): 026602.
doi: 10.7498/aps.64.026602
|
[5] |
邓发明, 高涛, 沈艳红, 龚艳蓉. 强激光辐照对3C-SiC晶体结构稳定性的影响.
,
2015, 64(4): 046301.
doi: 10.7498/aps.64.046301
|
[6] |
崔彦祥, 王玉梅, 李方华. 3C-SiC薄膜小角晶界附近位错核心的原子组态研究.
,
2015, 64(4): 046801.
doi: 10.7498/aps.64.046801
|
[7] |
周鹏力, 郑树凯, 田言, 张朔铭, 史茹倩, 何静芳, 闫小兵. Al-N共掺杂3C-SiC介电性质的第一性原理计算.
,
2014, 63(5): 053102.
doi: 10.7498/aps.63.053102
|
[8] |
谢东, 冷永祥, 黄楠. C掺杂TiO薄膜的制备及其第一性原理研究.
,
2013, 62(19): 198103.
doi: 10.7498/aps.62.198103
|
[9] |
张品亮, 龚自正, 姬广富, 刘崧. α-Ti2Zr高压物性的第一性原理计算研究.
,
2013, 62(4): 046202.
doi: 10.7498/aps.62.046202
|
[10] |
周平, 王新强, 周木, 夏川茴, 史玲娜, 胡成华. 第一性原理研究硫化镉高压相变及其电子结构与弹性性质.
,
2013, 62(8): 087104.
doi: 10.7498/aps.62.087104
|
[11] |
卢志鹏, 祝文军, 卢铁城. 高压下Fe从bcc到hcp结构相变机理的第一性原理计算.
,
2013, 62(5): 056401.
doi: 10.7498/aps.62.056401
|
[12] |
王海燕, 历长云, 高洁, 胡前库, 米国发. 高压下TiAl3结构及热动力学性质的第一性原理研究.
,
2013, 62(6): 068105.
doi: 10.7498/aps.62.068105
|
[13] |
周鹏力, 史茹倩, 何静芳, 郑树凯. B-Al共掺杂3C-SiC的第一性原理研究.
,
2013, 62(23): 233101.
doi: 10.7498/aps.62.233101
|
[14] |
李智敏, 施建章, 卫晓黑, 李培咸, 黄云霞, 李桂芳, 郝跃. 掺铝3C-SiC电子结构的第一性原理计算及其微波介电性能.
,
2012, 61(23): 237103.
doi: 10.7498/aps.61.237103
|
[15] |
余本海, 陈东. α-, β-和γ-Si3N4 高压下的电子结构和相变: 第一性原理研究.
,
2012, 61(19): 197102.
doi: 10.7498/aps.61.197102
|
[16] |
邓杨, 王如志, 徐利春, 房慧, 严辉. 立方(Ba0.5Sr0.5)TiO3高压诱导带隙变化的第一性原理研究.
,
2011, 60(11): 117309.
doi: 10.7498/aps.60.117309
|
[17] |
顾雄, 高尚鹏. TiN多型体高压相变的第一性原理计算.
,
2011, 60(5): 057102.
doi: 10.7498/aps.60.057102
|
[18] |
原鹏飞, 祝文军, 徐济安, 刘绍军, 经福谦. BeO高压相变和声子谱的第一性原理计算.
,
2010, 59(12): 8755-8761.
doi: 10.7498/aps.59.8755
|
[19] |
孙源, 黄祖飞, 范厚刚, 明星, 王春忠, 陈岗. BiFeO3中各离子在铁电相变中作用本质的第一性原理研究.
,
2009, 58(1): 193-200.
doi: 10.7498/aps.58.193.1
|
[20] |
倪建刚, 刘 诺, 杨果来, 张 曦. 第一性原理研究BaTiO3(001)表面的电子结构.
,
2008, 57(7): 4434-4440.
doi: 10.7498/aps.57.4434
|