[1] |
王丽娜, 陈力, 盛敏佳, 王雷磊, 崔海航, 郑旭, 黄明华. 体相微马达双气泡聚并驱动的界面演化机制.
,
2023, 72(16): 164703.
doi: 10.7498/aps.72.20230608
|
[2] |
吴明宇, 弭光宝, 李培杰, 黄旭. 多层石墨烯与TiAl合金复合材料固相烧结过程中Ti2AlC与Ti3AlC的形成机制.
,
2022, 71(19): 196801.
doi: 10.7498/aps.71.20220845
|
[3] |
李晔, 王茜茜, 卫会云, 仇鹏, 何荧峰, 宋祎萌, 段彰, 申诚涛, 彭铭曾, 郑新和. 原子层沉积的超薄InN强化量子点太阳能电池的界面输运.
,
2021, 70(18): 187702.
doi: 10.7498/aps.70.20210554
|
[4] |
栾丽君, 何易, 王涛, LiuZong-Wen. CdS/CdMnTe太阳能电池异质结界面与光电性能的第一性原理计算.
,
2021, 70(16): 166302.
doi: 10.7498/aps.70.20210268
|
[5] |
张晓军, 王安祥, 严祥安, 陈长乐. 改进分析型嵌入原子法在W(100)表面声子谱中的应用.
,
2020, 69(7): 076301.
doi: 10.7498/aps.69.20191910
|
[6] |
周化光, 林鑫, 王猛, 黄卫东. Cu固液界面能的分子动力学计算.
,
2013, 62(5): 056803.
doi: 10.7498/aps.62.056803
|
[7] |
黄明亮, 陈雷达, 周少明, 赵宁. 电迁移对Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Au/Pd/Ni-P倒装焊点界面反应的影响.
,
2012, 61(19): 198104.
doi: 10.7498/aps.61.198104
|
[8] |
刘磊, 陈铮, 王永欣. 合金沉淀颗粒劈裂的模拟研究(Ⅰ): 分裂机制.
,
2012, 61(18): 186401.
doi: 10.7498/aps.61.186401
|
[9] |
敖冰云, 汪小琳, 陈丕恒, 史鹏, 胡望宇, 杨剑瑜. 嵌入原子法计算金属钚中点缺陷的能量.
,
2010, 59(7): 4818-4825.
doi: 10.7498/aps.59.4818
|
[10] |
张文华, 莫 雄, 王国栋, 王立武, 徐法强, 潘海斌, 施敏敏, 陈红征, 汪 茫. 苯并咪唑苝与金属Ag的界面电子结构研究.
,
2007, 56(8): 4936-4942.
doi: 10.7498/aps.56.4936
|
[11] |
张建民, 吴喜军, 黄育红, 徐可为. fcc金属层错能的EAM法计算.
,
2006, 55(1): 393-397.
doi: 10.7498/aps.55.393
|
[12] |
舒 瑜, 张建民, 徐可为. Pt(110)表面自吸附原子能量和力的改进分析型嵌入原子法分析.
,
2006, 55(8): 4103-4110.
doi: 10.7498/aps.55.4103
|
[13] |
刘慧英, 侯柱锋, 朱梓忠, 黄美纯, 杨 勇. InSb的锂嵌入形成能第一原理计算.
,
2003, 52(7): 1732-1736.
doi: 10.7498/aps.52.1732
|
[14] |
张建民, 徐可为, 马 飞. 用改进嵌入原子法计算Cu晶体的表面能.
,
2003, 52(8): 1993-1999.
doi: 10.7498/aps.52.1993
|
[15] |
郭建军. 惰性气体输运性质的理论计算.
,
2002, 51(3): 497-500.
doi: 10.7498/aps.51.497
|
[16] |
牟维兵, 陈盘训. 用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数.
,
2001, 50(2): 189-192.
doi: 10.7498/aps.50.189
|
[17] |
杨仕娥, 马丙现, 贾 瑜, 申三国, 范希庆. ZnSe/GaAs(100)界面电子结构的计算.
,
1998, 47(10): 1704-1712.
doi: 10.7498/aps.47.1704
|
[18] |
罗旋, 钱革非, 王煜明. Ag/Ni和Cu/Ni界面的分子动力学模拟.
,
1994, 43(12): 1957-1965.
doi: 10.7498/aps.43.1957
|
[19] |
赵汝光, 杨威生. 用可调探测深度电子能量损失谱与俄歇电子能谱研究Pb/Ni(001)界面.
,
1992, 41(7): 1125-1131.
doi: 10.7498/aps.41.1125
|
[20] |
丁训民, 董国胜, 杨曙, 陈平, 王迅. In/GaAs(111)界面形成过程的电子能谱研究.
,
1985, 34(5): 634-639.
doi: 10.7498/aps.34.634
|